大页的NAND和小页的NAND

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NAND FLASH有两类：大页的NAND和小页的NAND。每种NAND的一页中都有数据段(datafield)和附加段(Spare Field)，datafield用于存放数据用的，Spare Field读写操作的时候存放校验码用的，大页的NAND中数据段2048B、附加段64B；小页的NAND中数据段512B、附加段16B。
小页的NAND是：One page = 512B(datafield)  + 16B(Spare Field), One block = 32page
大页的NAND是：One page = 2048B(datafield) + 64B(Spare Field), One block = 64page or 128page
注：一块NAND FLASH中的所有页可以不按顺序烧写。
对于烧写大页的NAND有这样的要求：在一页中，数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次，附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次。
对于烧写小页的NAND有相似的要求：在一页中，数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过两次，附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过三次。
小页的NAND是：One page = 512B(datafield)  + 16B(Spare Field), One block = 32page
大页的NAND是：One page = 2048B(datafield) + 64B(Spare Field), One block = 64page or 128page
注：一块NAND FLASH中的所有页可以不按顺序烧写。
对于烧写大页的NAND有这样的要求：在一页中，数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次，附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过四次。
对于烧写小页的NAND有相似的要求：在一页中，数据段在2次擦除之间的编程操作不能超过两次，附加段在2次擦除之间的编程操作不能超过三次。