三极管的结构

一、三极管的封装形式和基本结构

1.三极管的封装形式

三极管的封装形式 从左到右功率依次增大 小功率管 中功率管 大功率管

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

制作工艺：三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
产品分类
a.按材质分: 硅管、锗管
b.按结构分: NPN 、 PNP。
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管
e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管
f.按结构工艺分：合金管、平面管
g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管
2.三极管的结构

三极管的内部结构为两个PN结，由三层半导体区形成的。三极管有三个电极、三个区、两个PN结。
三个区：发射区、基区和集电区，特点是
(1) 基区很薄，且掺杂浓度低；(2) 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多；(3) 集电结的面积比发射结大。
两个PN结：处在发射区和基区交界处的PN结称为发射结；处在基区和集电区交界处的PN结称为集电结。
三个电极：从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极和集电极，用符号e、b、c来表示。

NPN PNP

三极管通常也称双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），简称晶体管或三极管。三极管在电路中常用字母T来表示。
三个区分别由NPN型半导体材料组成的三极管称为NPN型三极管，NPN型三极管的符号，符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向。根据同样的原理，也可以组成PNP型三极管。
二、三极管的工作原理：

放大原理

因三极管三个区制作工艺的设定以及内部的两个PN结相互影响，使三极管呈现出单个PN结所没有的电流放大的功能。
外加偏置电源配置：要求发射结正偏，集电结反偏。
三极管在实际的放大电路中使用时，还需要外加合适的偏置电路。原因是：
1.由于三极管BE结的非线性，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7v)。当基极与发射极之间的电压小于0.7v时，基极电流就可以认为是0。
但实际中要放大的信号往往远比0.7v要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7v时，基极电流都是0)。我们需要事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。
2.是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。

赋能电路

因为发射区多子浓度高，使大量电子从发射区扩散到基区，扩散运动形成发射极电流 �� ；
因为基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合，复合运动形成基极电流 �� ；
因为集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区，漂移运动形成集电极电流 �� 。
三极管放大的条件

发射结正偏， ���>��� ；集电结反偏， ���≥0 ，也就是 ���>���

三个电流的关系： ＝＋��＝��＋��≈��
发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。因为基极电流比较小，有时候可以近似认为集电极电流等于发射极电流。
直流电流放大系数 �¯=���� 交流放大倍数： �=Δ��Δ��
三、三极管的输入、输出特性

1.输入特性

在集电极和发射极之间电压一定的情况下（ ��� 不变），基极电流与发射结两端电压的关系。

对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
2. 输出特性

在基极电流 �� 一定的情况下，集电极电流 �� 与集电极和发射极两端电压 ��� 的关系。

3.三个工作区域 ：放大区 截止区 饱和区

截止区：发射结和集电结都反偏。当发射结电压���小于0.6~0.7V的三极管导通电压时，发射结没有导通，三极管工作在截止状态，没有放大作用。
放大区：发射结正偏，集电结反偏。发射结加正向电压（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），集电结加反向电压。导通后，基极电流��控制集电极电流��。��与��近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，会引起集电极大的信号电流输出。
饱和区：发射结和集电结都正偏。三极管工作在放大状态后，再继续增加基极电流 �� ，集电极电流��随之增加。当集电结电流��增大到一定程度时，再增大��，��也不会增大，三极管工作区越过放大区，进入了饱和区。
三极管的放大作用的含义：
集电极电流受基极电流的控制，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。
状态    uBE    iC    uCE
截止    ＜Uon    ICEO    VCC
放大    ≥ Uon    βiB    ≥ uBE
饱和    ≥ Uon    ＜βiB    ≤ uBE
4.温敏特性

和二极管一样，温度对晶体管特性存在影响

四、三极管的主要参数

1.直流参数：�~、 �¯ 、ICBO、 ICEO
�~=����
2.交流参数：β、α等等
3.极限参数：
最大集电极电流 ���
最大集电极耗散功率 ���
集电极发射极间击穿电压 �(��)���

国产半导体器型号的命名方法（摘自国家标准GB249_74）
型号组成    第一部分    第二部分    第三部分    第四部分    第五部分    
用阿拉伯数字表示器件电极数    用字母表示器件的材料和极性    用汉语拼音字母表示器件类型    用数字表示器件序号    用汉语拼音字母表示规格        
符号及意义    2    二极管    A    N型锗材料    P    普通管
B    P型锗材料    V    微波管
C    N型硅材料    W    稳压管
D    P型硅材料    C    参量管
3    三极管    A    PNP锗材料    Z    整流管
B    NPN锗材料    L    整流管
C    PNP型硅材料    S    隧道管
D    NPN型硅材料    N    阻尼管
E    化合物材料    U    光电器件
K    开关器
X    低频小功率管
G    高频小功率管
D    低频大功率管
A    高频大功率管
T    半导体闸流管
Y    体效应器件
B    雪崩管
J    阶跃恢复管
CS    场效应器
BY    半导体特殊器件
FH    复合管
PIN    PIN型管
JG    激光器件
数字三极管

数字三极管：Digital Transistor。是内部已经集成了电阻的三极管，属于集成电路元件。俗称带阻三极管，也就是内部自带电阻，常用来做电子开关，和同反相器功能相同。
这样做的好处是，集成度高，省掉了外围电阻的组装，方便、减少用户的使用成本。但是数字三极管配的电阻一般都是固定的，和普通三极管相比，使用灵活性要稍微差一些。

电阻集成：一般集成一到两个电阻。有的仅在基极上串联一只电阻, 一般称为R1； 有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2 。电阻R1 与电阻R2 可按多种方式搭配，因此数字晶体管的品种很多。