从0到1入门STM32最小系统板(2-1)——绘制原理图之器件选型

从0到1入门STM32最小系统板——绘制原理图之器件选型

本次我们选择的芯片是STM32F446RET6,使用立创EDA进行原理图绘制。

0.芯片

芯片的选型在本篇中先不讲解了,先挖一个坑,等过一阵详细单独写一篇博客讲一下。

网站用这个:STM32 | 产品 | STM32 | MCU单片机 | 意法半导体STM | STMCU中文官网

整体思路是STM32官网+STM32CubeMX+立创商城,详细的等以后细聊。

芯片这里我选择的是STM32F446RET6。打开立创EDA,新建工程后,打开原理图。按按Shift+F快捷键打开器件库,输入“STM32F446RET6”进行搜索,结果如下:
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点击图片进入立创商城,下载其数据手册,数据手册一定要保存好,一定要好好查阅,笔者的建议是单独放在一个文件夹中以备查看。回到EDA,点击放置,找到合适的位置,左键进行放置,右键取消放置。如下所示:
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我们修改其位号,并将电源引脚、时钟引脚等引出:

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1.电源电路

1.1.电源芯片

我们一般使用USB接口对开发板直接进行供电,然而USB接口输入电压为5V,超过了芯片电压3.3V,因此为了让板子正常工作,我们需要将其进行降压,一般使用LDO来实现这个功能。

LDO即low dropout regulator,是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器,如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5V转3.3V,输入与输出之间的压差只有1.7v,显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况,芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。(来源百度百科)

常用的型号有AMS1117-3.3和LM1117-3.3等,当然也可以选择其他更合适的芯片。我们在立创EDA中按Shift+F快捷键打开器件库,输入“LDO 3.3”进行搜索,在筛选中选择“线性稳压器(LDO)”,并应用筛选,如下图所示:

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LDO一般没有特别的要求,只需要注意最大输入电压即可。笔者初步选择的是C347376这款,进入立创商城:
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最大输入电压是8V,我们USB输入的是5V,够用。下载其数据手册查看参考电路设计:
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VIN和VOUT和地之间都连了一个电容,C1的作用有2:

  1. 第一个作用是滤波,可以滤除VIN中的噪声;
  2. 第二个作用是可以让VIN的电压缓慢上升,起到一个软启动的效果。当VIN上电以后,C1会先进行充电,充电结束后VIN值变为5V;

C2的主要作用也可以看作是滤波。

回到立创EDA,点击放置,找你喜欢的位置单击鼠标左键放置,然后右键取消放置。到这里还没有结束,我们还需要根据数据手册上的基本电路放置两个电容,再次按Shift+F打开器件库搜索“1uf 50v”,在筛选中类型选择“贴片电容(MLCC)”,封装选择“0603”,品牌选择“村田”、“三星”、“国巨”和“风华”四个常用品牌,并应用筛选,如下图所示:
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第一个3分钱,价格可以,简单看一看参数可以用,点击放置,在相应位置放置两个电容,如下图所示:

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选中LDO,空格两下进行翻转,然后先给VIN接VCC,VOUT接+3.3V,VSS接地:

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然后我们再把两个电容接入原理图中:

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注意要调整一下注释到合适的位置,同时注意改一下位号便于阅读。

1.2.去耦电容

去耦电容存在的意义最主要是为了去除电源的噪声,想更充分了解去耦电容可以移步B站大佬圈圈的视频大小不合适?位置不对?退耦电容将怎样影响电路工作_哔哩哔哩_bilibili。那我们去耦电容的大小如何进行选择呢?

打开芯片的数据手册,找到电特性Electrical characteristics一章,可以找到供电方案Power supply scheme,如下所示:

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可以看到VDD和地之间是由数个100nF和一个4.7uF的电容连接:
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具体多少个100nF是视我们有多少个VDD需要用而定的,比如我们现在有6个VDD,那我们就需要6个100nF的电容。我们按照上文中同样的方法选择100nF的电容,综合考虑价格、封装、精度、库存等因素进行筛选,最终选择C14663这一款电容。然后笔者又用同样的方法选择了C69335这一款电容。**元器件的选型没有固定的,需要看自己的需求!需要看自己的需求!**笔者这里只是为了方便一些没有自己选择过元器件的人,提供一个选型的思路!

我们把元器件放到原理图中,但是摆放太乱了:

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这时候可以使用EDA自带的布局功能使其等距分布,快捷键Ctrl+Shift+H,效果如下:

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连线,摆放一下位号:

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这里需要注意的是模拟地GNDA和数字地GNDD是不同的,需要分开,二者可以通过一个0Ω电阻进行连接,这里笔者选用的是C21189:
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2.晶振

2.1.晶振选型

我们这里选用的是8MHz无源晶振,经过9倍频即可达到72MHz。我们搜索“8mhz”,筛选“无源晶振”,笔者最终选择的是C403948,大家可以自己进行选择。

2.2.电容计算

打开数据手册,需要找到其负载电容:

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即12pF。

这里需要补充一个公式:
C f = C d ∗ C g C d + C g + C i c + Δ C C_f=\frac{C_d*C_g}{C_d+C_g}+C_ic+\Delta C Cf=Cd+CgCdCg+Cic+ΔC
其中: C f C_f Cf是负载电容, C d C_d Cd C g C_g Cg是两个脚上的对地电容, C i c C_ic Cic是集成电路内部电容, Δ C \Delta C ΔC是PCB上电容。 C i c + Δ C C_ic+\Delta C Cic+ΔC是定值,大概是3-5pF。由于两个脚上的对地电容 C d C_d Cd C g C_g Cg值相等,因此可以化简为:
C f = C d 2 2 C d + C i c + Δ C = C d 2 + C i c + Δ C C_f=\frac{C_d^2}{2C_d}+C_ic+\Delta C=\frac{C_d}{2}+C_ic+\Delta C Cf=2CdCd2+Cic+ΔC=2Cd+Cic+ΔC
负载电容 C f C_f Cf已知,则可求得两个脚上的对地电容 C d C_d Cd C g C_g Cg值为:
C d = C g = 2 ∗ [ C f − ( C i c + Δ C ) ] C_d=C_g=2*[C_f-(C_ic+\Delta C)] Cd=Cg=2[Cf(Cic+ΔC)]
我们小PCB C i c + Δ C C_ic+\Delta C Cic+ΔC的值取3pF即可。因此可以得出:
C d = C g = 18 p F C_d=C_g=18pF Cd=Cg=18pF

2.3.晶振原理图

放置电容,筛选两个18pF的电容,笔者选择的是C107040,放置两个后进行原理图绘制,如下所示:

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3.下载电路

STM32的下载有多种方式,为了节省空间,我们选择SWD下载模式,该模式只需要4根线,分别为SWDIO、SWCLK、GND和3.3V。有关下载的部分在这里挖个坑,以后要是发了文章再回来填上这个坑,这里就不再讲了。

3.1.接线端子

我们需要选择一个4pin的接线端子,用于连接ST-Link。我们搜索“4pin”,筛选选择“线对板/线对线连接器”和“插件,P=2.54mm”,如下所示:

在这里插入图片描述

然后按自己的需求进行挑选即可,我选择的是C2905435,大概长这个样子:

在这里插入图片描述

3.2.SWD原理图

放置到合适的位置,然后四根线分别接GND、3.3V、SWDIO和SWCLK,接好后如下图所示:

在这里插入图片描述

但是问题来了,在芯片中,并没有标注SWDIO和SWCLK:

在这里插入图片描述

所以我们还需要去芯片数据手册中查找到底要接在哪个IO口上。搜索SWDIO,很轻松找到了相应的IO口:

在这里插入图片描述

我们在原理图上标注好引脚的网络号:

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4.复位电路

复位电路相对简单,可以选择有按键复位也可以选择无按键复位。我们这里设计一个有按键复位的电路。

4.1.简易复位电路

我们首先先将基础的复位电路画好。基础的复位电路需要一个电阻和一个电容,组成一个RC电路,电容起到一个软启动的作用,在上电之后,电容先进行充电,缓慢达到3.3V。当电容的充电时间大于芯片复位所要求的时间时,就可以完成复位。这里采用的电阻是10K,选项为C25804,电容是0.1uF,与之前用的相同。电路设计如下:

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4.2.按键设计

如何通过按下按键实现复位呢?按下按键以后RST变为低电平,松开按键以后给重新进行电容充电实现软启动,从而进行复位。因此,我们的按键应该接在RST和GND中间。按键选型没有太多要求,笔者搜索的是“按键”,筛选类目选择“轻触开关”,封装/规格选择“SMD”。最终选择了C83206这一款按键,原理图更改如下:

在这里插入图片描述

5.检查

5.1.人工检查

5.1.1.VDD,VDDA

我们发现在绘制的时候还没有将+3.3V,VDD,VDDA统一,补充如下:

在这里插入图片描述

由于我们不使用备用电源,VBAT也要接到VDD上:

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5.1.2.VSS

在芯片中没有将VSS标明,进行补充如下:

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5.1.3.BOOT0,BOOT1

发现还没有设置BOOT0和BOOT1为0,但是芯片中并没有直接标明BOOT1,只标注了BOOT0,我们打开手册搜索一下BOOT1即可:

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将BOOT1从芯片中引出:
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我们将两个引脚下拉:
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下拉的原因是为了设置单片机的启动模式,如下表所示:

在这里插入图片描述

一些单片机是通过跳线帽来选择启动方式,我们为了简洁,就不再设置跳线帽了,直接都置0。

5.2.立创检查

点击设计,点击检查DRC:

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为了便于观察,我们首先清空,然后再次检测DRC:

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5.2.1.警告

先查看警告:

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意思说一串引脚悬空,这是指芯片上没有用到的引脚,我们把它们都打叉,示例如下:

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所有没有用到的引脚都这样操作即可,所有引脚都打叉后清空记录,重新进行检查:

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警告已经全部修改结束了。

5.2.2.错误

在这里插入图片描述

两个错误都是在这一部分,这一部分我在立创社区电子工程师交流社区_电子发烧友论坛_嘉立创&立创商城旗下专业电子论坛【立创社区】 (szlcsc.com)搜索到了两种解决办法,原贴原理图中经常需要将两个PowerPort短接,专业版短接后会报错 - 立创社区 (szlcsc.com)

方法一:修改设计规则。在设计中打开设计规则:

在这里插入图片描述

特殊符号含有“全局网络名”属性时,所连导线的名称需要与“全局网络名”的值一致这一项取消检查即可。

在这里插入图片描述

设置好后清空日志,重新检查一下,已经没有错误了:

在这里插入图片描述

方法二:不使用特殊符号,使用导线添加网络名,如下所示:

在这里插入图片描述

这样也可以达到效果,无错误:
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个人觉得方法二还是更合适一些,不用修改设计规则,而且也同样非常明晰。

6.注意事项

  1. 遇到问题可以从立创论坛上电子工程师交流社区_电子发烧友论坛_嘉立创&立创商城旗下专业电子论坛【立创社区】 (szlcsc.com)搜索答案,作为新手第一次使用立创EDA进行画图还是难免会有很多奇奇怪怪的问题,论坛上说不定就有其他人也有过类似的问题。比如笔者在做这个原理图时就是通过论坛才搜到了错误的解决办法;
  2. 如果问题没有搜到结果,可以询问立创的技术支持,注册账号绑定微信后应该会有技术人员加好友的;
  3. 保存好数据手册,手册占不了特别多的空间,主要是便于查阅;
  4. 到这里最小系统板的原理图已经绘制完成了,但是还需要进行原理图布局,使得别人在阅读原理图时更加方便。笔者计划在下一篇中再加几个其他的设计,所有设计都完成后再进行布局。
<think>好的,用户想了解MOS管的原理图绘制方法。首先,我需要回忆关于MOS管在电路设计中的基本应用和常见原理图符号。根据引用[4],MOS管并联使用时需要考虑驱动极的阻抗匹配,这可能涉及到原理图中如何正确连接栅极电阻和布局。 用户的问题可能包括如何正确表示MOS管的三个极(栅极、源极、漏极),以及不同工作状态下的符号区别,比如增强型和耗尽型,N沟道和P沟道。此外,驱动电路的设计是关键,比如引用[4]提到的栅极串联电阻的选择,需要在原理图中明确标注电阻值,确保驱动信号的稳定性。 另外,用户可能关心实际应用中的设计案例,比如自动冷启动电路中的MOS管使用,如引用[2]提到的51核心板设计。这时候需要展示具体的原理图部分,说明MOS管如何与其他元件如CH340N芯片配合,实现硬件流控制。 还要注意安全问题,引用[4]强调MOS管并联时的均流措施,原理图中应体现均流电阻或平衡网络。这部分需要详细说明如何布局这些元件,以确保各MOS管工作在安全区。 用户可能还希望了解常见的错误画法,比如未正确连接体二极管或忽略寄生电容的影响。因此,在回答中需要指出这些注意事项,帮助用户避免设计失误。 最后,结合历年真题和模拟题中的原理图设计(引用[3]),可以建议用户多参考实际案例,积累经验。同时,推荐使用专业EDA工具,如Altium Designer,来规范绘制流程,确保符号和连接符合行业标准。</think>### MOS管原理图绘制方法 在电子电路设计中,MOS管的原理图绘制需遵循符号规范与电路功能需求。以下是关键步骤和注意事项: #### 1. **符号识别与选择** - MOS管分为N沟道和P沟道两种类型,符号中箭头方向表示电流流向。例如,N沟道MOS管的箭头指向栅极外侧,P沟道则指向内侧[^4]。 - 增强型与耗尽型MOS管的符号差异需注意:增强型符号的栅极与沟道间用虚线连接,耗尽型用实线。 #### 2. **基本驱动电路设计** - **栅极驱动电阻**:为抑制寄生振荡,栅极需串联电阻(通常$R_g=10\Omega$至$100\Omega$),如图1所示: ``` VCC ──R_g───┳━ G ┗━ MOSFET ``` - **保护二极管**:在感性负载中,漏极与源极间需并联续流二极管。 #### 3. **并联应用设计** 当需要大电流时,多个MOS管可并联,但需保证均流: - **栅极阻抗匹配**:每个MOS管的栅极独立串联电阻,避免驱动信号延迟差异。 - **源极平衡电阻**:在源极路径添加小阻值电阻(如$0.1\Omega$),平衡静态电流分布。 #### 4. **应用实例:自动冷启动电路** 引用[2]提到的51核心板设计中,MOS管用于控制电源通断: ```plaintext USB供电 ──┬─ CH340N的VCC └─ MOSFET栅极驱动电路 ── 单片机电源 ``` - 当USB插入时,MOS管导通,为单片机供电;拔出时通过下拉电阻快速关断。 #### 5. **注意事项** - **体二极管方向**:原理图中需体现MOS管内部体二极管,避免反向电压损坏。 - **寄生参数标注**:高频应用中,应标注$C_{gs}$、$C_{gd}$等寄生电容,辅助仿真分析[^4]。 - **散热标识**:大功率场景下,需用注释或特殊符号标注散热片连接点。
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