1. EEPROM
EEPROM是“electrically erasable, programmable, read-only”(电可擦写可编程只读存储器)的缩写。 DRAM断电后存在其中的数据会丢失,而EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失。 另外,EEPROM可以清楚存储数据和再编程,也就是说EEPROM数据是可以覆写的。如Write(add1,ptr1,len1),add1为写入地址,ptr1为需要写入次地址数据的指针,len为数据的长度。但需要改变add1处的值为ptr2时只需要简单的把ptr2值在直接写入Write(add1,ptr2,len2)。因为EEPROM的容量一般比较小,所以的写入速度很快
2. Flash
Flash是一种基于半导体的存储器,具有系统掉电后仍可保留内部信息,及在线擦写等功能特点,是一种替代EEPROM存储介质的新型存储器。因为它的读写速度比EEPROM更快,在相同容量的情况下成本更低.
Flash写:由1变为0,变为0后,不能通过写再变为1。
Flash擦除:由0变为1,不能只某位单元进行擦除。
Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除。块擦除是把某一擦除块的内容都变为1,芯片擦除是把整个Flash的内容都变为1。通常一个Flash存储器芯片,分为若干个擦除block,在进行Flash存储时,以擦除block为单位。
当在一个block中进行存储时,一旦对某一block中的某一位写0,再要改变成1,则必须先对整个block进行擦除,然后才能修改。
3. 使用Flash模拟EEPROM的目的就是为了省掉EEPROM节约成本。
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