1、首先从IO引脚占用方面比较,EEPROM只需占用两个IO引脚,时钟(clk)和数据(data)引脚,外加电源三个引脚即可,符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多IO引脚,有并行和串行的,串行的需要一个片选(cs)引脚(可用作节电功耗控制),一个时钟(clk)引脚,FLASH读出和写入引脚各一个,也就是四个。并行的需要8个数据引脚,当然比串行的读写速度要快。
EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的,很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是,FLASH对芯片提供大块或整块的擦除,这就降低了设计的复杂性,它可以不要 EEPROM单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集成度,大容量,另FLASH的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。 其实对于用户来说,EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是 1。EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。 2。EEPROM 一般容量都不大,如果大的话,EEPROM相对与FLASH 就没有价格上的优势了。市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下,而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。 3。读的速度的话,应该不是两者的差别,只是EERPOM一般用于低端产品,读的速度不需要那么快,真要做的话,其实也是可以做的和FLASH差不多。 4。因为EEPROM的存储单元是两个管子而FLASH 是一个(SST的除外,类似于两管),所以CYCLING 的话,EEPROM比FLASH 要好一些,到1000K次也没有问题的。 总的来说,对与用户来说,EEPROM和FLASH没有大的区别,只是EEPROM是低端产品,容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH要好一些。 但对于EEPROM和FLASH的设计来说,FLASH则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。 Flash memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适,因为RAM需要能够按字节改写,而Flash ROM做不到。 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 SRAM 是Static Random Access Memory的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。"静态"是指只要不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM(DRAM)不同,DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是一种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。"随机访问"是指存储器的内容可以以任何顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。 |
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别
最新推荐文章于 2024-03-08 13:11:31 发布
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