AVR STUDIO6 EEPROM两种方法分析

本文介绍了在AVR Studio6中使用GCC进行EEPROM读写操作的两种方法。第一种是直接通过地址进行读写,第二种是声明变量存储在EEPROM中。在同一个程序中同时使用两种方法可能导致直接操作无效。文中还提供了示例代码进行说明。
摘要由CSDN通过智能技术生成

  刚刚从ICCAVR转到WINAVR,使用起来非常不习惯,在ICC中EEPROM的读写程序,我都是根据手册来编写的。

在“芯艺”的“AVR单片机GCC程序设计”中,提到,要使用EEPROM,在GCCAVR中,有两种方法可以实现。

1、直接通过地址的方式来读和写操作

       写操作:  eeprom_write_byte(0,a);

        说明: 直接向EEPROM地址0写个数据a.

      读操作:unsigned char val=eeprom_read_byte(0);

     说明:读EEPROM地址0的数据到val.

2、通过预先声明一个数据是存储在EEPROM中:uint8_t val __attribute__((section(".eeprom")));

       写操作:  eeprom_write_byte(&val,a);

        说明: 如上面声明的话,那么val值存储的地址是由系统默认的,并不知道具体的地址。

       读操作:unsigned char val=eeprom_read_byte(&val);

3、1和2

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