GT2440 nandflash

GT2440 开发板用的是s3错440 的芯片 这里基于这块板子，进行nandflash的操作（这里仅仅是读写操作）。

nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来，以便以后不再使用该坏块。nandflash没有地址或数据总线，如果是8位nandflash，那么它只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以page（页）为单位进行读写，以block（块）为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区，main区用于正常数据的存储，spare区用于存储一些附加信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。

 
       三星公司是最主要的nandflash供应商，因此在它所开发的各类处理器中，实现对nandflash的支持就不足为奇了。s3c2440不仅具有nandflash的接口，而且还可以利用某些机制实现直接从nandflash启动并运行程序。本文只介绍如何对nandflash实现读、写、擦除等基本操作，不涉及nandflash启动程序的问题。
 
       在这里，我们使用的nandflash为K9F2G08U0A，它是8位的nandflash。不同型号的nandflash的操作会有所不同，但硬件引脚基本相同，这给产品的开发带来了便利。因为不同型号的PCB板是一样的，只要更新一下软件就可以使用不同容量大小的nandflash。
 

K9F2G08U0A的一页为（2K＋64）字节（加号前面的2K表示的是main区容量，加号后面的64表示的是spare区容量），它的一块为64页，而整个设备包括了2048个块。这样算下来一共有2112M位容量，如果只算main区容量则有256M字节（即256M×8位）。要实现用8个IO口来要访问这么大的容量，K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。第一个周期访问的地址为A0~A7；第二个周期访问的地址为A8~A11，它作用在IO0~IO3上，而此时IO4~IO7必须为低电平；第三个周期访问的地址为A12~A19；第四个周期访问的地址为A20~A27；第五个周期访问的地址为A28，它作用在IO0上，而此时IO1~IO7必须为低电平。前两个周期传输的是列地址，后三个周期传输的是行地址。通过分析可知，列地址是用于寻址页内空间，行地址用于寻址页，如果要直接访问块，则需要从地址A18开始。

代码如下：

/* NAND FLASH控制器 */
#define NFCONF (*((volatile unsigned long *)0x4E000000))
#define NFCONT (*((volatile unsigned long *)0x4E000004))
#define NFCMMD (*((volatile unsigned char *)0x4E000008))
#define NFADDR (*((volatile unsigned char *)0x4E00000C))
#define NFDATA (*((volatile unsigned char *)0x4E000010))
#define NFSTAT (*((volatile unsigned char *)0x4E000020))
#define rNFMECCD0 (*((volatile unsigned char *)0x4E000014))
#define rNFMECCD1 (*((volatile unsigned char *)0x4E000018))
#define rNFSECCD  (*((volatile unsigned char *)0x4E00001C))
#define rNFESTAT0 (*((volatile unsigned char *)0x4E000024))
#define rNFESTAT1 (*((volatile unsigned char *)0x4E000028))

void nand_select(void)
{
NFCONT &= ~(1<<1);
}

void nand_deselect(void)
{
NFCONT |= (1<<1);
}

void nand_cmd(unsigned char cmd)
{
volatile int i;
NFCMMD = cmd;
for (i = 0; i < 10; i++);
}

void nand_addr(unsigned int addr)
{
unsigned int col  = addr % 2048;
unsigned int page = addr / 2048;
volatile int i;
NFADDR = col & 0xff;
for (i = 0; i < 10; i++);
NFADDR = (col >> 8) & 0xff;
for (i = 0; i < 10; i++);
NFADDR  = page & 0xff;
for (i = 0; i < 10; i++);
NFADDR  = (page >> 8) & 0xff;
for (i = 0; i < 10; i++);
NFADDR  = (page >> 16) & 0xff;
for (i = 0; i < 10; i++);
}

void nand_wait_ready(void)
{
while (!(NFSTAT & 1));
}

unsigned char nand_data(void)
{
return NFDATA;
}

void nand_wdata(unsigned char data)
{
NFDATA = data;
}

void delay(char date)
{
int i ;
for(i = 0;i<100;i++)
while(date){date--;}
}
void nand_init ( void )
{
#define TACLS   0
#define TWRPH0  1
#define TWRPH1  0
NFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4);
NFCONT = (1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
}

void nand_write(unsigned int addr, unsigned char buf)
{
nand_select();
nand_cmd(0x80);
nand_addr(addr);
nand_wdata(buf);
nand_cmd(0x10);
delay(1000);    
nand_cmd(0x70);
nand_deselect();
}

void nand_read(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len)
{
int col = addr % 2048;
int i = 0;
/* 1. 选中 */
nand_select();

while (i < len)
{
/* 2. 发出读命令00h */
nand_cmd(0x00);
/* 3. 发出地址(分5步发出) */
nand_addr(addr);
/* 4. 发出读命令30h */
nand_cmd(0x30);
/* 5. 判断状态 */
nand_wait_ready();
/* 6. 读数据 */
for (; (col < 2048) && (i < len); col++)
{
buf[i] = nand_data();
i++;
addr++;
}
col = 0;
}

/* 7. 取消选中 */
nand_deselect();
}