光刻中的运动控制参数

光刻机的三大指标：分辨率、套刻精度和产片率。国际上最先进的光刻机ASML公司的EUV光刻机NXE3600D，采用极紫外光源。国内量产机型为90nm，大幅落后国际先进水平。

指标	ASML DUV NXT 2050i	ASML EUV NXE 3600D	上海微电子 SSA 600/20
分辨率	<38nm	<13nm	90nm
套刻精度	2.5nm	1.4nm	——
产片率	295wph	160wph	——

提高分辨率途径：（1）减小光源波长；（2）增加浸液系统。光刻机经历了g-line→i-line→KrF→干式ArF→浸没式ArF→EUV。

套刻精度和产片率则主要和光刻机中的超精密定位平台性能有关。

光刻机主要包括：光源系统、浸液系统、光学系统、工件台掩模台系统。其中工件台掩模台为光刻机中的超精密定位平台。

工件台用于承载硅片，掩模台用于承载掩模板，实现对准、调平调焦、步进和扫描曝光的功能。由于存在光学特性（4:1缩放），工件台精度高于掩模台，掩模台速度高于工件台。工件台功能及难度高于掩模台，以下主要介绍工件台。

工件台的动态指标：速度、加速度、加加速度、加加加速度、稳定时间、换台时间。上述指标直接决定光刻机产片率。工件台的精度指标：移动标准差（MSD），移动平均差（MA）。MA影响光刻线宽、MSD影响套刻精度。</