光刻机的三大指标:分辨率、套刻精度和产片率。国际上最先进的光刻机ASML公司的EUV光刻机NXE3600D,采用极紫外光源。国内量产机型为90nm,大幅落后国际先进水平。
指标 | ASML DUV NXT 2050i |
ASML EUV NXE 3600D |
上海微电子 SSA 600/20 |
分辨率 | <38nm | <13nm | 90nm |
套刻精度 | 2.5nm | 1.4nm | —— |
产片率 | 295wph | 160wph | —— |
提高分辨率途径:(1)减小光源波长;(2)增加浸液系统。光刻机经历了g-line→i-line→KrF→干式ArF→浸没式ArF→EUV。
套刻精度和产片率则主要和光刻机中的超精密定位平台性能有关。
光刻机主要包括:光源系统、浸液系统、光学系统、工件台掩模台系统。其中工件台掩模台为光刻机中的超精密定位平台。
工件台用于承载硅片,掩模台用于承载掩模板,实现对准、调平调焦、步进和扫描曝光的功能。由于存在光学特性(4:1缩放),工件台精度高于掩模台,掩模台速度高于工件台。工件台功能及难度高于掩模台,以下主要介绍工件台。
工件台的动态指标:速度、加速度、加加速度、加加加速度、稳定时间、换台时间。上述指标直接决定光刻机产片率。工件台的精度指标:移动标准差(MSD),移动平均差(MA)。MA影响光刻线宽、MSD影响套刻精度。</