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半导体二极管半导体二极管的伏安特性半导体二极管的核心是一个PN结，其伏安特性与PN结伏安特性基本相同。正向特性只有当正向电压大于一定数值后，才有明显的正向电流。使正向电流从零开始明显增长的外加电压叫做开启电压或者阈值电压，室温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，锗二极管的开启电压约为0.2V。当正向电压大于开启电压之后，正向电流按指数规律增大，二极管呈现充分导通状态。硅二极管的正向导通压降为0.6-0.8V，锗二极管的正向导通压降为0.1-0.3V。在外加正向电压相同的情况下，二极管的正向电流

PN结特性PN结的单向导电性PN结加正向电压外加电源的正极接到PN结的P端，负极接到PN结的N端。此时外加电场和内电场方向相反，使得扩散作用加强，漂移运动减弱，扩散电流大于漂移电流，PN结内的电流主要由扩散电流决定（正向电流），空间电荷区数目减少，空间电荷区变窄，内电场减弱。正偏的PN结表现为一个很小的电阻。PN结外加反向电压外加电源的正极接到PN结的N端，负极接到PN结的P端。此时外加电场和内电场方向相同，扩散作用减弱，漂移运动加强，扩散电流低于漂移电流，PN结内的电流主要由少子的漂移

PN结PN结的形成如果在本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在N型区和P型区的交界处会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN结。扩散运动建立了空间电荷区和内电场浓度差-----扩散运动-----扩散电流P区的多子空穴向N区扩散，与N区的电子复合，在P区一侧留下不能移动的负离子薄层；N区的多子自由电子向P区扩散，与P区的空穴复合，在N区一侧留下不能移动的正离子薄层；交界面两侧不能移动的薄层称为空间电荷区。扩散作用越强，空间电荷区越宽，内电场增强，方向由N区指向

半导体基础知识物质按照其导电能力可以分为导体、半导体和绝缘体三种类型，导电能力介于导体和绝缘体之间的物质叫做半导体。本征半导体:高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge）。//均为四价元素，在组成本征半导体时，硅（锗）原子按一定规律整齐排列，组成一定形式的空间点阵。每个硅（锗）原子最外层的4个价电子与相邻的4个硅（锗）原子的各一个价电子形成4对共价键结构。共价键中的电子受两个原子核引力的束缚，使得每个硅（锗）的最外层形成拥有8个共有电子的稳定结构。本征半