小青菜哥哥-CSDN博客

原创 151，原子核物理实验方法篇_NIM电子学功能模块

从机械角度来说，NIM 电子学功能模块的最小标准宽度必须为1.35 英寸（3.43 厘米），高度必须为 8.75 英寸（22.225 厘米）。供电则通过其后面板的连接器提供，该连接器安装到NIM机箱中相应的连接器中。除了这些机械尺寸限制和电源电压之外，个人可以自由的以任何想要的方式设计自己的功能模块，从而允许新的电子学功能开发和改进。

2024-03-05 22:43:33 252

为核物理和高能物理的电子学测量系统建立的第一个（也是最简单的）标准是被称为NIM（Nuclear Instrument Module）的模块化系统。在该系统中，基本电子设备，例如放大器、甄别器等，根据标准机械和电气规范以电子学功能模块的形式构建。用户只需收集必要的模块（例如用于简单计数系统的放大器、甄别器和定标器），将它们安装在NIM机箱中并相应地布线，即可轻松创建针对给定应用的特定核电子学测量系统。实验结束后，这些模块可以转移到另一个NIM系统，例如，或者重新排列和/或与其他模块组合以用于另一个应用。

2024-03-05 22:43:07 151

原创 149，原子核物理实验方法篇_频域和带宽

因此，为了使电子设备正确地处理f(t)信号中包含的信息，该设备必须能够对无限范围的频率做出一致的频率响应。图1中绘制了g(w)与频率f的关系，负频率f代表复频域里的虚数，在这里没有意义，这里只关注正频率。我们可以看出，f(t) 包含从0到∞的连续频率分量频谱。曲线从最大值下降到-3dB点之间的频率范围定义为电路的频率响应带宽，其代表电路可接受的频率范围，在此范围之外的频率分量将被衰减或截止。的位置了，也就是半功率点，对应的带宽就是信号功率在减少至其一半以前的频带宽度，表示在该带宽内集中了信号一半的功率。

2024-03-05 22:42:50 352

原创 148，原子核物理实验方法篇_模拟与数字信号

作为一般规则，来自辐射探测器的模拟信号有时会在核电子处理链中转换为逻辑信号，例如探测器信号通过电压甄别器处理，该甄别器甄别最小高度的信号幅度。由于在核电子学中，脉冲高度和能量之间的比例通常是线性的，因此这些脉冲也称为线性脉冲。虽然在某种意义上，逻辑信号比模拟信号携带更少的信息，但从技术角度来看，它更可靠，因为它不需要完美地保留信号的精确幅度或形式。例如，来自盖革-米勒计数器的信号本质上有两种状态：存在或不存在，其代表的信息很简单：是，检测到辐射，或者否，未检测到辐射，不可能再有更精细的区分。

2024-03-05 22:41:42 321

原创 147，原子核物理实验方法篇_核脉冲信号术语简介

我们所需的核信息可能包含在电流或电压浪涌的一个或多个特征中，例如其极性、幅度、形状、其相对于另一个脉冲的发生时间，或者仅仅是其脉冲存在与否。与其他系统（例如正弦信号的幅度或频率调制）相反，这种信息模式在核物理学和粒子物理学中是很自然的，因为正如我们所见，大多数现代粒子探测器都是脉冲式设备。6) 上升时间（Rise Time）：指的是脉冲从其振幅的10%上升到90%所需的时间。2) 脉冲高度或幅度（Pulse Height or Amplitude）：指的是脉冲从其最大值到低于该峰值的瞬时基线之间的高度。

2024-03-05 22:41:15 428

原创 146，原子核物理实验方法篇_半导体探测器的等离子效应

实际上，这些具有高电离能力的粒子沿着其入射轨迹产生密集的空间电荷云，局部抵消了外部施加的电场，因此云中的电荷不会立即被扫出。对于电离度非常高的粒子，即重离子、裂变碎片等，半导体中产生的高密度电子空穴对会导致空间电荷现象，从而影响输出信号的上升时间和脉冲高度。1) 由于电荷云的存在，有效收集电场强度实际上很低，脉冲的上升时间要慢得多。2) 在延迟期间，云中的电子和空穴有时间重新组合，使得收集到的总电荷少于产生的电荷，这导致所谓的脉冲高度缺陷。

2024-02-24 10:48:11 107

原创 145，原子核物理实验方法篇_半导体探测器的辐射损伤

入射辐射粒子与半导体晶格原子碰撞，通过将晶格原子“撞”出正常位置而导致点位缺陷。这些结构缺陷随后在禁带能隙中产生离散的俘获能级，从而减少了半导体中载流子的数量。此外，材料本身的电阻率似乎也发生了变化。在受损更严重的探测器中，能谱中也出现了双峰。然而，如果损坏不太大，则通过增加偏置电压来减少收集时间可以在一定程度上补偿能量分辨率损失。

2024-02-24 10:48:05 338

原创 144，原子核物理实验方法篇_半导体探测器温度影响

然而，在冷却之前应首先考虑安装材料的膨胀系数，如果材料不能承受低温，则可能会破裂。另一点需要注意的是，当从室温到液氮温度时，硅的禁带能隙增加约0.1 eV。因此，对于相同增益的读出电子学，在这两个温度下得到的能谱之间会存在轻微的变化。对于硅探测器来说，温度升高也会导致更高的漏电流和更大的噪声。硅的最高温度限制通常在45°至50°C之间，温度过高会发生击穿。

2024-02-24 10:48:00 204

原创 143，原子核物理实验方法篇_半导体探测器输出信号放大

由于半导体探测器的结电容随温度变化，因此首先需要使用电荷灵敏前置放大器，该前置放大器是继探测器本身之后的半导体探测器系统的第二重要部分。由于典型的探测器电容约为数十pF，因此前置放大器的电容一般为几十纳法的量级。然而，对于非常薄的SSB，探测器电容可以接近1或2 nF，在这种情况下，需要更高的前置放大器电容才能获得最佳能量测量性能。然而，不便之处在于探测器的两个电极都不处于地电位，这意味着在设计探测器机械结构时需要进行一些额外的工作以确保良好的绝缘。前置放大器的噪声尤其重要，因为它影响探测器的最终分辨率。

2024-02-24 10:47:52 267

原创 142，原子核物理实验方法篇_半导体探测器偏置电压设置

施加电压时，我们应缓慢进行，一次将电压升高几十伏，并让探测器在每个步骤后“稳定”几秒钟。如果噪音突然、间歇性增加，则表明出现故障，应缓慢进行，以留出更多的稳定时间。如果噪声突然大幅增加，则表明已发生击穿，应立即关闭电压，以防止造成不可逆转的损坏。正如前面博客所描述的半导体探测器原理，偏置电压决定耗尽层的厚度以及探测器的电容，反偏电压越高，耗尽层越厚、结电容越小。然而，也会产生更大的故障风险。例如，SSB的典型值范围为 50 - 300 V，而对于锗探测器，这些电压可高达4000 - 4500V。

2024-02-19 12:37:16 140

原创 141，原子核物理实验方法篇_其它类型半导体材料

碲化镉是第一种被开发为室温探测器的材料（硅除外），它的能隙为 1.45 eV，原子序数分别为 48和52。CdZnTe材料则可以简单看做是在碲化镉材料中加入了锌原子（原子序数30）制备而成，它的能隙为 1.57eV，且电阻率大CdTe一两个数量级。这两种材料都能够高效地进行伽马射线探测。碘化汞具有更高的Z（80和53）和2.14 eV的能隙，电子空穴产生的平均能量略高于Si和Ge，约为4.4eV。目前这些领域的研究和开发仍在继续，更好地了解这些材料的物理特性将有助于我们构建更可靠的半导体探测器。

2024-02-19 12:36:25 292

原创 140，原子核物理实验方法篇_锗探测器

高纯锗探测器的优点之一是可以使用n型半导体，而不是锂漂移过程所需的p型半导体，然后可以通过离子注入形成非常薄的窗口，将同轴探测器的灵敏度扩展到10 keV以下，同时这些探测器对辐射损伤的抵抗力也更强。目前，锗探测器可提供从几keV到 10 MeV 伽马射线能量的最高分辨率，图1对此进行了说明，该图将使用 NaI 探测器获取的Co-60能谱与使用HPGe探测器测量的相同能谱进行了比较。锗也可用于带电粒子探测，然而除了其更大的阻止能力之外，它与硅相比没有任何优势，事实上，其由于需要冷却反而变得不利。

2024-02-19 12:36:19 333

原创 139，原子核物理实验方法篇_硅二极管探测器介绍

对于能量测量来说，这是特别不利的，因为该层中损失的能量没有被探测到，另外对可探测到的粒子能量设定了下限。它具有室温操作和广泛可用性的优点，但硅探测器的缺点之一是其尺寸相对较小，尽管目前正在进行一些开发以增加探测器尺寸，但其大小仅限于几十平方厘米的表面积。扩散结的优点是其相对于其他半导体探测器的坚固性以及对探测器表面污染的更强的抵抗力。由于加工过程中会产生一些辐射损伤，因此半导体在使用前必须在约500°C的温度下进行退火，这远低于扩散过程中使用的~1000°C温度，因此载流子寿命受到的影响要小得多。

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原创 138，原子核物理实验方法篇_半导体探测器的输出脉冲

由于电子和空穴的收集时间取决于电荷相对于电极的位置，因此探测器输出的脉冲形状和其上升时间与辐射作用位置密切相关。与气体探测器一样，半导体探测器输出电极上的脉冲是由电荷运动引起的感应电流产生的，而不是电荷本身的收集。为了计算入射辐射产生的脉冲形状，需要了解粒子轨迹、沿轨迹的电离密度、迁移率变化、电场分布等，并将所有这些因素结合起来——这是一项非常复杂的工作！其中μe和μh分别是电子和空穴的迁移率；τ =ρε决定了输出信号的上升时间，ρ为材料电阻率，ε为材料的介电常数，对于硅探测器，典型的τ值为ns量级。

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原创 137，原子核物理实验方法篇_半导体探测器的灵敏度和本征探测效率

对于入射带电粒子，半导体探测器的本征探测效率接近100%，因为很少有粒子无法在灵敏体积中产生一定的电离。灵敏度的限制因素是探测器和相关电子学中的漏电流噪声，这对可探测的脉冲幅度设置了下限。为了确保产生足够大的信号，因此探测器必须选择足够厚的耗尽深度，以便产生足够的电离以形成大于噪声水平的信号。对于伽马射线探测，锗探测器比硅探测器更受欢迎，因为锗的原子序数更高。然而，由于禁带能隙较小，常温下锗半导体的漏电流太高而无法正常工作，必须冷却至液氮温度。

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原创 136，原子核物理实验方法篇_半导体探测器的漏电流

漏电流有几个来源：一是少数载流子的移动，即来自n区的空穴被吸引穿过pn结到p区，而来自p区的电子同样被吸引到n区。第二个来源是由耗尽区区内复合和俘获中心因本征热激发产生的载流子在外电场作用下向两极运动，电流密度约为几个μA/cm2。第三个来源是最大的漏电流来源，即表面漏电流。尽管反向偏置二极管在理想情况下是不导通的，但其实外加电压时，仍然有小的波动电流流过半导体pn结。该电流在探测器输出处表现为噪声，并限制了可观察到的最小信号脉冲高度。

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原创 135，原子核物理实验方法篇_半导体探测器的法诺因子和本征能量分辨率

因此，对于 5 MeV α 粒子，硅的预期本征能量分辨率为 R≈0.07% 或3.5 keV。然而，典型的实验测量分辨率约为18 keV，这表明其他来源（例如电子设备）的贡献对能量分辨率产生了重大影响！半导体探测器的本征能量分辨率和气体探测器类似，取决于载流子的数量和法诺因子。尽管研究人员进行了大量的实验，但硅和锗的法诺因子仍然没有得到很好的确定。

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原创 134，原子核物理实验方法篇_线性度

假设耗尽区足够厚以完全阻止所有入射粒子，则半导体探测器的响应该与能量完全线性。如果E是辐射能量，则应产生数量为E/w的电子空穴对，其中w是平均电离能量。电压V随能量E线性变化。对于较重的离子，会发生等离子体效应，这会影响收集效率并导致具有相同能量的不同粒子产生的电压V存在差异。如果耗尽区小于辐射作用范围，则为非线性响应，因为全部能量并未完全沉积在耗尽区的灵敏体积中，此时测量的是能量损失ΔE，它是能量的非线性函数。因此，对于给定的耗尽深度，能量响应是线性的，直到辐射作用的范围超过该深度为止。

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原创 133，原子核物理实验方法篇_电子空穴对的平均电离能

与气体、闪烁体探测器相比，半导体探测器的主要优点是产生电子空穴对所需的平均能量非常小。与气体电离一样，给定温度下的平均电离能量与辐射的类型和能量无关，仅取决于材料的类型。尽管半导体的平均电离能很小，但前面博客我们也提到过，半导体的禁带能隙宽度实际上仅为1 eV量级。因此很明显，通过辐射沉积的能量中不到1/3实际上用于产生电子空穴对。从表1我们可以看出，对于相同的辐射能量，这些材料中产生的电荷载流子的数量几乎比气体中的要大一个数量级。

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原创 132，原子核物理实验方法篇_结型二极管探测器基本结构

为了能够收集辐射产生的电荷，必须将电极安装在pn结的两侧。事实上，许多金属和半导体之间的接触导致形成具有延伸到半导体中的耗尽区的整流结。为了防止形成这种整流结，在半导体和金属引线之间使用了n+和p+材料的重掺杂层。出于信号隔离的目的，探测器的反向偏置电压是通过串联电阻而不是直接提供的。

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原创 131，原子核物理实验方法篇_PN结反偏

一般来说，pn结固有的电场强度不足以提供有效的电荷收集，并且耗尽区的厚度能仅阻止最低能量的粒子。该电压将具有吸引p区中的空穴远离结区并朝向 p 接触的效果，对于n区中的电子也具有类似的作用。然而，可施加的最大电压受到半导体电阻的限制，电压过高时，pn结会被击穿并开始导电。根据实验测量，无反偏电压的pn结耗尽宽度仅为几十微米，添加数百V的反偏电压后，pn结耗尽宽度可达数毫米！为了获得更大的耗尽宽度，甚至需要更高电阻率的半导体材料，这意味着使用更高纯度的半导体或一些其他补偿材料。图1：pn结反偏示意图。

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原创 130，原子核物理实验方法篇_PN结电容

由于pn结的电气特性，其耗尽层还具有一定的电容，正如我们在稍后博文将看到的，当pn结用作探测器时，该结电容会影响探测器噪声特性。其中A是耗尽区面积，d是耗尽区宽度。其中ρ为耗尽区的电阻率，V0是pn结的接触电位。

2024-02-19 12:35:20 123

原创 129，原子核物理实验方法篇_半导体PN结

正负电荷会在pn结处产生电场梯度，最终抵消了电子和空穴的扩散过程，留下一个不可移动的空间电荷区域。目前所有半导体探测器的功能都基于半导体结的形成，即由p型半导体与n型半导体并置形成的pn结。耗尽区的这一特性对于辐射探测特别有吸引力，进入该区域的电离辐射将产生电子空穴对，然后电子空穴对被电场扫出。由于两种材料之间电子和空穴浓度的差异，空穴最初向n区扩散，电子向p区扩散。之后扩散的电子填充p区中的空穴，而扩散的空穴俘获n侧的电子。由于n和p区域最初是中性的，电子和空穴的扩散和复合导致pn结两侧发生电荷积聚。

2024-02-19 12:35:14 239

原创 128，原子核物理实验方法篇_掺杂半导体

因此，在常温下，该额外电子很容易被激发到导带，从而增强半导体的导电性。额外的空穴还降低了自由电子的正常浓度，使得空穴成为多数载流子，而电子成为少数载流子，这种材料被称为p型半导体。这种平衡状态可以通过引入少量在其原子外层具有一个或多个价电子的杂质原子来改变，对于四价的硅和锗半导体来说，这意味着五价或三价掺杂原子。图1：(a)添加施主杂质以形成n型半导体材料，这些杂质向晶体添加额外电子，并在禁带能隙中产生施主杂质能级 (b) 添加受主杂质以产生p型半导体材料，受主杂质产生过量的空穴和靠近价带的杂质能级。

2024-02-19 12:34:28 287

原创 127，原子核物理实验方法篇_载流子的复合和俘获

然而，由于动量和能量守恒定律，电子和空穴必须具有完全契合的能量和动量值才能发生这种逆向结合，因此，这样的直接复合过程非常罕见。正如我们将看到的，掺杂杂质在非常接近导带或价带的地方产生浅能级，而复合和捕获杂质在禁带中心附近产生深能级。正如我们从图1所见，复合中心也是俘获中心。这些杂质通过在禁带能隙区域增加额外的能级来扰乱能带结构，这些被扰乱的状态可以从导带中俘获电子，然后执行以下操作：（1）在一定的保持时间后，电子被释放回导带，或者（2）在保持期间，它还可以俘获一个空穴，然后与俘获的电子一起复合。

2024-02-18 00:08:47 395

原创 123，原子核物理实验方法篇_半导体能带结构

在导体中，能隙不存在，而在绝缘体中，能隙很大。另一方面，对于导体来说，没有能隙，受热激发的电子很容易跳入导带，在导带中它们可以在晶体内自由移动。因此，当施加电场时，会观察到小电流。然而，如果半导体被冷却，几乎所有电子都会落入价带，半导体的电导率就会降低。能带实际上是许多离散能级的区域，这些能级间隔非常近，可以被视为连续体，而“禁带”能隙是根本没有可用能级的区域。导带是最高的能带，该区域中的电子与其母体原子分离，并可以在整个晶体中自由运动。然而，价带能级中的电子束缚更紧密，并保持与其各自的晶格原子相关联。

2024-02-18 00:07:07 291

原创 122，原子核物理实验方法篇_半导体探测器简介

事实上，当前半导体探测器研究的最热门问题之一是寻找和开发可以在室温下工作的新材料，比如目前一些化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs），碲化镉（CdTe）以及碲锌镉（CdZnTe）等发展也很迅速。此外，由于半导体材料的密度比气体更大，因此它们比气体探测器具有更大的阻止本领，而且半导体探测器尺寸紧凑，响应时间非常快。其实说白了，半导体探测器的基本工作原理类似于小青菜哥哥前面博文介绍的气体探测器，只不过其电离介质不再是气体，而是固体半导体材料。

2024-02-18 00:07:00 267

原创 126，原子核物理实验方法篇_本征载流子迁移率

对于常温下的硅来说，如果E

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原创 125，原子核物理实验方法篇_本征载流子浓度

在 T = 300 K时，Ni的典型值约为 2.5 x 1013 cm-3（对于Ge）和 1.5 x 1010 cm-3（对于Si）（在 T = 300 K 时）。然而，我们应该注意这材料中原子浓度为1022 cm-3，这意味着每109个锗原子中只有1个被电离，每1012个硅原子中只有1个被电离！其中Nc是导带中的能级状态数，Nv是价带中的能级状态数，Eg 是0K处的能隙，k 是玻尔兹曼常数。在半导体中，热激发不断产生电子-空穴对，同时还有一定数量的电子-空穴对进行复合。

2024-02-18 00:06:33 361

原创 124，原子核物理实验方法篇_半导体内的电荷载流子

然而，在正常温度下，热能的作用可以将价电子激发到导带中，从而在其原始位置留下空穴。由于空穴相对于价带中的负电子海是带正电荷的，因此空穴的作用就像正电荷载流子，并且它通过晶体的运动也构成了电流。因此在半导体中，电流其实有两个来源：导带中自由电子的运动和价带中空穴的运动，这与金属电流仅由电子产生形成鲜明对比！图1：硅/锗的共价键合：(a) 在0K时，所有电子参与键合，(b) 在较高温度下，一些共价键被热能破坏，在价带中留下一个空穴。

2024-02-18 00:06:28 123

原创 121，原子核物理实验方法篇_荧光辐射转换器

使用波长转换器能够获得许多优点，特别是“不可压缩性”的基本约束不再限制，因此来自大体积探测器整个区域的光最终可以被收集到一个或两个PMT上。另外，由于传输到PMT的光来自转换器，因此转换器可以制成高度对称的形式，例如圆柱体或矩形条，以便最大化内反射。波长转换器的作用在这里非常重要，因为它吸收了闪烁体发射的一定频率范围内的光，并以与PMT光电阴极的光谱响应兼容的频率重新发射光子。虽然这不是最佳选择，但与大多数PMT的光谱灵敏度区域有足够的重叠，可以给出可用的电信号。图1：荧光辐射转换器配置结构。

2024-02-18 00:06:11 256

原创 120，原子核物理实验方法篇_光导

一种常见的光导形状是图2中所示的“鱼尾”光导，它慢慢地从闪烁体边缘的矩形几何形状转变为 PMT 的圆形形状。另一种常见光导形状是扭曲光导（图3），它由附着在闪烁体边缘并扭曲的独立有机玻璃条组成，之后会聚在PMT光电阴极处，这种几何形状稍微复杂一些，但会产生更好的光收集效果。事实上，如果光导输入端的横截面积是Ai，输出端的横截面积是 Ao，其中Ao < Ai，那么充其量只能传输光的一小部分（比例不超过Ao/Ai）。对于逐渐变形，不急剧扭结或弯曲的光导来说，其传输的光量仅取决于横截面积，而不取决于光导形状。

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原创 119，原子核物理实验方法篇_多个PMT与闪烁体耦合

除了上一博文分享的反射设计方法之外，我们还可以通过将第二个PMT 放置在闪烁体的另一端上来增加光收集，即闪烁体双端探测。从另一端逸出的光将被该光电倍增管探测到，并且其信号可以与另一端的信号相加，得出总脉冲高度。当然，这样的设计同样增加了复杂性和成本。对于小型探测器，这种解决方案有点奢侈，因为更简单的反射技术完全可以提供出色的结果。

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原创 118，原子核物理实验方法篇_闪烁体与PMT的耦合

与上一篇博文讨论的内反射要求反射效率高的情况刚好相反，闪烁体和PMT之间的耦合必须允许最大的光传输，尽量减小光子反射。而闪烁体和PMT之间的残留空气将导致部分射向PMT的光被完全反射回闪烁体中，从而影响探测器性能。因此，闪烁体和PMT这两种介质之间的光学耦合应使用折射率尽可能接近闪烁体和 PMT 窗口的材料来实现。对于有机闪烁体，其与硅脂的光学耦合几乎是完美的，因为有机闪烁体、硅脂和PMT窗口的折射率几乎相同。然而，对于无机闪烁体，其与硅脂或硅油匹配不太完美，因此在耦合处确实会发生一些反射。

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原创 117，原子核物理实验方法篇_闪烁光反射

对于某些闪烁体，由于其特定的物理特性，通常需要不同的设计方式。虽然我们单独使用外部反射材料包裹闪烁体通常可以获得良好的光收集效率，但研究表明，同时最大化闪烁体内部反射效率可以获得最佳结果。小型探测器的常见操作是将闪烁体包裹在铝箔中，然后再贴上一层不透光的黑色胶带。在漫反射材料中，最常见的是MgO、TiO2 和氧化铝，它们通常以粉末或白色涂料的形式存在，另外需要注意的是这些材料的反射率与光子波长的关系，如图2所示。实际操作中，提高闪烁光收集的最简单、最常见做法是通过外部和/或内部反射来重定向闪烁体的逃逸光。

2024-02-18 00:05:46 169

原创 116，原子核物理实验方法篇_闪烁探测器的光收集

闪烁体的光损失可以通过两种基本方式发生：一种是光子通过闪烁体边界逃逸，另一种是光子被闪烁体材料自吸收。我们可以看到，闪烁体中任何给定点发出的光向各个方向传播，只有一小部分光直接到达PMT，其余部分向闪烁体边界传播，在闪烁体边界处，根据入射角和介质的不同，光子可能会发生反射和透射这两种情况，最终影响探测效率和能量分辨率！实际上，即使用最高性能的闪烁体和PMT，如果闪烁体所发射的闪烁光子没有或只有一小部分被传输到PMT，则这种探测器也是没有用的。

2024-02-18 00:05:40 192

原创 115，原子核物理实验方法篇_磁场对PMT的影响

我们通常的做法是使用安装在PMT周围的高磁导率合金来屏蔽 PMT。然而测试表明，如果屏蔽稍微延伸穿过管子，则可以获得更好的结果。对于很强的磁场环境，我们可能还需要在高磁导率合金周围进一步使用软铁屏蔽。事实上，我们很容易就看出，一个小磁场就足以使电子级联偏离其在光电倍增管中的最佳轨迹，从而影响电子收集效率。到目前为止，光电倍增管对磁场最敏感的部分是电子收集系统。在磁场作用下，电子可能会发生严重偏离，以至于它们可能永远不会到达第一个倍增电极。

2024-02-18 00:05:33 149

原创 114，原子核物理实验方法篇_PMT曝光的影响

由于光电倍增管具有极高的光敏性，因此我们必须注意不要带电将 PMT暴露在环境光下。如果暴露了，PMT产生的高电流会引起其工作不稳定（疲劳）效应，甚至完全破坏PMT，但在某些情况下，在黑暗中长时间放置后仍然可以恢复PMT功能，然而，暗电流很可能会显着增加！即使PMT没有上电，我们也最好不要将光电倍增管暴露在过度照明下，这样会导致PMT工作时暗电流较高，但在一段时间后也会恢复正常，该恢复时间取决于照明强度。

2024-02-18 00:05:25 172

原创 113，原子核物理实验方法篇_PMT统计噪声

PMT 的统计噪声波动有两个来源：(1) 光电阴极 (2) 电子倍增器系统。电子倍增器系统的波动不仅源于二次发射的统计性质，还源于电子渡越时间的差异、倍增电极上二次发射因子的不均匀性以及其他因素。但一般来说，电子倍增产生的噪声占总的统计噪声比例不超过 10%。对于恒定的入射光强度，光阴极发射的光电子数量以及倍增极发射的二次电子数量将随时间波动。因此，阳极处的电流将以图1所示的方式围绕某个平均值波动。图1：PMT统计噪声。

2024-02-18 00:03:03 176

原创 112，原子核物理实验方法篇_PMT暗电流和后脉冲

这些气体原子可以被电子电离，并且由于正离子具有相反的电荷，因此它们将加速返回到阴极或倍增电极，在那里它们又可以释放更多的电子，从而导致在正常信号输出的几百纳秒到微秒时间后产生一个后脉冲。PMT在高工作电流下，后脉冲也可能是由电极辉光引起的，即最后几个倍增电极发出的光传播到光电阴极。PMT玻璃外壳或其它材料中的可能存在的放射性物质也会导致光电阴极或倍增电极发射电子。显然，温度的降低会减少暗电流噪声。由于PMT需要高压才能正常工作，流过PMT电极支架和底座引脚的微小漏电流也对PMT暗电流有小部分贡献。

2024-02-17 23:26:14 240

空空如也

空空如也