lucy15302751079的博客

我们耳朵中的某些神经细胞可以检测到这些增加的、有规律的碰撞并向我们的大脑发送信号，我们的大脑将这些模式解释为声音。与电动扬声器相比，压电扬声器需要更高的驱动电压，而且它们在较高频率下的低阻抗意味着高频音频信号需要大量的驱动电流。通过挤压、撞击或弯曲晶体来增加或减少原子之间的空间，会导致电子重新分布，从而导致电子离开晶体，或为电子进入晶体创造空间。压电效应可用于制造薄型扬声器，在空间受限的应用中，这种扬声器是传统电动扬声器的有力替代品。随着电荷的引入或移除，压电材料会收缩或增大，但基底材料则不会。

应根据被测介质的温度、压力、介质性质、测温时间长短来选择热电偶和保护套管。热偶的安装地点要有代表性，方法要正确，图1—36所示是热电偶安装在管道上的两种常用法。在工业生产中，热电偶常与毫伏计联用（XCZ型动圈式仪表）或与电子电位差计联月后者精度较高，且能自动记录。另外也可使其与温度变送器连接，经放大后再接指示仪表，1作为控制信号使用。校验的方法是用标准热电偶与被校验热电偶装在同一校验炉中进行对比，误差超过规定允许值为不合格。图1—37所示为热电偶校验装置示意图，校验方法可查阅有关标准。

轨道交通市场，客户对电源模块的功能及可靠性非常注重，因为模块不单需要在恶劣环境下仍然能够长期正常工作，而且不容许有任何出错，所以模块必定需要符合铁路标准。电子设备小体积化以及半导体器件集成和封装技术的发展，推动电源模块进入了一个全新的领域，电源模块逐步向器件级发展，越来越多的电源模块厂商也投身于这片市场。通信网络市场，需要不断提升数据处理量及数据处理速度，同时也需朝向小巧及节能的大趋势，因此对电源系统的功率、效率及功率密度的要求也越来越高。与此同时我们也见到有一些客户为了进一步提高系统的效率，把系统中的。

在二∕十进制编码器中，代表0～9的输入信号也是互相排斥的，其工作原理及设计过程与三位二进制编码器完全相同，不再重复。而时序逻辑电路在逻辑功能上的特点是任意时刻的输出不仅取决于当时的输入信号，而且还取决于电路原来的状态，或者说，还与以前的输入有关。把二进制代码的各种状态，按照其原意转换成对应的信号的输出。缺点：运算速度不高。编码器的输入是被编码的信号，输出是与输入信号对应的一组二进制代码。定义：允许若干信号同时输入，但只对其中优先级别最高的信号进行编码，而不理睬级别低的信号，这样的电路叫优先编码器。

利用整流器和电容器转换的高压DC电压，经由开关元件ON/OFF加以斩波（切分），并经由高频变压器，将电能传送至二次侧。此外，斩波后的DC电压将成为呈现上图方波的AC。利用二次侧的整流二极管，整流该高频率AC电压，以电容器使其平滑后，如果DC输出电压设定值为12V，则就转换成12VDC。整理AC转换至DC的过程和工作状况，一次侧会直接整流－平滑100VAC，转换成高压的DC电压。以转换的原理来说，会在此时行进行AC/DC转换，但由于转换成一般DC驱动电路能使用的DC电压，因此之后还有几个步骤必须完成。

例如，如果测试的是大型电池，那么就需要较大的电流，这会转化为更大的电感和更粗的电线以及其他特性。电池会相互影响，因此如果某一系列中的一块电池容量较低，电池组中的其他电池都将低于最佳状态，因为它们的容量会被电池监测和再平衡系统降级，以匹配性能最低的电池。无论是针对当今常见的和新兴的用于批量生产普通锂离子电池的工厂，还是希望利用测试过程创新和创造新电池产品的电池制造商，都需要使用灵活的测试设备，以适应更广泛的电池容量和物理尺寸，从而降低资金投入，并提高测试设备投资回报率。高精度测试解决方案，适用于大电流应用。

通过仿真发现，与无热过孔相比，在器件热功耗为 2.5W 、间距 1mm 、中心设计 6x6 的热过孔能使结温降低 4.8°C 左右，而 PCB 的顶面与底面的温差由原来的 21°C 减低到 5°C。c、同一块印制板上的器件应尽可能按其发热量大小及散热程度分区排列，发热量小或耐热性差的器件（如小信号晶体管、小规模集成电路、电解电容等）放在冷却气流的 上流（入口处），发热量大或耐热性好的器件（如功率晶体管、大规模集成电路等）放在冷却气流 下游。g、将功耗 和发热 的器件布置在散热 位置附近。

处理传感器电路输出信号的电路或计算公式必须生成传感器响应的反函数。例如，如果传感器响应是对数函数，则线性化部分的响应必须是指数的。在实际应用中，由于A/D转换的误差、数字大小的限制以及计算过程中的舍入误差，误差可能不会那么小；其中 N 是微控制器生成的数字，Vs 是传感器电路的输出电压。A 到 D 四个系数的存在提供了很大的灵活性来拟合所需的点集。图 1该计算方法在显示的数字和气流速率之间提供了高度线性的 1:1 关系。测试了几个不同复杂度的函数。图 2仔细观察揭示了整体响应的非常小的非线性。

示波器的优势在于其高带宽，大多数带宽都超过 100MHz，这确保了信号的所有相关高频分量都包含在测量中，但需要检查整个信号是否在屏幕上，因为屏幕外的信号部分会被削波，从而导致错误测量。因此，DSO 的波峰因数很低。放大后的霍尔传感器输出信号从直流扩展到约 3kHz，它与具有较低截止频率的探头绕组的输出相结合，从而产生真正的直流 + 交流信号。图 1 显示了的 HP 3400 RMSAC 仪表的框图，当时该仪表的满量程范围为 1 mV 至 300V，带宽为 10Hz 至 10MHz，满量程波峰因数为 10。

在电流的上升沿，会出现对称的电压下降沿，但由于这些信号不是瞬时的，因此平均耗散功率往往会增加。可以看出，随着器件导通电阻的增加，系统效率会降低，因为发电机的功率会以热量的形式损失。在相同功率下，流通的电流要低得多，电缆可以采用更小的直径，以实现更轻、更便宜的总接线。通常，粗电缆的电阻较低，使用寿命更长，可以处理大电流，因此适合热量是重要因素的应用。例如，效率为 100% 的设备会毫无浪费地使用所有可用能量，而效率为 40% 的设备只会使用不到一半的可用能量，剩余的能量会以未使用的热量形式浪费掉。

对于初级侧绕组与辅助绕组的耦合以及初级侧绕组与屏蔽绕组的耦合，由于电流仅在初级侧流动，不会返回 LISN，因此对所测量的共模噪声不产生影响，因此不考虑这些耦合。但是，用等效噪声电压源代替非线性开关器件（根据 CM 噪声分析的替换定理[12]）时，会将一个独立或非独立的噪声电压源与变压器绕组并联，并且可以去除两个绕组内电容。替代后，电路中的电压和电流保持不变。此外，对于具有印刷电路板 (PCB) 嵌入式绕组的平面变压器，由于各个层堆叠紧密，各层的表面积大，因此，绕组间电容比传统的绕线型设计更高。

再一个是降低线圈的损耗，线圈的损耗（主要是涡流损耗），线圈的涡流损耗与集肤效应损耗也与工作频率成正比，降低线圈的直流损耗必须降低导线的电流密度，一般漆包线的电流密度不能超过4.5A/平方毫米。电源开关交流回路和整流器的交流回路产生电磁干扰最严重的地方是开关变压器的初、次级线圈组成的电路，但它的干扰会通过感应对其它电路产生辐射和传导干扰，传导干扰和辐射干扰最严重的地方是电源线，因为电源线很容易成为辐射源的半波振子天线，另外它又与外线路进行连接，很容易把干扰信号传输给其它设备。

当线路发生短路或严重过载电流时，短路电流超过空气开关瞬时脱扣整定电流值，电磁脱扣器产生足够大的吸力，将衔铁吸合并撞击杠杆，使搭钩绕转轴座向上转动与锁扣脱开，锁扣在反力弹簧的作用下将空气开关三副主触头分断，切断用电设备电源。电压正常时，电磁吸力吸住衔铁，空气开关主触头闭合。当线路发生短路或严重过载电流时，短路电流超过空气开关瞬时脱扣整定电流值，电磁脱扣器产生足够大的吸力，将衔铁吸合并撞击杠杆，使搭钩绕转轴座向上转动与锁扣脱开，锁扣在反力弹簧的作用下将空气开关三副主触头分断，切断用电设备电源。

现在，结果是在旋转坐标系中计算的。在这个中，激光被模拟为沿着全局坐标系中的 x 轴往复移动的热源，晶圆则绕全局坐标系中的 Z 轴旋转。尽管广义拉伸算子需要更多的计算资源，并且需要更长的求解时间，但如果您感兴趣的不仅仅是热模拟的解，就需要使用它。在旋转坐标系中，随晶圆一起旋转的观察者将观察到晶圆是静止的，但热源在 X-Y 平面上沿着复杂的路径移动（右图）。这样，上述传热控制方程的右侧项就变成了零，但现在我们需要考虑一个热载荷，它不仅沿全局坐标系的 X 轴往复移动，还绕旋转坐标系的 Z 轴旋转。

异或运算的结果为真（true）的条件是其两个操作数中有且仅有一个为真，如果两个操作数都为真或都为假，则结果为假。异或运算具有交换律和结合律，即 A ^ B = B ^ A 和 (A ^ B) ^ C = A ^ (B ^ C)。数据加密：在密码学中，异或运算常用于加密和解密算法中，例如单一密钥加密算法。校验和计算：异或运算可以用于快速计算校验和，以检测数据传输或存储中的错误。如果两个操作数的值相同（都为真或都为假），则异或运算的结果为假。如果两个操作数中的一个为真而另一个为假，则异或运算的结果为真。

一方面，栅极宽度结构中的电容较低，所以要考虑任何其他有意义的电容影响，比如电缆和连接产生的电容。或者更好一点，他们清楚地看到自己的器件，他们清楚地看到自己的仪器，但看不到两者之间的东西。根据三同轴电缆的电容/米（pF/m）指标，我们可以计算出，用两条三同轴电缆把SMU连接到器件端子上，长度为20米（10米 10米），保护电容约为2 nF，屏蔽电容约为6 nF。在实践中，通过使用一定数量的源测量单元（SMUs），也就是能够在测量电流和电压的同时提供电流或电压的专门仪器，可以解决这个问题。

同时，压敏电阻是一种老化型元器件，在大功率电源接口之中，一般与陶瓷气体放电管串联，减缓老化，延长寿命。最后，具体使用哪个型号的MOV还需要根据实际电路保护设计方案需求来定夺，专业的事，找专业的人，少走弯路。压敏电阻，常用型电路保护器件，其规格参数、测试数据、研发技术等源泉在厂家，接踵而至的问题来，如何从这千千万万的压敏电阻MOV供应商选择出家稳定、可靠的供货商呢？3）听：金“碑”银“碑”，不如大家的口碑，一家压敏电阻厂家好不好，多听听行业人士和朋友的评价，多听听过来人的心声。压敏电阻厂家选择技巧，要谨记。

Si MOSFET 正常工作的驱动电路。关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明：除少数例外，这些都不适合任何系列生产。基本上，驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电，但这不是恒定的。当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载，这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此，除非驱动器可以提供几安培的电流，否则开关速度将大大减慢。如此强

电源激活的瞬间，由于C1(一个侧滤波电容)短路，导致Iin电流很大，虽然时间很短暂，但亦可能对Power产生伤害，所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会消耗功率，所以不可放太大的阻值(否则会影响效率)，一般使用SCK053(3A/5Ω)，若C1电容使用较大的值，则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。若使用电容值较大者，也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。

在死区时间期间，MOSFET 的体二极管提供了一个换流路径，这又不是理想的，因为二极管导通时的功率损耗较高。具体而言，这涉及选择具有击穿电压的器件，该器件可提供足够的保护，防止可能通过其他设计选择引入的瞬变。检测定子的位置对于在线圈中产生正确的励磁场至关重要。除太阳能外，大部分可用电力都是通过这种方式产生的，要么是发电站的大型涡轮机，要么是风能或波浪等可再生能源解决方案中的小型发电机。通过了解和评估相关参数，工程师可以为任务选择正确的 MOSFET，即使在zui恶劣的环境中也能确保zui高的可靠性和效率。

薄膜上色标（ 不透光的一小块面积，一般为黑色）未到达定位色标位置时，光电系统因投光器的光线能透过薄膜而使电磁离合器有电而吸合，薄膜得以继续运动，薄膜上的色标到达定位色标位置时，因投光器的光线被色标挡住而发出到位的信号，此信号经光电变换、放大后，使电磁离合器断电脱开，薄膜就准确地停在该位置，待切断后再继续运动。反之，当带材右偏时，U0为正值。若包装物品规定底色为白色，因质量不佳，有的出现泛黄，在产品包装前先由光电检测色质，物品泛黄时就有比较电压差输出，接通电磁阀，由压缩空气将泛黄物品吹出。

ZigBee是一种新兴的近距离(10米—100米)、低速率(250Kbps标称速率)、低功耗的无线网络技术，具有低复杂度、低功耗、低速率、低成本、自组网、高可靠、超视距的特点，主要适合应用于自动控制和远程控制等领域，可以嵌入各种设备。目前，ZigBee联盟由300多个成员企业，包括Ember、Freescale、Schneider、华为、物联传感(中国区总部)等，它们共同推动ZigBee无线技术的发展，使其能成为应用于家用电器、能源、住宅、商业和工业领域的无线网络连接、传感和控制标准。

而原来的电路已断开，于是电感只能通过新电路放电，即电感开始给电容充电， 电容两端电压升高，此时电压已经高于输入电压了。举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？通常用一个电容和一个二极管，电容存储电压，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。

在t4时刻，米勒电容充电完成，源电流继续给MOSFET的输入电容充电，门极电压上升直到达到门极驱动的电源电压VCC。不同的驱动芯片有不同的电流建立时间，这一建立时间会影响驱动的速度。当M1开通，M2关掉的时候，电源VCC通过M1和Rg给Cgs，Cgd充电，从而使MOSFET开通，其充电简化电路见图2。衡量一个驱动芯片驱动能力的指标主要有两项：驱动电流和驱动的上升、下降时间。本文主要阐述了在驱动芯片中表征驱动能力的关键参数：驱动电流和驱动时间的关系，并且通过实验解释了如何正确理解这些参数在实际应用中的表现。

当开关管负载为高频变压器初级线圈时属于感性负载，此时原来导通的开关管关断，高频变压器的漏感产生了反电势E＝-Ldi/dt，其值与集电极的电流变化率成正比，与漏感成正比，迭加在关断电压上，形成关断电压尖峰，从而形成传导干扰。由此可见，对敏感电路的保护也是解决EMI问题的不二选择，而这就对器件的保护功能提出了要求。R1、R2、C2、C4、LF1、LF2组成的π型滤波电路，是输入滤波电路，主要是对电网串入的电磁噪声进行抑制，防止对开关电源干扰，同时也抑制开关电源内部产生的高频噪声干扰电网，弱化电网的电磁污染。

无论是利用电容隔离还是磁隔离，TI的隔离式SSR产品系列都可以实现具有基础型或增强型隔离级别的设计。与EMR相比，TI的TPSI2140-Q1隔离式开关和TPSI3050-Q1隔离式驱动器具有更高的可靠性和更长的使用寿命，因为它们不会随着时间的推移而出现机械性能变差的情况。但是，它们也有设计注意事项，例如对可实现的功率传输的限制以及内部LED的老化。它们的触点本质上是金属对金属的连接。TI的隔离式SSR以超快的速度、超高的工作温度和超低的系统成本提供超高的介电强度，还可以在更小的封装中实现更可靠的开关。

ZigBee是一种新兴的近距离(10米—100米)、低速率(250Kbps标称速率)、低功耗的无线网络技术，具有低复杂度、低功耗、低速率、低成本、自组网、高可靠、超视距的特点，主要适合应用于自动控制和远程控制等领域，可以嵌入各种设备。目前，ZigBee联盟由300多个成员企业，包括Ember、Freescale、Schneider、华为、物联传感(中国区总部)等，它们共同推动ZigBee无线技术的发展，使其能成为应用于家用电器、能源、住宅、商业和工业领域的无线网络连接、传感和控制标准。

有时，在特别敏感的电路中，需要将每个设备放在自己的阱中，并配有自己的保护环，但在大多数情况下，同一电路中的设备可以共享阱。阱中的 N 型材料具有相当强的电阻性，因此为了确保良好的电位控制，每个 N 阱都需要多个抽头，这些抽头分布在整个区域。此 N 型区域称为 N 阱。直接内置于 P 型衬底中的 N 沟道器件的隔离效果不如 N 阱中的 P 沟道器件。大多数工艺中使用的 MOSFET 器件主要有三种类型：P 型衬底中的 N 沟道器件（如上所示）、N 阱中的 P 沟道器件以及所谓的深 N 阱中的 N 沟道器件。

随着现代ASIC中时钟域的增加，时钟域交叉（CDC）变得无处不在，必不可少且必不可少。当然，时间安排总是一个问题。高时钟速度和信号路径中的延迟会导致信号到达不希望的时刻，从而导致亚稳性。本文的部分重点介绍设计中异步域的必要性以及随之而来的挑战。由于工程师无法避免异步信号，因此本文介绍了如何减轻CDC引起的问题。它还涵盖了MTBF在设计中选择同步器的用法。第二部分介绍了同步器的时序方面，以及由于同步器不同元素之间的路径约束不当而可能如何影响此功能。当今的SoC使用各种同步技术，但是您必须了解其在适当情况下

此配置中，外设配置为产生大多数电流模式的固定频率电源。其功能是通过上升沿和下降沿输入构成的可编程死区生成互补输出。图中由DAC为运放提供参考电压，但如果不需要可编程电压，固定电压参考（FVR）也可用于为运放提供参考电压。其工作原理是使用可编程灌电流来使预充电到其输入（此例中为OPA）所设置电平的电容衰减。下面是LED串中升压电源调节电流的示例。集成可采用如下几种形式：仅将MCU接入现有SMPS设计，通过高性能dsPIC建立全数字SMPS，或使用混合信号MCU将模拟SMPS功能与MCU集成到单个芯片上。

典型的电路板输入电压为5 V、12 V、24 V和48 V，FPGA的输入电压范围则为低于1 V至约3 V。需要为微调程序编写软件代码，从模数转换器(ADC)获取电源电压测量数据，以计算正确的DAC代码，然后缓慢将DAC输出调节至计算出的数字码，逐步稳定提高电源电压，在不会产生毛刺或过冲的情况下达到目标电压电平。因为能够严格控制POL输出电压，实现±0.25%的精度，所以在负载瞬态（在±3% FPGA供电轨规格下，精度为±2.75%）期间有很大的裕量，从而大幅减少所需的旁路电容并释放电路板空间。

图中a、b、c为三根不锈钢电极，当地槽内酸液上升至H处时a、b导通，继电器K动作，其常开触点K1闭合，常开触点K2闭合接通了酸泵的接触器M电源，酸泵开始抽酸液到酸储槽，当地槽中的酸液下降，低于H时a、b断开，但由于b、C还泡在酸液中处于导通，酸泵仍在运行，直到地槽中的酸液降至液位L以下，酸泵才停止工作，如此循环工作。其次还应考虑继电器的使用条件问题，如环境温度、湿度的高低及变化范围，因为环境温度、湿度的变化会使继电器的零件发生变形，密封、绝缘参数都会改变，从而导致继电器的可靠性下降。答案是：有用武之地的。

在 PRU 中执行的固件可以正确评估和响应故障类型并执行所需的 PWM 保护序列，如图 2 所示，然后根据需要直接将 PWM 置于安全状态。在牵引逆变器中，微控制器 (MCU) 是系统的大脑，通过模数转换器 (ADC) 进行电机控制、电压和电流采样，使用磁芯计算磁场定向控制 (FOC) 算法，并使用脉宽调制 (PWM) 信号驱动功率场效应晶体管 (FET)。随着越来越多电动汽车的生产，设计趋势将转向 SiC 和 800V 技术，同时需要提高电机控制性能并满足牵引逆变器的功能安全要求。·增加了功能安全要求。

图 2显示了电路图。根据阳光强度，串联连接的 4 个光伏面板的电压 Vpv 在 60 V 到 70 V 之间变化，功率输出在 4 到 40 W 之间变化。此外，由于处于离网状态，SDL 有助于减轻已经不堪重负的电网的负载。只要 SDL 光强度低于用户设置的限制，这个简单的电路就会提供良好的备用照明。因此，建议为 R4 使用一个微调电位器，以设置所需的发射极电压值。因此，电流完全在额定值范围内，并且处于光电二极管特性的相当线性的区域。因此，所提出的备用照明系统消除了 SDL 的缺点，不需要昂贵的电池和维护。

怎么运行的首先，有一个次级绕组额定值为 24 V/3 A 的降压电源变压器，连接在电路输入点的引脚 1 和 2 上。（电源输出的质量将直接影响与变压器的质量成正比）。变压器次级绕组的交流电压经四个二极管D1-D4组成的电桥整流。桥输出端的直流电压由储能电容器 C1 和电阻器 R1 形成的滤波器平滑。该电路包含一些独特的功能，使其与同类产品的其他电源截然不同。我们的电路没有使用可变反馈装置来控制输出电压，而是使用恒定增益放大器来提供其稳定运行所需的参考电压。该电路的工作原理如下：二极管 D8 是一个 5.

1、若输出电源电压要求不高，电流≤1A，直接使用7809三端稳压器即可，既简单又方便。虽然使用线性三端稳压器效率低，但是12V转9V只有3V的压降，转换效率还可以9V/12V=75%。1、若输出电源电压要求不高，电流≤1A，直接使用7809三端稳压器即可，既简单又方便。虽然使用线性三端稳压器效率低，但是12V转9V只有3V的压降，转换效率还可以9V/12V=75%。即使1A电流7809的自身功耗只有。3、若电流较大，3A以内可以使用LM2596实现，该芯片也很常用，转换效率85%左右，输出电流3A。

在AC输入掉电后，由输入滤波电容存储的能量给输出供电，在这个过程中，滤波电容电压逐渐下降，控制电路通过调整占空比依然可以实现额定的输出电压，直到电容电压下降到控制电路能调整的范围之外时，输出电压开始下降。通过外围调整，也无法改变产品的Vin_min和η，能调整的是在电源前端再接整流滤波，外接的滤波电容与电源内部的输入滤波电容是并联关系，等效增加了Cin，增加了掉电保持时间。在输入电压220Vac，负载4A的条件下，LH25-10B05的掉电保持时间为76.8ms，波形如图5所示；图1 掉电保持时间示意图。

本文将探讨电压模式R-2R DAC结构。在本文中，我们将探索什么是R-2R DAC以及如何实现它们。首先，我们将简要回顾一下开尔文分压器DAC。这种结构很简单，但它们需要大量的电阻和开关来实现高分辨率DAC。这个问题的一个解决方案是称为R-2R DAC的DAC结构。这些结构巧妙地利用梯形网络来实现电阻较少的DAC。什么是数字转换器？数模转换器（DAC）接收以数字代码表示的数据，并产生等效模拟输出（见下面的图1）。值得一提的是，除了数字输入外，DAC还需要模拟基准电压或电流才能工作。

降压开关稳压器是一种开关模式电源电路，旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压，即减去或“降压”电源电压，从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。当变化的电流流过电感器线圈时，根据法拉第定律，它会产生反电动势，该反电动势与电流流动相反，直到达到稳定状态，在电感器周围产生磁场L 1。因此，当晶体管固态开关闭合时，电流由电源提供，而当晶体管开关打开时，电流由电感器提供。除了用于开关模式电源基本设计的降压开关稳压器之外，基本开关稳压器还有另一种操作方式，即升压稳压器，称为升压转换器。降压开关稳压器占空比。

根据所选频段和特定技术，它可能足以满足低功率应用（例如，2G）以及高数据速率应用（例如，LTE）。此外，还有蜂窝通信的子类型，例如 LTE-M 和 NB-IoT，它们的诞生分别是为了提供更多的数据带宽或更低的功耗。Wi-Sun： Wi-Sun 是由 Wi-Sun 联盟创建的场域网络 (FAN) 协议，旨在实现低功耗和低延迟。它的主要缺点是功耗高，因此在电池供电的应用中不经常使用。Sigfox： Sigfox 使用基于技术的超窄带 (UNB)，它在ISM 频段工作，需要专用的基础设施。