U盘我们用的多了,记得大一有一段时间几乎人手一个。但我们有没有想过,一个2G的U盘在存满数据以后其质量是否会发生变化。其实是个老问题了,不过今天见某同学捣鼓U盘时又说起了这个问题,故查了些资料,来解除心中之疑惑。
既然是存储文件后质量会不会改变,那我们有必要对U盘的存储原理有所了解,所以就有了以下内容:
U盘的存储原理
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1。
闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将所有数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。
读取数据时,向 栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于 大量电子的移动,就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟 道产生影响。
对存储原理有了一定的了解,我推断当写入数据前先把所有的数据归一,也就是使浮动栅中无电子。写入数据是再按需要将某些位置零,也就是给浮动栅注入电子。而我们知道电子是有质量的,也就是说当我们向一个空(这个空应该理解为数据已经归“1”)U盘写入数据时,U盘的质量增加了。
但是电子的质量实在是太小了,所以我们根本感觉不到质量的变化。
既然是存储文件后质量会不会改变,那我们有必要对U盘的存储原理有所了解,所以就有了以下内容:
U盘的存储原理
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1。
闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将所有数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。
读取数据时,向 栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于 大量电子的移动,就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟 道产生影响。
对存储原理有了一定的了解,我推断当写入数据前先把所有的数据归一,也就是使浮动栅中无电子。写入数据是再按需要将某些位置零,也就是给浮动栅注入电子。而我们知道电子是有质量的,也就是说当我们向一个空(这个空应该理解为数据已经归“1”)U盘写入数据时,U盘的质量增加了。
但是电子的质量实在是太小了,所以我们根本感觉不到质量的变化。