《集成电路制造工艺与工程应用》目录



目录

序言：写作缘由-----------------------------------------------------------------------------------------

致谢-----------------------------------------------------------------------------------------------------

第一章： 引言-------------------------------------------------------------------------------------------

1. 崛起的CMOS工艺制程技术 -------------------------------------------------------------------

1. 1. 1. 双极型工艺制程技术简介 -------------------------------------------------------------

      2. PMOS工艺制程技术简介 --------------------------------------------------------------

      3. NMOS工艺制程技术简介 -------------------------------------------------------------

      4. CMOS工艺制程技术简介 --------------------------------------------------------------

1. 特殊工艺制程技术 --------------------------------------------------------------------------------

1. BiCMOS工艺制程技术简介 ------------------------------------------------------------

2. BCD工艺制程技术简介 -----------------------------------------------------------------

3. HV-CMOS工艺制程技术简介 ---------------------------------------------------------

1. MOSFET集成电路的发展历史----------------------------------------------------------------------

2. MOS器件的发展和面临的挑战 ---------------------------------------------------------------

第二章：先进工艺技术---------------------------------------------------

1. 应变硅工艺技术------------------------------------------------------

1. 应变硅工艺技术的概况 -----------------------------------------

2. 应变硅工艺技术的物理机理 -------------------------------------

3. 源漏嵌入SiC应变技术 -----------------------------------------

4. 源漏嵌入SiGe应变技术 ----------------------------------------

5. 应力记忆应变技术 ---------------------------------------------

6. 接触刻蚀阻挡层应变技术 ---------------------------------------

1. HKMG工艺技术 ------------------------------------------------------

1. 栅介质层的发展和面临的挑战 ----------------------------------

2. 衬底量子效应 ------------------------------------------------

3. 多晶硅栅耗尽效应 ---------------------------------------------

4. 等效栅氧化层厚度 ---------------------------------------------

5. 栅直接隧穿泄漏电流 -------------------------------------------

6. 高介电常数介质层 ---------------------------------------------

7. HKMG工艺技术 ------------------------------------------------

8. 金属嵌入栅极工艺技术 ----------------------------------------

9. 金属替代栅极工艺技术 ----------------------------------------

1. SOI工艺技术-------------------------------------------------------

1. SOS技术 ----------------------------------------------------

2. SOI技术 ----------------------------------------------------

3. PD-SOI-------------------------------------------------

4. FD-SOI-------------------------------------------------

1. FinFET和UTB-SOI工艺技术-----------------------------------------

1. FinFET的发展概况 ------------------------------------------

2. FinFET和UTB-SOI的原理 -----------------------------------

3. FinFET工艺技术 -------------------------------------------

第三章：工艺集成 ------------------------------------------------------------------------------------

1. 隔离技术-------------------------------------------------------------------------------------------

1. PN结隔离技术----------------------------------------------------------------------

2. LOCOS结隔离技术 ----------------------------------------------------------------

3. STI结隔离技术---------------------------------------------------------------------

4. LOD效应-----------------------------------------------------------------------------

1. 硬掩膜版（Hard Mask）工艺技术 ---------------------------------------------------------

   1. 硬掩膜版工艺技术简介 ------------------------------------------------------------

   2. 硬掩膜版工艺技术的工程应用 ---------------------------------------------------

2. 漏致势垒降低效应和沟道离子注入---------------------------------------------------------

1. 1. 漏致势垒降低效应 -----------------------------------------------------------------

   2. 晕环离子注入-----------------------------------------------------------------------

   3. 浅源漏结深--------------------------------------------------------------------------

   4. 倒掺杂阱-----------------------------------------------------------------------------

   5. 阱邻近效应--------------------------------------------------------------------------

   6. 反短沟道效应-------------------------------------------------------------------------

1. 热载流子注入效应与轻掺杂漏（LDD）工艺技术 --------------------------------------

1. 热载流子注入效应简介 -----------------------------------------------------------

2. 双扩散漏（DDD）和轻掺杂漏（LDD）工艺技术 --------------------------

3. 隔离侧墙（Spacer Sidewall）工艺技术 --------------------------------------

4. 轻掺杂漏离子注入和隔离侧墙工艺技术的工程应用 -----------------------

1. 金属硅化物技术--------------------------------------------------------------------------------

1. 1. Polycide工艺技术------------------------------------------------------------------

   2. SAB工艺技术-----------------------------------------------------------------------

   3. Salicide工艺技术-------------------------------------------------------------------

   4. SAB和Salicide工艺技术的工程应用 ------------------------------------------

1. 静电放电离子注入技术 ------------------------------------------------------------------------

1. 静电放电离子注入技术 ------------------------------------------------------------

2. 静电放电离子注入技术的工程应用-----------------------------------------------

1. 金属互连技术 ------------------------------------------------------------------------------------

1. 接触孔和通孔金属填充 ------------------------------------------------------------

2. 铝金属互连 ------------------------------------------------------------------------

3. 铜金属互连 ------------------------------------------------------------------------

4. 阻挡层金属 ------------------------------------------------------------------------

第四章：工艺制程整合-------------------------------------------------------------------

1. 1. 亚微米CMOS前端工艺制程技术流程------------------------------------

1. 1. 1. 衬底制备-------------------------------------------------------------

      2. 双阱工艺-------------------------------------------------------------

      3. 有源区工艺-------------------------------------------------------------

      4. LOCOS隔离工艺------------------------------------------------------

      5. 阈值电压离子注入工艺-----------------------------------------------

      6. 栅氧化层工艺----------------------------------------------------------

      7. 多晶硅栅工艺 ----------------------------------------------------------

      8. LDD工艺-------------------------------------------------------------

      9. 侧墙工艺---------------------------------------------------------------

      10. 源漏离子注入工艺 ----------------------------------------------------

1. 1. 亚微米CMOS后端工艺制程技术流程---------------------------------------

1. ILD工艺-----------------------------------------------------------------

2. 接触孔工艺---------------------------------------------------------------

3. 金属层1工艺------------------------------------------------------------

4. IMD1工艺---------------------------------------------------------------

5. 通孔1工艺---------------------------------------------------------------

6. MIM工艺---------------------------------------------------------------

7. 金属层2工艺------------------------------------------------------------

8. IMD2工艺---------------------------------------------------------------

9. 通孔2工艺---------------------------------------------------------------

10. 顶层金属层工艺----------------------------------------------------------

11. 钝化层工艺---------------------------------------------------------------

1. 1. 深亚微米CMOS前端工艺技术流程 --------------------------------------------

1. 1. 1. 衬底制备------------------------------------------------------------------

      2. 有源区工艺-------------------------------------------------------------

      3. STI隔离工艺-------------------------------------------------------------

      4. 双阱工艺------------------------------------------------------------------

      5. 栅氧化层工艺-------------------------------------------------------------

      6. 多晶硅栅工艺---------------------------------------------------------

      7. LDD工艺-------------------------------------------------------------

      8. 侧墙工艺------------------------------------------------------------------

      9. 源漏离子注入工艺-------------------------------------------------------

      10. HRP工艺-------------------------------------------------------------

      11. Salicide工艺-----------------------------------------------------------------

1.  

2.  

3.  

1. 1. 深亚微米CMOS后端工艺制程技术流程---------------------------------------

   2. 纳米CMOS前端工艺技术流程 ---------------------------------------

   3. 纳米CMOS后端工艺技术流程 ---------------------------------------

1. 1. 1. ILD工艺 -----------------------------------------------------------------

      2. 接触孔工艺 -------------------------------------------------------------

      3. IMD1工艺 --------------------------------------------------------------

      4. 金属层1工艺 ----------------------------------------------------------

      5. IMD2a工艺 -------------------------------------------------------------

      6. IMD2b工艺 -------------------------------------------------------------

      7. 通孔1工艺 -------------------------------------------------------------

      8. 金属层2工艺 ----------------------------------------------------------

      9. IMD3a工艺 -------------------------------------------------------------

      10. IMD3b工艺 -------------------------------------------------------------

      11. 通孔2工艺 -------------------------------------------------------------

      12. 金属层3工艺 ----------------------------------------------------------

      13. 钝化层工艺 -------------------------------------------------------------

第五章：晶圆接受测试（WAT）-----------------------------------------------------------------

1. WAT概述-------------------------------------------------------------------------------------------

1. WAT简介----------------------------------------------------------------------

2. WAT测试类型----------------------------------------------------------------

1. MOS参数的测试条件--------------------------------------------------------------------------

1. 阈值电压Vt的测试条件------------------------------------------------

2. 饱和电流Idsat的测试条件--------------------------------------------

3. 漏电流Ioff的测试条件-------------------------------------------------

4. 源漏击穿电压BVD的测试条件--------------------------------------

5. 衬底电流Isub的测试条件---------------------------------------------

1. 栅氧化层完整性参数的测试条件 ----------------------------------------------------------

1. 电容Cgox的测试条件 ----------------------------------------------------

2. 电性厚度Tgox的测试条件 ----------------------------------------------

3. 击穿电压BVgox的测试条件 --------------------------------------------

1. 寄生MOS参数的测试条件------------------------------------------------------------------

1. Poly栅场效应晶体管的测试条件 -----------------------------------

2. M1场效应晶体管的测试条件 ----------------------------------------

1. PN结参数的测试条件 ------------------------------------------------------------------------

1. 电容Cjun的测试条件 ---------------------------------------------------

2. 击穿电压BVjun的测试条件 ------------------------------------------

1. 方块电阻的测试条件 ------------------------------------------------------------------------

1. 1. 1. NW方块电阻的测试条件 --------------------------------------------

      2. PW方块电阻的测试条件 --------------------------------------------

      3. Poly方块电阻的测试条件 -------------------------------------------

      4. AA方块电阻的测试条件 ---------------------------------------------

      5. 金属方块电阻的测试条件 -------------------------------------------

1. 接触电阻的测试条件-------------------------------------------------------------------------

1. AA接触电阻的测试条件-----------------------------------------------

2. Poly接触电阻的测试条件 -------------------------------------------

3. 金属通孔接触电阻的测试条件 -------------------------------------

1. 隔离的测试条件--------------------------------------------------------------------------------

1. AA隔离的测试条件 --------------------------------------------------

2. Poly隔离的测试条件 ------------------------------------------------

3. 金属隔离的测试条件 ------------------------------------------------

1. 电容的测试条件-------------------------------------------------------------------------------

1. 电容的测试条件 ------------------------------------------------------

2. 击穿电压的测试条件 -----------------------------------------------

第六章：总结 ----------------------------------------------------------------------------------------