《集成电路制造工艺与工程应用》目录

最新推荐文章于 2024-06-28 21:24:47 发布
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目录

序言：写作缘由-----------------------------------------------------------------------------------------

致谢-----------------------------------------------------------------------------------------------------

第一章： 引言-------------------------------------------------------------------------------------------

  1. 崛起的CMOS工艺制程技术 -------------------------------------------------------------------

      1. 双极型工艺制程技术简介 -------------------------------------------------------------

      2. PMOS工艺制程技术简介 --------------------------------------------------------------

      3. NMOS工艺制程技术简介 -------------------------------------------------------------

      4. CMOS工艺制程技术简介 --------------------------------------------------------------

  1. 特殊工艺制程技术 --------------------------------------------------------------------------------

  1. BiCMOS工艺制程技术简介 ------------------------------------------------------------

  2. BCD工艺制程技术简介 -----------------------------------------------------------------

  3. HV-CMOS工艺制程技术简介 ---------------------------------------------------------

  1. MOSFET集成电路的发展历史----------------------------------------------------------------------

  2. MOS器件的发展和面临的挑战 ---------------------------------------------------------------

第二章：先进工艺技术---------------------------------------------------

  1. 应变硅工艺技术------------------------------------------------------

  1. 应变硅工艺技术的概况 -----------------------------------------

  2. 应变硅工艺技术的物理机理 -------------------------------------

  3. 源漏嵌入SiC应变技术 -----------------------------------------

  4. 源漏嵌入SiGe应变技术 ----------------------------------------

  5. 应力记忆应变技术 ---------------------------------------------

  6. 接触刻蚀阻挡层应变技术 ---------------------------------------

  1. HKMG工艺技术 ------------------------------------------------------

  1. 栅介质层的发展和面临的挑战 ----------------------------------

  2. 衬底量子效应 ------------------------------------------------

  3. 多晶硅栅耗尽效应 ---------------------------------------------

  4. 等效栅氧化层厚度 ---------------------------------------------

  5. 栅直接隧穿泄漏电流 -------------------------------------------

  6. 高介电常数介质层 ---------------------------------------------

  7. HKMG工艺技术 ------------------------------------------------

  8. 金属嵌入栅极工艺技术 ----------------------------------------

  9. 金属替代栅极工艺技术 ----------------------------------------

  1. SOI工艺技术-------------------------------------------------------

  1. SOS技术 ----------------------------------------------------

  2. SOI技术 ----------------------------------------------------

  3. PD-SOI-------------------------------------------------

  4. FD-SOI-------------------------------------------------

  1. FinFET和UTB-SOI工艺技术-----------------------------------------

  1. FinFET的发展概况 ------------------------------------------

  2. FinFET和UTB-SOI的原理 -----------------------------------

  3. FinFET工艺技术 -------------------------------------------

第三章：工艺集成 ------------------------------------------------------------------------------------

  1. 隔离技术-------------------------------------------------------------------------------------------

  1. PN结隔离技术----------------------------------------------------------------------

  2. LOCOS结隔离技术 ----------------------------------------------------------------

  3. STI结隔离技术---------------------------------------------------------------------

  4. LOD效应-----------------------------------------------------------------------------

  1. 硬掩膜版（Hard Mask）工艺技术 ---------------------------------------------------------

    1. 硬掩膜版工艺技术简介 ------------------------------------------------------------

    2. 硬掩膜版工艺技术的工程应用 ---------------------------------------------------

  2. 漏致势垒降低效应和沟道离子注入---------------------------------------------------------

    1. 漏致势垒降低效应 -----------------------------------------------------------------

    2. 晕环离子注入-----------------------------------------------------------------------

    3. 浅源漏结深--------------------------------------------------------------------------

    4. 倒掺杂阱-----------------------------------------------------------------------------

    5. 阱邻近效应--------------------------------------------------------------------------

    6. 反短沟道效应-------------------------------------------------------------------------

  1. 热载流子注入效应与轻掺杂漏（LDD）工艺技术 --------------------------------------

  1. 热载流子注入效应简介 -----------------------------------------------------------

  2. 双扩散漏（DDD）和轻掺杂漏（LDD）工艺技术 --------------------------

  3. 隔离侧墙（Spacer Sidewall）工艺技术 --------------------------------------

  4. 轻掺杂漏离子注入和隔离侧墙工艺技术的工程应用 -----------------------

  1. 金属硅化物技术--------------------------------------------------------------------------------

    1. Polycide工艺技术------------------------------------------------------------------

    2. SAB工艺技术-----------------------------------------------------------------------

    3. Salicide工艺技术-------------------------------------------------------------------

    4. SAB和Salicide工艺技术的工程应用 ------------------------------------------

  1. 静电放电离子注入技术 ------------------------------------------------------------------------

  1. 静电放电离子注入技术 ------------------------------------------------------------

  2. 静电放电离子注入技术的工程应用-----------------------------------------------

  1. 金属互连技术 ------------------------------------------------------------------------------------

  1. 接触孔和通孔金属填充 ------------------------------------------------------------

  2. 铝金属互连 ------------------------------------------------------------------------

  3. 铜金属互连 ------------------------------------------------------------------------

  4. 阻挡层金属 ------------------------------------------------------------------------

第四章：工艺制程整合-------------------------------------------------------------------

    1. 亚微米CMOS前端工艺制程技术流程------------------------------------

      1. 衬底制备-------------------------------------------------------------

      2. 双阱工艺-------------------------------------------------------------

      3. 有源区工艺-------------------------------------------------------------

      4. LOCOS隔离工艺------------------------------------------------------

      5. 阈值电压离子注入工艺-----------------------------------------------

      6. 栅氧化层工艺----------------------------------------------------------

      7. 多晶硅栅工艺 ----------------------------------------------------------

      8. LDD工艺-------------------------------------------------------------

      9. 侧墙工艺---------------------------------------------------------------

      10. 源漏离子注入工艺 ----------------------------------------------------

    1. 亚微米CMOS后端工艺制程技术流程---------------------------------------

  1. ILD工艺-----------------------------------------------------------------

  2. 接触孔工艺---------------------------------------------------------------

  3. 金属层1工艺------------------------------------------------------------

  4. IMD1工艺---------------------------------------------------------------

  5. 通孔1工艺---------------------------------------------------------------

  6. MIM工艺---------------------------------------------------------------

  7. 金属层2工艺------------------------------------------------------------

  8. IMD2工艺---------------------------------------------------------------

  9. 通孔2工艺---------------------------------------------------------------

  10. 顶层金属层工艺----------------------------------------------------------

  11. 钝化层工艺---------------------------------------------------------------

    1. 深亚微米CMOS前端工艺技术流程 --------------------------------------------

      1. 衬底制备------------------------------------------------------------------

      2. 有源区工艺-------------------------------------------------------------

      3. STI隔离工艺-------------------------------------------------------------

      4. 双阱工艺------------------------------------------------------------------

      5. 栅氧化层工艺-------------------------------------------------------------

      6. 多晶硅栅工艺---------------------------------------------------------

      7. LDD工艺-------------------------------------------------------------

      8. 侧墙工艺------------------------------------------------------------------

      9. 源漏离子注入工艺-------------------------------------------------------

      10. HRP工艺-------------------------------------------------------------

      11. Salicide工艺-----------------------------------------------------------------

  1.  

  2.  

  3.  

    1. 深亚微米CMOS后端工艺制程技术流程---------------------------------------

    2. 纳米CMOS前端工艺技术流程 ---------------------------------------

    3. 纳米CMOS后端工艺技术流程 ---------------------------------------

      1. ILD工艺 -----------------------------------------------------------------

      2. 接触孔工艺 -------------------------------------------------------------

      3. IMD1工艺 --------------------------------------------------------------

      4. 金属层1工艺 ----------------------------------------------------------

      5. IMD2a工艺 -------------------------------------------------------------

      6. IMD2b工艺 -------------------------------------------------------------

      7. 通孔1工艺 -------------------------------------------------------------

      8. 金属层2工艺 ----------------------------------------------------------

      9. IMD3a工艺 -------------------------------------------------------------

      10. IMD3b工艺 -------------------------------------------------------------

      11. 通孔2工艺 -------------------------------------------------------------

      12. 金属层3工艺 ----------------------------------------------------------

      13. 钝化层工艺 -------------------------------------------------------------

第五章：晶圆接受测试（WAT）-----------------------------------------------------------------

  1. WAT概述-------------------------------------------------------------------------------------------

  1. WAT简介----------------------------------------------------------------------

  2. WAT测试类型----------------------------------------------------------------

  1. MOS参数的测试条件--------------------------------------------------------------------------

  1. 阈值电压Vt的测试条件------------------------------------------------

  2. 饱和电流Idsat的测试条件--------------------------------------------

  3. 漏电流Ioff的测试条件-------------------------------------------------

  4. 源漏击穿电压BVD的测试条件--------------------------------------

  5. 衬底电流Isub的测试条件---------------------------------------------

  1. 栅氧化层完整性参数的测试条件 ----------------------------------------------------------

  1. 电容Cgox的测试条件 ----------------------------------------------------

  2. 电性厚度Tgox的测试条件 ----------------------------------------------

  3. 击穿电压BVgox的测试条件 --------------------------------------------

  1. 寄生MOS参数的测试条件------------------------------------------------------------------

  1. Poly栅场效应晶体管的测试条件 -----------------------------------

  2. M1场效应晶体管的测试条件 ----------------------------------------

  1. PN结参数的测试条件 ------------------------------------------------------------------------

  1. 电容Cjun的测试条件 ---------------------------------------------------

  2. 击穿电压BVjun的测试条件 ------------------------------------------

  1. 方块电阻的测试条件 ------------------------------------------------------------------------

      1. NW方块电阻的测试条件 --------------------------------------------

      2. PW方块电阻的测试条件 --------------------------------------------

      3. Poly方块电阻的测试条件 -------------------------------------------

      4. AA方块电阻的测试条件 ---------------------------------------------

      5. 金属方块电阻的测试条件 -------------------------------------------

  1. 接触电阻的测试条件-------------------------------------------------------------------------

  1. AA接触电阻的测试条件-----------------------------------------------

  2. Poly接触电阻的测试条件 -------------------------------------------

  3. 金属通孔接触电阻的测试条件 -------------------------------------

  1. 隔离的测试条件--------------------------------------------------------------------------------

  1. AA隔离的测试条件 --------------------------------------------------

  2. Poly隔离的测试条件 ------------------------------------------------

  3. 金属隔离的测试条件 ------------------------------------------------

  1. 电容的测试条件-------------------------------------------------------------------------------

  1. 电容的测试条件 ------------------------------------------------------

  2. 击穿电压的测试条件 -----------------------------------------------

第六章：总结 ----------------------------------------------------------------------------------------

 

 

 

温德通
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