友思特方案 | 光示原形：高精度晶圆缺陷检测的高功率UVLED方案

导读

晶圆缺陷检测直接影响芯片的良率与成本。友思特高功率紫外UVLED方案通过多波长切换、高灵敏度成像，精准捕捉灰尘、遗留胶及内部划痕等缺陷，检测精度与效率显著提升，助力产业迈向更高精度与效率。

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晶圆检测

在半导体芯片制造流程里，从硅片制备到芯片封装，涉及数十道复杂工序，任何细微环节的偏差都可能使晶圆产生缺陷，进而严重影响产品良率。据行业数据显示，光刻后工序中，一个微小缺陷就可能致使芯片报废，造成高达数千美元的损失。在光刻前对裸晶圆表面进行缺陷检测，成为提升芯片质量、降低成本的关键环节。

图1. 晶圆缺陷类型

当前，晶圆缺陷检测方法多样，接触式检测因易划伤晶圆已逐渐被弃用。非接触式检测中，X射线检测虽精度高，但设备昂贵、辐射大；超声波检测存在结果不直观、定量分析难的问题；电子束检测设备成本高昂，且检测效率有待提升。光学检测因操作简便、成本适中成为主流，其中基于白光光源的检测技术应用广泛，可检测常见的颗粒、灰尘等缺陷。然而，对于SiC基底小丘缺陷等特殊缺陷，白光光源检测效果不佳。

图2. 晶圆缺陷检测图例

高功率紫外UVLED光源的出现为解决这一难题带来新契机。它能激发特定缺陷产生独特光学信号，增强缺陷与背景对比度