【计算机组成原理】3.2.4 双端口RAM和多模块存储器

3.2.4 双端口RAM和多模块存储器

本视频涉及两种内存优化技术，分别是“双端口RAM”和“多模块存储器”。其中，“双端口RAM”已从408大纲删除，但由于部分自命题院校依然会考这个概念，视频中仍然保留了这部分内容。

408考生简要了解“双端口RAM”即可，408考试不考。

408考生重点掌握“多模块存储器”，这是考试重点。

建议自命题考生认真学习“双端口RAM”，掌握基本概念即可，这个考点大概率以概念型选择题的形式考察。

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各位同学大家好，在这个小节中我们要学习的是双端口RAM和多模块存储器这两种主存的优化技术。我们首先要回顾一个概念叫做存取周期，存取周期就是我们可以连续的读写所需要的最短的时间间隔。之前我们说过对于DRAM芯片来说，由于DRAM芯片它采用了电容这种存储元，因此对于DRAM芯片的读操作是破坏性的读出，所以这种芯片我们进行一次读写操作之后，它所需要的恢复时间一般是比较长的，有可能恢复时间是存取时间的好几倍。比如说存取时间我们记作R，然后存取周期我们记作T，那么有可能会达到T等于四倍的R，也就是需要三倍的R这么多时间来恢复。那相比之下SRAM的恢复时间就会短很多。

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好，存取时间意味着CPU从内存里读出一个字的数据，实际上只需要这么多的时间。然而虽然存取的时间很快，但是CPU又必须等这么一段恢复时间才可以读取下一个存储字，所以这就引出了一系列的问题。我们现在的计算机，甚至是手机，动辄就是什么双核、四核，甚至是八核的CPU，那么这种多核的CPU想要访问一个内存，那是不是意味着第一个CPU访问了一次之后，第2个CPU也需要等这么长的恢复时间，它才可以接着进行访问，那这个问题如何解决？

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第二个问题，即便是单核的CPU，那CPU的读写速度依然要比主存快很多，那么主存恢复的这段时间如果太长，我们应该怎么处理呢？有没有什么思路对这个问题进行优化？好，所以这就是这个小节我们要解决的两个问题。第一个问题就是多核CPU，我们可以用双端口RAM这种方式来解决。而第二个问题我们可以用多模块存储器这样的方式来解决，那多模块存储器又可以进一步的分为单体多字、多体多字、高位交叉编址、低位交叉编址这样的一些策略。

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很多爱打游戏的男生应该听说过双通道内存这个名词，就是如果你把你的电脑改造成双通道内存，那么你的电脑性能其实是可以得到很大提升的，你打游戏可以更爽，所以这个小节的知识还是可以应用到我们现实生活当中的。

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好，首先我们来看第一个技术叫做双端口RAM，这个技术可以用于优化多核CPU来访问一根内存条的速度。比如我们的电脑是双核的CPU，然后只有一根内存条，然后我们的这个内存条它采用了双端口RAM这种技术，那这样的话我们的2个CPU的核心就可以通过它的两个端口来对这个内存进行并行的访问。

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如果要支持双端口RAM我们就必须拥有两组完全独立的数据线，也就是数据总线，还有地址总线和控制总线。也就是说我们的总线设计会变得更复杂，如果用大家熟悉的东西来说，就是我们的电脑主板设计的要更复杂一些，需要有两组完全独立的各种各样的线。另外CPU里边的这个内存控制单元，还有我们内存里边的这个读写控制电路，也需要有更复杂的设计。

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好，现在我们来分析一下这2个CPU对这个双端口RAM的访问有可能出现的一些情况。第一种情况，2个CPU有可能通过两个端口同时对这个RAM里的不同地址单元进行存取数据。这种操作是可以支持的，只要他们想要访问的这个地址不发生冲突，那么他们俩就可以同时进行读或者同时进行写。好，第二种情况，2个CPU也可以通过两个端口同时对同一个地址单元进行读数据这样的操作，因为读这个操作并不会改变这个存储单元里边存储的数据，所以两个同时读是可以被支持的。

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好，第三种情况，如果说2个CPU通过两个端口同一时刻对同一个地址进行写入数据，那此时就会发生写入的错误。左边这个CPU先往这个存储单元里写了数据A，然后右边这个CPU同时往里边写了数据B，那么它们俩写的这个数据有可能相互覆盖。所以同时对同一个地址进行写操作，应该是被禁止的，这是一个非法的操作。

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好，第四个操作，如果同时对同一个地址单元，其中一个进行写数据，另一个进行读数据，那么此时读出数据的CPU就有可能会出现读出错误。比如说这个存储单元里本来存的是A，右边这个CPU它本来想把A读出去，但是由于左边这个CPU正在同时往里边写B这个数据，那么这就会导致右边这个CPU有可能实际取得的是B，因此对同一个地址单元一读一写这种操作也是应该被禁止的。好，所以当发生三和四这两种情况的时候，RAM里的控制电路应该向2个CPU发送一个“忙”的信号，同时会有一些逻辑电路来决定暂时关闭其中某一个端口。比如说先把右边这个端口给关闭，让CPU2等一下，等左边这个CPU完成操作之后，右边这个CPU再继续访问。好，所以这就是双端口RAM技术。

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那学过操作系统的同学可以把这个部分的内容和我们的读者写者问题进行一个对比，可以同时读，但是不能同时写，这个其实和读者写者这个问题一模一样。我们在学习各个学科的时候，除了学科内部的这些知识点大家需要进行联系之外，其实也可以把这些跨学科的知识点进行一个整合和串联，这样的话大家的理解和记忆都会更深。好，有了双端口RAM技术，就可以优化多核CPU访问一根内存条的这个速度。

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好，接下来我们进入第二个话题。之前我们说过，即便是对于一个单核的CPU，CPU的读写速度也比内存要快得多，而内存每一次读写之后又需要一段的恢复时间，当CPU想要连续读取一些数据的时候，就必须等待它的恢复时间，这个问题的解决就可以使用到多体并行存储器，大家可以把这理解成是你在你的电脑上插了四根内存条，并且每个内存条它的大小都是一致的，那我们可以有这样的两种编址的方案，第一种叫做高位交叉编址，第二种叫做低位交叉编址。

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好，什么意思呢？我们的CPU在对内存进行访问的时候，一定需要提供一个内存的地址，对吧？数据存储到哪儿，那内存的地址肯定就是几个比特位的信息。采用高位交叉编址的意思就是说我们会采用这个内存地址的更高几个比特位来区分我们想要访问的是哪一个存储体。比如说在这个图里边我们总共有四个存储体，有四个内存条，那么我们就可以用最高的两个比特位来分别区分我们要访问的是哪个内存条。因为两比特总共会有4种状态，刚好可以对应上M0到M3。

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类似的如果采用低位交叉编址的意思就是说对于我们给定的内存地址来说，我们会采用更低的两个比特位来区分这个M0到M3。来具体看一下，我们现在假设每一个存储体它总共只有八个存储单元，大家可以数一下总共有八个，那么由这四个存储体构成的一整个主存，它的空间大小地址空间大小就应该是四个存储体，每一个存储体八个存储单元，四八三十二，也就是等于2的5次方，所以我们可以用五个比特来作为储存的地址。

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如果采用高位交叉编址的话，就意味着第一个存储体它的第一个存储单元我们给它的地址应该是00，高位的2个00表示的是这是M0这个存储体，然后后面的三个零表示的是在这个存储体内部的第几个单元，所以我们把它称为体内地址。好，那类似的下一个存储单元就应该是00，然后后面是001，再往后都是类似的。好，现在第二个存储体，他开头的两个体号应该是01，而后三位的体内地址同样应该是从三个0一直到三个1好，接下来M2M3这两个存储体它们的编址也是类似的，只不过是最高两位的这个体号不一样。

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好，接下来看低位交叉编址。由于这个位置应该是M0的0号单元，所以体号应该是0，然后体内地址也是0。后面几个存储体的编址都是类似的，都是体号不一样。对于同一行的存储单元来说，体内地址都是一样的，只不过体号会不一样。好，后续的这些地址也都是类似的。

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好，现在我们尝试着把这些地址信息把它翻译为十进制。对于左边这种高位交叉编址来说，这个地址翻译成十进制应该是0，然后下面这是123，好，一直往下，这应该是到7对吧，然后8号存储单元应该是在这儿，9 10 11，好，以此类推。而对于右边这种低位交叉编址，我们的地址编号应该是这样的，01234567就是横着编的。

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好，那这两种特性会导致什么区别呢？我们来看这样的一个例子，现在我们假设每个存储体也就是这样的一坨，它的存储周期为大T，然后存取时间为小r，并且设大T等于四倍的小r，也就是说CPU从一个存储体里边取走一个字的数据，总共需要R这么长的时间。但是CPU想要再次访问这个存储体，就需要再等3R这么多的时间，这是我们之前提到的恢复时间，好，那现在来看一下对于高位交叉编址，如果说我们要连续访问这样的一些地址的话，那么第一个地址五个零，根据体号和体内地址可以知道它应该是对应M0的这个存储单元。

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那我们画一个甘特图，CPU对M0这个存储体进行了一次读操作。每一次读它的存取周期是T，实际上CPU只花了R这么长的时间就完成了读这个操作，但是后面还有3R这么多的时间，必须等待，等这个存储体恢复之后，才可以访问接下来的这个地址，因为接下来的这个地址同样是属于M0这个存储体，所以必须等T这么长的时间才可以访问一号地址。好，接下来再过一个周期再访问二号存储单元，三号、四号。总之由于我们连续访问的这些地址都属于M0这个存储体，所以每一次访问完之后都必须等待它恢复，也就是总共过了T这么长的时间之后，才可以进行下一次的读写。那整个过程我们读了五个存储字，耗时是5T，这是高位交叉编址。

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接下来再来看右边这种编址方案，低位交叉编址。那根据这个地址的末两位，我们可以知道这个地址它应该是从属于M0这个存储体，所以CPU会从M0这儿读出一个字。刚才我们说过，其实CPU从存储器里边读或者写一个字，实际只需要R这么长的时间。因此过了R这么长的时间之后，相当于对M0的这个存储单元的读取工作就已经完成了，那后面的3R这么长的时间，CPU不用管它，只需要让这个存储体它自己恢复就可以。

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好，所以过了R这么长的时间之后，由于我们第二个要访问的这个存储单元，它所属的这个存储体此时是已经准备好读写的，因此CPU可以直接从M1这儿读取数据，那之后是不是类似的，再往后要访问的这个存储单元二号单元，它属于M2，而M2此时已经准备好被读或者被写了，所以读M1这个操作经过R这么长的时间之后，CPU就可以紧接着读M2这个单元。好，再往后一个地址它的体号是两个1，那么就是M3，同样的此时M3是已经准备好读写的，所以再经过R，CPU又可以再紧接着读M3，接下来读取M3是不是也需要花R这么长的时间，所以读完M3之后，其实从刚开始算起，我们总共已经过了4R这么长的时间了，也就刚好过了一个存取周期，因此M3这个地址读取完了之后，是不是M0这个存储体又可以准备好被读取了，而刚好我们接下来要读取的这个地址，我们又回到了M0，因此到T这个时刻，CPU又可以紧接着从M0读出下一个字的数据。

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好，所以对于这个例子，我们读出地址连续的四个存储单元，总共的时间开销应该是大T加上4R也就是刚好等于2T对吧。如果你要说CPU取得这五个字所需要的时间，那其实在5R这个时刻就已经完成了，只不过这地方我们计算的总耗时其实是考虑上了最后的这三个R的恢复时间。因此访问这五个地址总体的耗时，我们把它记作2倍的T，那如果我们把刚才计算的这个结论进行一个推广的话，不难得出这样的结论：当我们连续存取N个存数字的时候，采用低位交叉编址，那么我们的总耗时应该是T+(N-1)r，因为我们对各个存储的读取刚好是可以无缝衔接的，所以读取N个存储字总共需要花N倍的R这么长的时间。而最后一个存储字读取完了之后，还需要给它留3R这么多的时间来进行恢复，所以整体来看的耗时就应该是T加上N减一倍的R，因为T等于4R好，这是有可能遇到的一类考题，考查你对微观层面的时间开销的计算。

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宏观上看，我们使用这种策略读写一个字的平均时间只需要R这么多,所谓的宏观就是指如果你连续读取的这个字数N，N趋近于无穷大的时候，每个字的平均存取时间是非常接近R的,所以在访问一系列地址连续的存储单元的时候，右边这种低位交叉编址的方案，它的效率要比左边这种高位交叉编址要高得多，性能几乎提升了四倍。这就是多体并行存储器。

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那现在我们应该思考这样的一个问题，为什么我们这儿探讨的是连续访问的情况呢？大家可以思考下，原因是这样的，在我们实际应用当中，有很多数据其实就是存放在地址连续的一些空间。比如说数组，数组的存储就是放在地址连续的一些内存单元里边，另外我们平时写的程序代码，或者说程序的指令，它也是连续的存放在我们主存当中的，除非遇到什么if else之类的，需要发生跳转的地方，否则程序指令的执行肯定是顺着这个地址一条一条往下读的。好，所以这个地方我们着重探讨连续访问的情况，是很有现实意义的。好，接下来我们来思考这样的一个问题，既然这种低位交叉编址的方案可以让我们的存取效率变得更高，那我们应该取多少个体呢？

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刚才这个例子当中，我们实现了存取的流水线。这个地方流水线的概念其实和工厂的流水线是很类似的，比如说一个工厂它的一条生产线，这儿有四个工人，然后这四个工人他们加工好的这个零件会放到传送带里，然后在传送带的这一端会有一个机器人来处理这四个工人给的这些零件，这是工厂的流水线，是不是和我们这个地方一样，四个存储体他们提供数据的速度是比较慢的，这四个存储体就类似于这四个工人，而这个机器人就相当于我们电脑里的CPU，它可以快速的处理这些工人给它提供的零件。好，所以正是因为这两种场景的相似性，所以我们才把这种存取方式把它称为流水线式的这种存取。

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为了保证我们的流水线工作不间断，当存储周期为T然后存取时间为R的时候，我们应该保证存储模块的数量M是大于等于T除以R的。像刚才这个例子，我们刚好就取了M等于T除以R，因为之前我们说过这个例子里面T等于4R对吧，好，接下来分析一下为什么要有这样的规定。假设我们此时取得这个存储体的数量要小于T除以R，那还是以刚才的T等于4R作为一个前提条件，那我们取M等于3，只有三个存储体，好，现在经过三个R之后，CPU分别从M0、M1、M2里边取走了三个字，那再往后CPU是不是又应该访问M0这个存储体？然而在3R这个时刻可以看到M0还没有恢复，所以CPU必须等待R这么长的时间才可以进行下一次的存取，所以当M小于T除以R的时候，我们不能完全发挥这个流水线的作用。

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好，再来看如果M大于除以R，比如说M取5，那么当CPU从M0到M3分别取走一个字的数据之后，此时刚好过了4R这么多的时间。也就说在这个时刻，其实M0这个存储体它已经准备好被下一次访问。然而由于我们此时有五个存储体，所以接下来CPU访问的应该是M4。那对M4的访问也需要R这么长的时间，访问完M4之后，CPU才会再回头访问M0。

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好，所以这就导致M0这个存储体它中间其实闲置了R这么长的时间。它本来可以继续干活的，但是这偷懒了一段时间。这就意味着当M大于T除以R的时候，我们这个劳动力是过剩的。这种方案会导致各个存储体没办法发挥到它们各自的极限。我们知道每增加一个存储体就是要多花一些钱对吧。

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所以最好的方案还是之前我们提出的，刚好让M等于T除以R这种方案。这种方案可以让我们存取流水线的效率达到一个顶峰，同时存储体的数量最少，也就是成本最低。好，这也是一个考点，我们根据存取周期和存取时间来判断我们应该取多少个模块。

19:59

还有题目会这样描述，就是告诉你存取周期为T然后总线传输周期为R，这种描述的计算方法也是一样的，之前我们说的存取时间R指的是这个存储体它的一个性能的瓶颈，存取一次至少也需要R这么长的时间，而下面这种说法，总线的传输周期为R指的是我们通过数据总线把一个数据传给CPU至少需要R这么长的时间。所以虽然这两种表述方式它背后的含义是不一样的。然而无论是哪种描述方式，都意味着我们的CPU存取一次时间不可能低于R，因此无论题目给的是哪这种条件，我们都按同样的算法来处理就可以。

20:46

好，另外还需要补充一点，如果说给你一个指定的地址X，那你如何确定它属于第几个存储体呢？首先我们假设总共有M个存储体，那第一种方法就是根据这个末尾的体号来判断它属于第几个存储体，直接用二进制来判断。第二种方法就是你可以用它给的这些十进制地址X来对M进行一个取余，用这样的方式也可以确定X这个地址它应该属于哪个存储体。好，具体的题目大家会在课后练习里边遇到。

21:20

好的，目前为止我们介绍了多体并行存储器，这种存储方案的特点就是每个存储模块都有相同的容量和存取的速度，并且各个模块都有独立的读写控制电路、地址寄存器还有数据寄存器。它们既能并行的工作，也可以交叉的工作。注意这儿想强调的点是每一个体，每一个模块它们之间是相互独立的，那与这种方案相对应的另一种方案，叫做单体多次存储器。上面这种实现方式可以让每一个存储体独立的工作，CPU可以自由的选择每一次要从哪一个存储体读出哪一个字，它们之间都是相互独立的。而采用下面这种方案的话，相当于把这几个存储体把它们进行了一个合并，整个存储器我们只有一套读写电路，还有地址寄存器、数据寄存器，有点类似于我们之前学习的位扩展。

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本来每一次我们只能读写一个存储字，但是经过这样的合体之后，我们每一次读取的就是一整行，也就是四个字，为了配合这种单体多字存储器，我们也需要把数据总线的宽度把它改为M个字，每一次可以并行的读出M个字。显然这种单体多字的多模块存储器，它的灵活性要比多体并行的存储器要更差一些。我们并不能单独的选择要读取其中的某个字，只能一次读一整行，也就直接读四个字的内容。

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所以如果我们要读取的一系列指令或者数据，它刚好在主存当中就是连续的占了一整行，那这种情况是比较理想的。但是假如现在我们要读取一个总大小为四个字的变量，这变量占的是2345这几个存储单元，那么采用下面这种方式，是不是意味着我们要先把第一行给读入，然后再读入第二行？其实我们会读入一些无用的无意义的信息。

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而如果采用上面这种方式，它的灵活性就会高一些，CPU只需要精准的命中这四个存储单元就可以，不会读入多余的冗余信息。好，所以下面这种方案的灵活性要差一些。不过如果要从整体的读取速度的提升来看，其实下面这种方案和上面这种方案都差不多，当T等于4R的时候，上面这种方案它的这个读取时间，每读写一个字的时间可以接近于R，那下面这个方案也是一样的，每一个存取周期T我们可以直接读入四个字的内容，因此平均来看每读入一个字所需要的时间，也就是T除以4，平均下来每读一个字只需要R这么长的时间，和上面这种方案是一样的。好，所以无论是哪种方案，都可以很大程度上提升我们主存的一个读写速度。

24:18

好的，这个小节当中我们主要介绍的是几种提升主存速度的方法。首先要注意的是存取周期，还有存取时间，这两个很类似但是又完全不一样的概念。我们学习了双端口RAM这种技术，这个技术可以在多个CPU同时访问一个RAM的情况下，提升这个RAM的读写速度。需要特别注意是否可以同时读同时写的问题。

24:45

好，这小节的后半部分我们又介绍了多模块存储器。在多体并行存储器当中，如果我们采用交叉编址的话，那么对于访问连续的地址空间这样的一个使用场景，其实性能的提升并不明显。所以高位交叉编址这种方案，实际效果就相当于单纯的给这个存储器进行了一个扩容。而如果采用低位交叉编址，那我们就可以实现这个存取的一个流水线。这种方案是我们的高频考点，曾经在我们408真题里面出现过多次。

25:19

好的，这就是这个小节理论部分的内容。接下来我们尝试着把这个理论用到我们现实生活当中。咱都是学计算机的,那经常会有人问，同学你学计算机的那你会修电脑吗？这时候我们好像只能绝望地摇头。但是学了这个小节的内容之后，以后至少这个内存部分的知识大家可以有一点底气。

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不知道大家有没有听说过双通道内存这样的说法，喜欢打游戏的男生应该都听过，就是如果你让你的电脑变成双通道内存，那它的整体性能可以提升很多，事实上所谓的双通道内存就是低位交叉的二体存储器，就是说你给自己的电脑插了两根内存条之后，你的CPU给这两个内存条的编址是采用了低位交叉编址的方案，也就是说，虽然你的内存它的读写速度跟不上CPU，然而当你插入了两个内存之后，你的CPU可以交替着访问这两个内存，这样的话可以让你的内存整体的吞吐量几乎翻倍。当然这儿所谓的翻倍指的是连续访问的情况，经过之前的讲解应该不难理解。

26:35

以后大家在自己组装电脑，或者说你想给自己的电脑加装一根内存条的时候，你可以拆开自己的主板看一下。很多主板它给的这个内存条的卡槽颜色是不一样的。这是我在网上随便找的一个图片。这个主板它所支持的内存是DDR2，已经过时了。但是现在的这些主板其实也都差不多。以后如果你有两个内存条，那么这两个内存条你应该插到颜色相同的两个卡槽里边，只有插到颜色相同的两个卡槽里边，它才是低位交叉编址。而如果你其中一条插到了黄色这儿，然后另一条插到绿色这儿，如果采用这种插法，那相当于给这两个内存条进行了一个高位交叉编址，也就是说你只是单纯的扩充了内存的容量，并没有提升它的缓存速度。

27:26

好，所以以后给大家的建议就是当你买内存条的时候，你经费有限的情况下，你可以选择相同主频相同容量的两根内存条来组成双通道，你当然可以选择直接买一根16GB的内存直接插到你的主板上，但是更好的方式其实是你选择两根8GB的内存，分别把它插到两个黄色的卡槽上，这样的话你的内存性能是更高的，所以这也是为什么大家去搜那个内存条的时候，你会发现很多商家他卖内存条，整个商品页面它是16G乘2是这么来卖的，因为两根一起卖就意味着你可以组成一个双通道。

28:08

好，所以学了这一小节的知识之后，以后你的女神或者你的男神听说你是学计算机的，他再问你会不会修电脑，那你可以这么跟他说，你说我可以帮你把电脑改成低位交叉多体存储器，然后经过你的改造之后，他的电脑速度确实快了很多，于是他一脸崇拜的看着你，因为他也不知道低位交叉多体存储器是什么东西，但事实上只有你自己知道，你只是多插了一个内存而已。

28:39

好，所以这个小节的知识还是很实用的，那我在网上找了有一个人，他的笔记本电脑的一个配置的截图，他刚好截了这样的两张图，左边这张图说明的是整个电脑的概况，你看它的内存是16GB的一个macbook pro，但是如果查看这个内存的详细页面，那你会看到它的这台电脑里边其实也是插了两根8GB的内存条，第一根内存条插在了零号卡槽里，第二根内存条插在了二号卡槽里。如果我没有猜错的话，它的这台电脑主板应该也是有四个卡槽，编号分别是0123，和之前那张图一样，插到零号和二号的时候就可以组成一个双通道，所以这台苹果电脑它在出厂的时候，其实已经考虑到双通道这个问题了。

29:32

对了，不知道刚才大家有没有思考过，为什么这推荐买内存条的时候要相同主频，相同容量呢？为什么？思考一下，你看这个内存条，它的主频就是3200，单位好像是兆赫兹，这是它的内存主频，这个主频其实反映的是它的读写周期到底是多快，主频越高，那么它的读写周期T也就越短，相应的读写时间R会越短，如果你买的是两根主频不一样的内存条，那么主频更高的那个内存条就会进行一个降频的处理，也就是发挥不出它所有的功效，因为经过之前的分析，我们知道我们的这个多体存储器，它的各个体CPU在处理的时候，只有T和R这些都相等，处理起来才会比较方便，所以这是为什么要选相同主频的原因。

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当然你在加内存的时候，买一个主频更高的内存和你的老内存配合也可以，只不过高出去那部分主频其实是被浪费的，这个性能你利用的不充分，也就是说你有一部分钱没必要花，因为一般来说主频越低的内存，它的价格也会更便宜一些。

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好，另一个问题，为什么要选择相同容量的两个内存呢？这点通过之前的讲解应该也不难理解，我们想要给两个内存条组成双通道，那么编址应该是012345是吧？那如果说你新加的这个内存，它的容量比以前那根大很多，那么再往后的地址是不是就变成了6 7 8 9 10，也就是说低地址部分这两个内存可以组成双通道，而高地址部分其实依然是一个单通道的性能，所以如果你插的两个内存条它的容量不一样的话，那么有可能你会发现你的电脑性能会不太稳定。

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如果你的游戏你打游戏的时候，你的游戏刚好被装到了低地址部分，那这时候你的游戏可能会运行的更流畅一些，画面帧速什么的都会更好。但是如果你的游戏被放到了高地址部分，那你的游戏运行起来就会更卡。所以如果组成双通道的两根内存，它的容量不一样的话，那么你的电脑性能有可能更不稳定。

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好，这个小节的内容就讲这么多。接下来大家可以去问一下你的男神或者女神，问问他你要不要修电脑。好的，以上就是这个小节的全部内容。