模拟电子基础之（二）PN结的形成及单向导电性

扩散运动：由于浓度差引起的运动（浓度高-->浓度低）

漂移运动：在电场作用下引起的运动

空穴带正电，顺电场移动；电子带负电，逆电场移动。

本征半导体本征激发，在温度的作用下会产生成对的自由电子空穴对，温度增加，成对的量增加。

多子浓度取决于参杂比例，少子浓度取决于温度。

电场方向、电场强度方向是指正电荷指向负电荷的直线或曲线。

电场方向与正电荷受力方向相同。电场的特性是对电荷有作用力，即电场力，正电荷受力方向与电场 方向相同，负电荷受力方向与电场方向相反。

目录

1） PN结的形成（多子扩散，少子漂移）

2）PN结的单向导电性

(1)  PN结加正向电压时的导电情况

(2) PN结加反向电压时的导电情况

   结论

---

1） PN结的形成（多子扩散，少子漂移）

(1)P、N两种半导体结合后，由于浓度差产生载流子的扩散运动→结果产生空间电荷区→耗尽层（多子运动）。    

(2)空间电荷区产生→建立了内电场（由N指向P）→产生载流