模拟电子基础之（二）PN结的形成及单向导电性

扩散运动：由于浓度差引起的运动（浓度高-->浓度低）

漂移运动：在电场作用下引起的运动

空穴带正电，顺电场移动；电子带负电，逆电场移动。

本征半导体本征激发，在温度的作用下会产生成对的自由电子空穴对，温度增加，成对的量增加。

多子浓度取决于参杂比例，少子浓度取决于温度。

电场方向、电场强度方向是指正电荷指向负电荷的直线或曲线。

电场方向与正电荷受力方向相同。电场的特性是对电荷有作用力，即电场力，正电荷受力方向与电场 方向相同，负电荷受力方向与电场方向相反。

目录

1） PN结的形成（多子扩散，少子漂移）

2）PN结的单向导电性

(1)  PN结加正向电压时的导电情况

(2) PN结加反向电压时的导电情况

   结论

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1） PN结的形成（多子扩散，少子漂移）

(1)P、N两种半导体结合后，由于浓度差产生载流子的扩散运动→结果产生空间电荷区→耗尽层（多子运动）。    

(2)空间电荷区产生→建立了内电场（由N指向P）→产生载流子定向运动（少子漂移）。

(3)当扩散运动↑→内电场↑→漂移运动↑→扩散运动↓→动态平衡。

(4)扩散运动产生扩散电流；漂移运动产生漂移电流。

动态平衡时：扩散电流=漂移电流。PN结内总电流=0。PN结的宽度一定。

内电场的建立，使PN结中产生电位差。从而形成接触电位Vf/导通电压UON /开启电压UT【取决于材料（主要因素）和掺杂浓度】

2）PN结的单向导电性

(1)  PN结加正向电压时的导电情况

       P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏（P(+)，N（-))；

       外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。

      内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流变大。

     扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈低阻性（≈0欧姆）。

(2) PN结加反向电压时的导电情况

        P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏（P(-)，N（+))；

        外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。

        内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减小。

        少子在内电场的作用下形成的漂移电流加大,到一定情况下保持不变，温度增加，漂移电流才增大。

       此时PN结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性（∞欧姆）。

   结论 

 a. PN结加正向电压时（正偏），呈低阻态(V=U/I)，具有较大的正向扩散电流(电流大)；

     PN结加反向电压时（反偏），呈高阻态(V=U/I)，具有很小的反向漂移电流（电流小）。

  b.PN结具有单向导电性。

  c.PN结的别称：PN结=空间电荷区=耗尽层=阻挡层=势垒层=内电场=电阻。

3）PN结的伏安特性及方程

（1）PN结的伏安特性曲线

 

 

（2）PN结的伏安特性电流方程 

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