m0_57562444的博客

原创 变压器Bmax的选择

变压器Bmax的选取是磁芯饱和极限、温升损耗、系统效率、体积成本四大因素的综合权衡。第一步（安全）：确保 Bmax≪BsatBmax​≪Bsat​（铁氧体通常<0.35T）。第二步（性能）：根据频率和磁芯材料损耗曲线，计算铁损，确保其在温升和效率允许范围内。高频下，损耗约束是主导。第三步（优化）：在损耗约束内，调整Bmax和匝数，平衡铁损与铜损，并满足体积成本要求。永远记住：对于高频开关电源变压器，最关键的往往不是饱和极限，而是由损耗决定的温升。从保守值开始，基于损耗计算进行迭代，是最可靠的设计方法。

原创 三角波峰值与有效值计算

原创 储能变流器LCL滤波的作用

它在现代电力电子变换器中是不可或缺的组成部分，能够有效降低进网电流的谐波畸变率（THDi），满足并网标准。：通过控制算法（如在控制回路中引入虚拟阻抗或高通滤波）来模拟电阻的效果，无损耗，但增加算法复杂性。：例如，采用10kHz开关频率时，主要滤除10kHz、20kHz等频率附近的谐波。（-60dB/decade），因此对开关频率及其附近的高次谐波有极强的抑制效果。（例如，开关频率10kHz，谐振点通常设计在1kHz ~ 4kHz之间）。在这个谐振频率处，谐波不仅不会被衰减，反而会被放大，导致系统不稳定。

原创 【三电平PCS，调制比】

当 M>1/3​≈0.577 时，需采用空间矢量脉宽调制（SVPWM）等高级算法，通过引入零矢量或小矢量来扩展调制范围，避免输出电压失真。本例中 M=0.846，属于高调制比区，需采用SVPWM或载波移相SPWM（CPS-SPWM）等策略。在三电平PCS（储能变流器）中，调制比是衡量直流电压与交流输出电压占比的核心参数，其计算需结合拓扑结构与控制策略。，属于高调制比区，需采用SVPWM或混合调制策略，并重点关注中点电位平衡与效率优化。实际工程中，可通过拓扑创新、算法升维与热管理革新，进一步提升系统性能。

原创 MOS各个参数详解

VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增大的特性使得 MOSFET 的直接并联使用变得可能.双极型器件在此方面恰好相反,故其并联使用变得相当复杂化. RDSon 也会随着 ID 的增大而略有增大,这一特性以及结和面 RDSon 正温度特性使得 MOSFET 避免了象双极型器件那样的二次击穿. 额定电压高的MOS有更高的RDS正温度特性。开启电压(阀值电压)。MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论述。

原创 IGBT开通损耗和关断损耗哪个更大一些，为什么？

这导致了一个明显的拖尾电流，即在理论上应该已经完全关闭的时候，仍然有一些电流流过，直到所有空穴都消失。虽然IGBT的开通过程也涉及电子和空穴，但由于多数载流子（电子）的移动速度相对较快，所以IGBT的开通损耗相对较低。综上所述，由于IGBT在关断过程中特有的拖尾电流现象，其关断损耗往往比开通损耗要大。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的开通损耗（turn-on loss）和关断损耗（turn-off loss）在不同的工作条件下可能会有所不同，但通常情况下，IGBT的关断损耗要比开通损耗更大。

转载 双脉冲测试基础系列：基本原理和应用

在以前甚至是今天，许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的，而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。其中1通道黑色的是被测器件VCE的信号，2通道红色的是桥臂电流，3通道绿色的是门极信号。为了得到一个期望的电流值，此脉冲需持续一定时长，时长可通过T=I*L/V来获得，其中L是负载电感值，I是期望电流，V是母线电压。在以前甚至是今天，许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的，而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。

转载 电源入口加磁珠，烧了

设计者在电源端口加入磁珠，最主要的目的是在高频几十Mhz~几百Mhz的高频干扰过滤，同时又要考虑干扰抑制的效果，我们可以采用压敏电阻+共模电感+电容+TVS的滤波模式，如图6，压敏电阻放置于最前端，主要是考虑压敏电阻流通容量较大，很容易做到数百A，但是压敏的响应时间最长可达数十nS，高于nS级别的干扰还是无能为力的。第二级为防护方案，由图A组成，自恢复保险和压敏电阻的流通能力要相当，否则，当保险比压敏流通能力大很多时，有可能出现压敏已经开始严重发热，有可能短路起火，但是保险还没有断开，将会导致起火事故。

转载 EFT介绍比较全面的文章

技术干货-->脉冲群EFT整改方略及其差共模干扰解析 (baidu.com)

原创 AD注册表修改

原创 扩展坞网口待机后无效设备

笔记本电脑自动进入待机后会启用省电模式，将没必要的设备关闭掉（包括扩展坞），当再次激活启动电脑，省电模式关闭的设备并不会自动激活启用，需要手动启用，这就很不方便。无法识别哪个是扩展坞的话，反复拔插扩展坞，确定扩展坞设备。取消 “允许计算机关闭此设备以节约电源” 选择框。右键或者双击，进入属性，找到电源管理，进入设备管理器，找到对应的扩展坞。电脑进入待机模式，扩展坞无效。

原创 windows暂停更新代码

然后再打开设置，找到暂停更新，这里就可以随意暂停多少周都可以了。我们打开window的cmd 控制台，执行下面这个命令。

转载 解除Word受保护限制

方法一： 用于word各版本。 把受保护的文件另存为XML格式，新存的文件用右键以记事本的方式打开，搜索“DocumentProtection”，在前面加上“un”，变为“unDocumentProtection”，保存。 用word打开修改后的xml格式，可以看到文件已经可以修改了。如果需要，可以重新保存为.doc格式。 方法二： 只适用于word2007、2010版本，后缀格式为docx的。 1. 将Word文件的后缀名".docx"改为".rar"。 2.

原创 单片机的几个周期

单片机的基本操作周期，在一个操作周期内，单片机完成一项基本操作，如取指令、存储器读/写等。如12MHz的晶振，它的时钟周期就是1/12us）它是单片机中最基本的、最小的时间单位;的时钟频率，则时钟周期就是250us。由于时钟脉冲是CPU的基本脉冲，它控制着CPU的工作节奏（使CPU的每一步。对于某个单片机来讲，若采用了1MHz的时钟频率，则时钟周期就是1us;显然，对同一种单片机，时钟频率越高，单片机的工作速度就越快。也称为震荡周期，定义为时钟频率的倒数（可以这样来理解，时钟周期就是单片机外接晶振的倒数，

原创 嵌入式基础知识之高阻态、驱动、三态门

高阻态很显然，当处理器从目标外设读数据时，我们希望其它没有被选上的芯片的数据总线不会对目标外设所要传送的数据有影响，那怎么办呢？实际上，当芯片没有被选中时，其数据总线都处于高阻态。所谓的高阻态，我们可以理解成这一管脚在外设芯片内部是断开的，如此一来，显然不会对处理器从目标外设读取数据造成任何的影响了。我们说当一个芯片没有被选中或是没有被使能时，其数据总线一定是处于高阻态的。前面用了“门”的开和关来打比方，那“门”是指什么呢？是指外设的数据总线，片选信号的作用就是控制将外设的数据总线与处理器的数据总线相连

原创 嵌入式基础知识之译码器

译码器将一个数据转换成一根信号线上的信号，比如3/8译码器，可以将一个位宽是3位的数据转换成8根(2的3次方)完全独立的信号线，当向数据侧写入二进制的011时，对应的是8根线的第3根，当输入二进制的111时，对应的是8根线中的最后一根。有了译码器，处理器的地址线就简化了，只要32根地址线加上外面的译码器，就可以访问大量的外设芯片了。外部设备的选择问题，我们已经解决了，现在还得回头看一看数据总线。在嵌入式系统中，所有芯片的数据总线可以理解成是直接相连的。之所以用了“可以理解”一词，是因为为了提高总线的负载能

原创 嵌入式基础知识之片选

片选(CS或EN)片选信号对于外设芯片来讲，就是一个(也是一根)通知信号，告诉芯片“嘿，请开门，我要放些东西进来，或是拿些东西走”，这里的东西只能是数据，不可能是玉米棒什么的。那有个问题，这个信号源从哪里来呢？显然，只能从处理器来。那是不是也是像总线那样，每一个芯片都共用一根线连在一起呢？如果这样，可能处理器“一叫开门”所有的芯片都将“门”打开了。如果是处理器写数据，那可能所有的芯片都被写入同样的数据。而取数据时，每个外设芯片都向外“扔”数据，这一定会造成数据总线冲突，因为有的芯片向总线上“扔”1，有的则

原创 嵌入式基础知识之总线(Bus)

做嵌入式系统开发，经常要接触硬件。做嵌入式开发对数字电路和模拟电路要有一定的了解。这样才能深入的研究下去。下面我们简单的介绍嵌入式开发中的一些硬件相关的概念。总线(Bus)在嵌入式系统中一定会有一块处理器芯片，此外，还有其它的芯片作为外部设备(后面简称外设)，这些芯片与处理器协作实现产品的功能。复杂的产品往往是由大量的芯片组成的。那么不可避免的是我们需要将所有的外设与处理器进行相连，最为简单的是将所有的外设都采用独立(注意是独立)的信号线连接至处理器，这样的好处是容易理解，但问题是：不可行。因为处理