特气管路测试的目的是确保特气输送管道的外观完整、美观以及管道内部的耐压强度、密闭性能和洁净程度分析及各项测试都合乎工艺设备要求。
常规测试包括:
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压力测试(Pressure Test)
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氦测漏(HeLeak Test)
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微粒子测试(Particle Count)
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水含量分析 (loistueAnayzr)
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氧含量分析(Oxygen Analyzer)
测试流程图
压力测试(Pressure Test)
目的:保压测试的目的除了检查管道接头处是否有泄漏之外,另一目的则是在利用高于工作压力的气体压力保持在一段封闭管路内,经过一段时间后可检测出管道焊缝处是否有沙孔以及接头处是否可以承受如此高的压力而不出现泄漏现象,从而保证安全。
原理:将待测管路通入N2,使其压力达到使用压力的1.1倍或是7~9 Bar之间,在另一端接上记录器,经过一段时间后,检查是否有压降现象,若无压降表示该段管线已通过保压测试,反正,则需要检查压降所产生的原因,并在原因排出后重新做保压测试,直到无压降为止。
测试仪器:
氦测漏(HeLeak Test)
目的:由于氦气的分子较小,可侦测输出非常小的漏点,较保压测试相比氦测漏是检查细小微漏的最直接、有效的方法,当气体管道漏率达到1X10-9 mbar·l/s,方可以送气,如此才不会造成危险。
原理:将待测试管路用氦检仪抽至超近真空状态,当达到客户要求漏率时,使用氦气喷在焊道及接头上,若氦检仪无反应,则表示测试通过,若氦检仪有反应,则表示该点有泄漏,针对泄漏点进行处理。
测试仪器:
微粒子测试(Particle Count)
目的:颗粒在半导体厂中是不良率的罪魁祸首之一,尤其是在现在的制程要求越来越高的情况下,如管路中含有过多的颗粒,将对芯片的良率影响很大。
原理:利用取样气体流经镭射头,若有颗粒存在,则会造成晶体震荡器的震荡,通过震荡器来测出颗粒的大小及数量。
测试仪器:
水含量分析 (loistueAnayzr)
目的:晶片在生产过程中,原本大气中H2O会和Si产生化学反应H2O+Si=SiO2+2H2为原始的氧化层,如果管路的氧含量过高,原始的氧化层会超出原本计算好的厚度,如此将会严重影响后面的工艺制程。
原理:利用高纯氮气对待测试管路进行长时间的吹扫,将微量的水气带离管道,并在另一端接上水份仪,直到仪器上显示数值达到客户所要求的标准,为合格。
测试仪器:
氧含量分析(Oxygen Analyzer)
目的:晶片在生产过程中,原本大气中O2会和Si产生化学反应O2+Si=SiO2为原始的氧化层,如果管路的氧含量过高,原始的氧化层会超出原本计算好的厚度,如此将会严重影响后面的工艺制程。
原理:利用高纯氮气对待测试管路进行长时间的吹扫,将微量的氧份带离管道,并在另一端接上氧份仪,直到仪器上显示数值达到客户所要求的标准,为合格。
测试仪器: