西北工业大学大学物理(I)下2019-2020选填考题解析

单选题12个,24分。

1量子数考查

前三个量子数由薛定谔方程决定,最后一个关于自旋的由狄拉克方程决定

由这些量子数可以给出原子的壳层结构。考试其实考的不深,记住这个表就够了。

2 书上18、19章量子物理的著名实验:

光电效应(p241):金属被光照射时,有电子从金属中逸出的现象。由赫兹首先发现,继而由勒纳德,密里根等人完成了定量实验工作。

康普顿效应(p244):单色X射线被物质散射后,散射波中除存在原入射波长的射线外,还出现了另一个波长增大的射线。记住这个的两个规律。

戴尔逊-革末实验。1927,电子衍射实验,证明了电子具有波动性,同时也验证了德布罗意波公式的正确性。

汤姆孙实验。1927,电子衍射,再次证明。

施特恩-格拉赫实验。证实了电子角动量的空间量子化和其轨道磁矩的存在。

3

上面这两个表记好,这类问题难度就不大。

自由度是确定物体的空间位置需要的独立坐标数。单原子分子i=3,刚性多原子分子i=5,刚性多原子分子i=6。其实这些i值是怎么得出来的也很好去想,比如你把刚性多原子分子看成刚性细杆就行。其实我在一些教材上也发现了有关振动自由度的考量,本题中不涉及,不考虑。

但是,本题他问的是平均平动动能,这玩意只跟温度有关,所以前面讲的那些知识点对本题没意思。哈哈哈。

4 三种常见的统计速率你还记得吗?本题中考查了其中的最概然速率。你记住那个公式,本题就是几秒解决的事情。

5、6 、7下册第一二章内容。考试不考,不讲了。

8 磁场强度这个概念是在恒定磁场章节p125页引入的,之前还讲了一个磁化强度M。其实这个题考查的就是安培环路。若闭合曲线上各点H为0,则闭合曲线所包围的传导电流的代数和为0.

9 安培环路定理使用条件是稳恒电流磁场。这个题,两根无限长载流直导线,用磁感应强度叠加原理和安培环路定理求出即可。

10 动生电动势。磁场不变,导体或导体回路在磁场中运动而产生的感应电动势。

由公式可知,二者一样。

11 记住这个公式

12 位移电流。这东西是变化的电场所激发的电流。引入这个概念是为了进一步转化为全电流的安培环路定理。磁效应也是服从于安培环路定理。位移电流在真空、导体、电介质中均可存在。

填空题

6 本身这个平面在两侧就会产生匀强磁场,再叠加原理。主要是那个公式,B=μj/2

7 积分就行,高数知识。

8 先求出制冷系数,然后求出吸热,最后传入室内的等于吸热加功率(每秒)

9 康普顿散射。以为是考康普顿散射公式,谁知道就是个能量守恒。

10 就是考察八二末公式 m=2 n=无穷,波长最小

不过我很奇怪这个里德伯常量为什么开头不给出啊?

11 熟练掌握理想气体内能公式和理想气体状态方程即可得出。

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基于LSTM的财务因子预测选股模型LSTM (Long Short-Term Memory) 是一种特殊的循环神经网络(RNN)架构,用于处理具有长期依赖关系的序列数据。传统的RNN在处理长序列时往往会遇到梯度消失或梯度爆炸的问题,导致无法有效地捕捉长期依赖。LSTM通过引入门控机制(Gating Mechanism)和记忆单元(Memory Cell)来克服这些问题。 以下是LSTM的基本结构和主要组件: 记忆单元(Memory Cell):记忆单元是LSTM的核心,用于存储长期信息。它像一个传送带一样,在整个链上运行,只有一些小的线性交互。信息很容易地在其上保持不变。 输入门(Input Gate):输入门决定了哪些新的信息会被加入到记忆单元中。它由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 遗忘门(Forget Gate):遗忘门决定了哪些信息会从记忆单元中被丢弃或遗忘。它也由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 输出门(Output Gate):输出门决定了哪些信息会从记忆单元中输出到当前时刻的隐藏状态中。同样地,它也由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 LSTM的计算过程可以大致描述为: 通过遗忘门决定从记忆单元中丢弃哪些信息。 通过输入门决定哪些新的信息会被加入到记忆单元中。 更新记忆单元的状态。 通过输出门决定哪些信息会从记忆单元中输出到当前时刻的隐藏状态中。 由于LSTM能够有效地处理长期依赖关系,它在许多序列建模任务中都取得了很好的效果,如语音识别、文本生成、机器翻译、时序预测等。

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