文章目录
- 📚闪存基本原理
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- 🐇存储单元及相关操作
- 🐇闪存类型
- 🐇闪存组织结构
- 🐇擦、写、读操作
- 🐇阈值电压分布图
📚闪存基本原理
🐇存储单元及相关操作
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闪存是一种非易失性存储器,也就是说,即使掉电,存储在闪存中的数据也不会丢失。这是闪存能作为SSD存储介质的根本原因之一。
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⭐️闪存擦写原理
- 传统2D闪存的基本存储单元是一种类NMOS的浮栅晶体管。
- 浮栅晶体管由源极(Source)、漏极(Drain)和浮栅极(Floating Gate)组成。
- 浮栅极位于源极和漏极之间,由导体材料制成,上下被绝缘层包围。
- 存储在浮栅极的电子不会因为掉电而消失,保证了数据的非易失性。
- 把浮栅极里没有电子的状态用“1”来表示,存储一定量电子的状态用“0”表示:初始清空浮栅极里面的电子(通过擦除操作),当需要写“1”的时候&#
- 传统2D闪存的基本存储单元是一种类NMOS的浮栅晶体管。