随着电力电子技术进一步向高频的大功率用电领域发展,电子器件也一直是沿着提高频率和提高功率这两方面努力向前发展的,曾经用作电力开关的半导体器件有晶闸管,场控晶闸管(FCT),门极可关断晶闸管(GT0),双极型晶体管(BJT),结型场效应管(JFET),功率双极型品体管(GTR)和功率MOSFET等。
其中GTR和功率MOSFET是较新的功率半导体开关器件,但是它们仍然不能兼顾高频率和高功率。GT℉容易做到一定程度上的高电压大电流化,但难以做到高速化:功率MOSFET容易做到高速化,但由于其高耐压与低导通电阻之间的矛盾而难以做到大电流化。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)一方面保留了功率高速化的特点,另一方面又引入了一个双极型晶体管注入载流子来调制电导,解决了管的高耐压与低导通电阻之间的矛盾,是一种高频率、高功率器件。
IGBT是八十年代初出现的一种新型半导体功率器件,其电压控制输入特性伴随