计算机组成原理

一、动态随机存取存储器

1、SRAM静态随机存取存储器:主要运用了6个       MOS管，而DRAM动态随机存取存储器主要      运用1个MOS管个一个电容。所以DRAM的        所需元件更少，存储密度更高。

2、DRAM芯片的逻辑结构图（下图)

 3、DRAN读/写时序图（下图）

 4、改进方法:

（1）突发访问:在存储器同一行中对相邻的存储单元进行连续访问的方式，这样便不用行选，时间提高了。

（2）SDRAM 同步DRAM，同步主要是与CPU同步。在SDRAM时序图中，预充是指下次访问数据不在此次访问的行中，需要关闭当前行，另选地址行。

（3）双倍数据率 SDAM  (DDR SDRAM)                   最大特点:在时钟的上升沿和下降沿都能     传输数据。双倍数据率结构本质上是一个2n预取结构(DDR1):内部总线宽度是外部总线宽度的两倍。DDR2:采用4n预取结构，将数据总线的时钟频率提升至内部传输频率的2倍。   DDR3:采取8n预取结构。DDR4:  依然采取8n预取，但是允许使用两个或者四个存储体组。

5、CDRAM                                                                     是一种附带高速缓冲存储器的动态存储器，cache由SRAM构成。                         CDRAM芯片结构图