常用半导体器件
三极管
IEN:发射结Je正偏,所以Je两侧的多子的扩散占优势,因而发射区的电子源源不断的超过Je注入到基区,形成电子注入电流IEN。
IEP:基区的空穴也向发射区注入,形成空穴注入电流IEP
IBN:基区中与电子复合的空穴由基极电源提供,形成基区复合电流IBN(基极电流的主要部分)
ICN:由于集电结Jc反偏,形成了较强的电场,所以,扩散到Jc边沿的电子在该电场作用下漂移到集电区,形成集电区的收集电流ICN(构成集电极电流Ic的主要部分)。
ICBO:集电区和基区的少子在Jc的反偏压的作用下,向对方漂移形成Jc的反向饱和电流,并流过集电极和基极支路,构成IB和IC的另一部分电流。