3.18号arm-CSDN博客

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_70839106/article/details/136817510

本文详细介绍了ARM汇编中的跳转指令、内存读写操作，包括单寄存器和批量操作，以及状态寄存器CPSR的传送和软中断的产生。此外，还涵盖了异常模式、异常向量表和异常处理流程的关键步骤。

摘要由CSDN通过智能技术生成

4 跳转指令

实现汇编程序跳转的两种方式

直接修改PC的值

mov pc , #0x04

通过跳转指令跳转

b 标签

@程序跳转到指定的标签下执行，此时LR寄存器不保存返回地址

bl 标签

@程序跳转到指定的标签下执行，此时LR寄存器保存返回地址

5 内存读写指令（重点）

查看可用内存

查看指定内存数据

5.1 单寄存器内存读写指令

从内存中读取一个寄存器大小的数据或者向内存中写入一个寄存器的数据

写操作

str{条件码} 目标寄存器，[目标地址] @将目标寄存器的数值写入到目标地址为首地址的内存中，写入4字节数据
strh{条件码} 目标寄存器，[目标地址] @将目标寄存器的数值写入到目标地址为首地址的内存中，写入2字节数据
strb{条件码} 目标寄存器，[目标地址] @将目标寄存器的数值写入到目标地址为首地址的内存中，写入1字节数据

读操作

ldr{条件码} 目标寄存器,[目标地址] @从目标地址为首地址的内存中读取4字节数据保存到目标寄存器
ldrh{条件码} 目标寄存器,[目标地址] @从目标地址为首地址的内存中读取2字节数据保存到目标寄存器
ldrb{条件码} 目标寄存器,[目标地址] @从目标地址为首地址的内存中读取1字节数据保存到目标寄存器

单寄存器读写时地址索引方式

前索引

str{条件码} 目标寄存器，[基地址,偏移量] @将目标寄存器的数值写入到以基地址+偏移量为首地址的内存中，写入4字节数据

ldr{条件码} 目标寄存器,[基地址，偏移量] @从基地址+偏移量为首地址的内存中读取4字节数据保存到目标寄存器

后索引

str{条件码} 目标寄存器，[基地址],偏移量 @将目标寄存器的数值写入到以基地址为首地址的内存中，然后基地址改变数值偏移量大小

ldr{条件码} 目标寄存器,[基地址],偏移量 @从基地址为首地址的内存中读取4字节数据保存到目标寄存器，基地址数值增加偏移量大小

自动索引

str{条件码} 目标寄存器，[基地址,偏移量]! @将目标寄存器的数值写入到以基地址+偏移量为首地址的内存中，然后基地址数值增加偏移量大小

ldr{条件码} 目标寄存器,[基地址,偏移量]! @从基地址+偏移量为首地址的内存中读取4字节数据保存到目标寄存器，基地址数值增加偏移量大小

5.2 批量寄存器内存读写方式

将多个寄存器的数值向内存中写入或者从内存中读取多个寄存器大小的数据放到寄存器中

写：
stm 基地址，{寄存器列表} @将寄存器列表中寄存器的数值写入到基地址位首地址的内存中
读：
ldm 基地址，{寄存器列表} @从基地址为首地址的内存中读取多个字节的数据写入到寄存器列表中每个寄存器中

注意：
1.寄存器列表中寄存器可以用'，'分隔，如果寄存器列表中寄存器编号连续，可以用'-'链接一片连续的寄存器
2.不管寄存器列表中寄存器编号的顺序是怎么样的，处理器操作时永远是低地址对应小编号寄存器

批量寄存器内存读写时基地址的增长方式

通过基地址的地址增长方式设置可以让我们操作内存的同时让基地址也发生变化，可以防止前一次的数据被后一次覆盖

地址增长方式分为ia\ib\da\db四种不同的方式：

stmia 基地址!，{寄存器列表} @先向基地址内存中写入数据，基地址数值往地址大的方向增长

stmib 基地址!，{寄存器列表} @先让基地址数值往地址大的方向增长，然后向基地址内存写入数据

stmda 基地址!，{寄存器列表} @先向基地址内存中写入数据，基地址数值往地址小的方向增长

stmdb 基地址!，{寄存器列表} @先让基地址数值往地址小的方向增长，然后向基地址内存写入数据

5.3 栈内存的读写

在内存中会分配一段内存，叫做栈内存，主要用于保存一些临时数据。操作栈时需要栈顶的地址，栈顶地址保存在SP中。

栈的分类

1.根据栈指针地址增长的方式，分为增栈和减栈
增栈：操作栈时栈指针往高地址增长 A
减栈：操作栈时栈指针往低地址增长 D
2.根据压栈结束后栈指针指向的内存中有没有有效数据，分为空栈和满栈
空栈：压栈结束后栈指针指向的内存中没有有效数据 E
满栈：压栈结束后栈指针指向的内存中有有效数据 F

根据上面的划分标准，栈分为空增栈（EA）、满增栈（FA）、空减栈（ED）、满减栈（FD）