谈谈计组中的死区，结合三种刷新方式

在学习存储器时对死区的理解很迷惑，遂整理一下，本文主要参考唐朔飞老师第三版和26王道计组。
个人认为408不会专考死区，最多会问哪种刷新方式存在/不存在死时间，因此考研党重点关注三种刷新方式，对此不必深究。

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概念

三种刷新方式

众所周知，DRAM是通过存储元电路中的栅极电容上的电荷工作的，由于电荷会流失（每隔1~2ms）和破坏性读入需要读后再生，故需要不断的刷新，可以简单理解为不断的给电容充电。

刷新有三种方式，分别为：集中刷新，分散刷新和异步刷新（结合前两种）。下面分别给出唐朔飞第三版计组书中的定义。

集中刷新：规定一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新。

可见，将一个刷新周期分为4000个短周期，每个短周期为2微秒。刷新时间被集中安排在了最后128个周期，共64微秒，在这64微秒的刷新时间内进行读/写操作，cpu不能对存储器进行访问，故称为“时间”，也成为访存“死区”。顾名思义，这种方式被称为集中刷新。

分散刷新：是指对每行存储单元的刷新时间分散到每个存取周期内完成。其中将机器的存取周期tc（tc=tm+tr）分成两半，前半段tm用来读/写操作或维持信息，后半段tr用来刷新。

相同情况下，比集中刷新方式时间间隔要短的多，而且不存在停止读写操/作的死时间，但存取周期长了，整个系统的速度降低了。

异步刷新：是前两种方式的结合，它既可以缩短“死时间”，又可以充分利用最大刷新间隔。具体做法是，将刷新周期除以行数，得到相邻两行之间刷新的时间间隔t，这样可以让死时间分布的更加分散，避免让CPU连续等待过长的时间。

异步方式克服了分散刷新独占的时间，使得整体的存取周期加长且降低系统速度的缺点，又不会出现集中刷新的访存“死区问题”，从根本上提高了整机的工作效率。

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讨论—死区存在问题

异步刷新和分散刷新都是以某种方式将死区分散到短周期里，为什么说异步刷新不存在死区，而分散刷新存在死区？？？？

这个问题其实很简单，但我弄了很久才明白。

实际上，王道和唐朔飞老师的书中并没有明确给出死区的定义，查阅资料后，总结下来，死区通常是指CPU无法进行访存操作，从而显著影响系统性能的不可用时间段。

所以上面说死区在三种刷新方式中都是存在的，其实这种观点也对，只是我们应注意定义中“显著”两字。

在集中刷新中，固定周期内来纳许执行所有的刷新操作，此时系统完全无法响应读写请求，形成了集中且长时间的死时间。

在分散刷新中，将刷新操作均匀拆分成极短的时间片，按固定间隔插入到存取周期中，每次刷新仅仅占用极小的时间窗口，系统几乎感受不到死区。

在异步刷新中，刷新操作其实由一个叫独立计时器触发，它可以动态的选择“空闲时间”执行，但是系统该段时间的负载不确定（类比计网中的网络负载），可能会将刷新操作集中在相邻存取周期中执行，导致死区被动积累（但其实这种概率很小），从而显著影响了系统的性能。
故可以认为：

总结—从系统整体角度看

死区是一种负载，既然作为负载，其实就说明了它的不可预测与未知。简单来说就是你无法知晓未来一段时间到底会产生多少死区时间，这完全是基于时间序列的不规则变化。

但我们却可以通过系统调度去处理这些时间，使得它对计算机的影响小之又小，从而对整个系统“透明”。事实上，现代计算机已经很好的优化的该问题，我们几乎感受不到影响。