第四章 半导体的导电性
4.1 载流子的漂移运动和迁移率
4.1.1欧姆定律
欧姆定律描述了电流、电压和电阻之间的关系: I = V R I = \frac{V}{R} I=RV。在半导体中,当施加电场时,载流子(电子和空穴)会发生漂移运动,形成电流。
4.2.2漂移速度和迁移
漂移速度是载流子在电场作用下的平均移动速度。迁移率是描述载流子在电场中移动能力的物理量,定义为载流子漂移速度与电场强度之比。
4.1.3半导体的电导率和迁移率
电导率 σ \sigma σ是材料导电能力的度量,与迁移率 μ \mu μ和载流子浓度 n n n 或 p p p有关:
σ = n q μ \sigma = nq\mu σ=nqμ 或 σ = p q μ \sigma = pq\mu σ=pqμ,
其中 (q) 是载流子的电荷量。
4.2 载流子的散射
4.2.1载流子散射的概念
载流子散射是指载流子在运动过程中与其他粒子(如晶格振动、杂质、缺陷等)发生碰撞而改变其运动方向或能量的过程。
4.2.2半导体主要散射机构
半导体中的主要散射机构包括晶格振动散射(声子散射)、杂质散射、电离杂质散射、中性杂质散射和缺陷散射等。
4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.3.1平均自由时间混合和散射概率的关系
平均自由时间