微电子技术是以集成电路为核心的电子技术
集成电路发明者为杰克·基尔比 (基于锗(Ge)的集成电路)和罗伯特·诺伊斯 (基于硅(Si)的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
集成电路(Intergrated Circuit,IC)
采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管 、电阻 、电容 和电感 等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体 晶片或介质 基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。
优点 | Advantages
体积小、重量轻; 功耗小、成本低; 速度快,可靠性高。
分类:
按用途分类:
通用集成电路(General Purpose Integrated Curcuit)
通用集成电路(General Purpose Inte grated Circuit)是一种设计用于实现多种功能的集成电路。通用集成电路具有灵活性和可编程 性的特点,可以通过编程或配置来实现不同的功能。它通常包括通用输入输出端口 、通用计算单元和通用存储单元等基本功能模块。通用集成电路的设计基础是可重构电路结构,可以通过改变其内部连接方式和配置参数 来实现不同的功能要求。 专用集成电路(Application-specific integrated circuit,ASIC)
专用集成电路(Applic ation Specific Integrated Circuit)是一种专门为特定应用领域而设计的集成电路。专用集成电路具有高度定制化和专业化的特点,通常由制造商根据特定的需求和要求来设计和生产。专用集成电路的设计基础是定制化电路结构,其内部的硬件 连接和功能是针对特定应用场景而优化的。 按电路的功能分类:
数字集成电路
数字集成电路是对离散的数字信号 (如用 0 和 1 两个逻辑电平来表示的二进制码)进行算术和逻辑运算的集成电路,其基本组成单位为逻辑门电路, 包含存储器(DRAM 、Flash 等)、逻辑电路(PLDs、门阵列、显示驱动器 等)、微型元件(MPU、MCU 、 DSP )。 模拟集成电路
模拟集成电路主要是指由电阻 、电容 、晶体管 等组成的模拟电路集成在一起用来处理连续函数形式模拟信号 (如声音、光线、温度等)的集成电路, 包含通用模拟电路(接口 、能源管理、信号转换等)和特殊应用模拟电路。 按晶体管结构、电路和工艺分类:
双极型(Bipolar)电路
在半导体内,多数载流子和少数载流子两种极性的载流子(空穴和电子)都参与有源元件的导电,如通常的NPN或PNP双极型晶体管 。以这类晶体管为基础的单片集成电路 ,称为双极型集成电路。 金属氧化物半导体(MOS)电路
MOS集成电路是以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管 为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定。 MOS集成电路是一种常用的集成电路。最小单元是反相器,由两只金属一氧化物-半导体场效应晶体管组成。这种集成工艺主要用于数字集成电路 的制造,电路集成度可以很高。 按集成度(芯片中所含的元器件数目)分类:
按集成度分类
集成电路规模 元器件数目 小规模集成(SSI)电路 门电路在10个以内或元器件数不超过100个; 中规模集成(MSI)电路: 包含的门电路在10~100个之间或元器件数在100~1000个之间; 大规模集成(LSI)电路 包含的门电路在100个以上或元器件数在1000~1万个之间; 超大规模集成(VLSI)电路 包含的门电路在1万个以上或元器件数在10万~100万个之间; 特大规模集成(ULSI)电路 门电路在10万个以上,或元器件数在100万~1000万个之间。