一些基础定义

存储器的层次结构

 

1. 寄存器：

   - 最快的存储单元，通常集成在CPU内部。

   - 存储容量非常小，通常只有几十到几百字节。

   - 用于存储立即需要的指令和操作数。

 

2. 缓存存储器（Cache Memory）：

   - 分为L1、L2、L3缓存，L1最快但容量最小，L3最慢但容量最大。

   - L1缓存通常分为指令缓存和数据缓存。

   - 使用SRAM技术，具有非常低的存取时间。

   - 缓存行（Cache Line）通常是32到64字节。

 

3. 主存储器（Main Memory/RAM）：

   - 通常指的是DRAM，速度比缓存慢但容量大。

   - 需要定期刷新以保持数据。

   - 通过内存控制器与CPU和I/O设备通信。

 

4. 辅助存储器（Secondary Storage）：

   - 硬盘驱动器（HDD）：使用磁头读写磁盘上的数据。

   - 固态驱动器（SSD）：使用闪存芯片，无机械运动，速度快于HDD。

 

5. 离线存储器（Offline Storage）：

   - 可移动存储介质，如光盘、U盘、磁带。

   - 通常用于数据备份和归档。

 

存储器分类

 

1. 随机存取存储器（RAM）：

   - SRAM：速度快，使用晶体管作为存储单元，用于缓存。

   - DRAM：较慢，使用电容作为存储单元，用于主存。

 

2. 只读存储器（ROM）：

   - PROM：可编程一次。

   - EPROM：可多次编程，但需要紫外线擦除。

   - EEPROM：电可擦除可编程，可字节寻址。

 

3. 闪存（Flash Memory）：

   - 类似于EEPROM，但以块为单位进行擦写。

   - 用于固态驱动器、USB闪存盘等。

 

存储器性能指标

 

1. 存储容量：

   - 以位（bit）为单位，通常以字节（Byte）或更大单位（KB、MB、GB、TB）表示。

 

2. 存取时间：

   - 包括地址设置时间、数据稳定时间和读取时间。

 

3. 带宽：

   - 单位时间内可以传输的数据量，通常以每秒传输的位数（bps）或字节（Bps）表示。

 

4. 功耗：

   - 包括静态功耗（泄漏电流）和动态功耗（读写操作时的功耗）。

 

存储器管理

 

1. 地址映射：

   - 直接映射：每个主存块映射到缓存中的一个固定位置。

   - 全相联映射：主存块可以映射到缓存的任何位置。

   - 组相联映射：是直接映射和全相联映射的折中方案。

 

2. 替换策略：

   - 随机替换：随机选择一个块进行替换。

   - 先进先出（FIFO）：替换最早被加载的块。

   - 最少使用（LRU）：替换最长时间未被使用的块。

 

3. 写策略：

   - 写直达（Write Through）：同时写入缓存和主存。

   - 写回（Write Back）：仅写入缓存，并在缓存块被替换时才写入主存。

 

缓存相关

 

1. 缓存一致性：

   - 在多处理器系统中，确保所有处理器看到的共享数据是一致的。

 

2. 缓存行填充：

   - 当缓存行被部分加载时，通常会预加载整个缓存行。

 

存储器技术

 

1. 静态存储器（SRAM）：

   - 使用交叉耦合的反相器作为存储单元。

 

2. 动态存储器（DRAM）：

   - 使用电容存储电荷，需要定期刷新。

 

3. 相变存储器（PCM）：

   - 利用材料在不同相态下的电阻差异来存储数据。

 

4. 磁阻存储器（MRAM）：

   - 利用磁性隧道结的磁阻效应来存储数据。

 

存储器接口

 

1. 数据总线：

   - 宽度通常与CPU的字长相同，如32位、64位。

 

2. 地址总线：

   - 宽度决定了存储器的寻址能力，如32位地址总线可以寻址4GB的内存。

 

3. 控制总线：

   - 包括读/写信号、内存选择信号等。

 

存储器层次结构优化

 

1. 空间局部性：

   - 程序和数据通常在内存中连续存储，因此访问了一个位置后，很可能在不久的将来再次访问邻近的位置。

 

2. 时间局部性：

   - 指的是如果一个信息项被访问，那么它在不久的将来很可能再次被访问。这是缓存设计的基本原则之一。

 

存储器技术进展

 

1. 3D NAND：

   - 通过垂直堆叠存储单元来大幅提高存储密度，与传统的平面NAND闪存相比，3D NAND可以在相同的面积内容纳更多的存储单元。

   - 这降低了每比特的成本，提高了存储设备的容量。

 

2. 非易失性内存技术（NVM）：

   - Intel Optane：一种基于3D XPoint技术的存储介质，它结合了DRAM的速度和闪存的非易失性特性。

   - NVM Express (NVMe)：一种主机控制器接口和存储协议，旨在利用PCI Express (PCIe)总线，为SSD提供更快的数据传输速度。

 

存储器管理细节

 

1. 地址映射的细节：

   - 直接映射缓存：每个主存块只能映射到缓存中的一个特定位置。这导致冲突失效的可能性较高。

   - 全相联缓存：每个主存块可以映射到缓存的任何位置，这减少了冲突失效，但增加了硬件复杂性和成本。

   - 组相联缓存：将缓存分为多个组，每组包含多个缓存行。每个主存块可以映射到一组中的任何位置，是直接映射和全相联映射的折中方案。

 

2. 替换策略的细节：

   - 随机替换：简单但可能不是最优的，因为它不考虑缓存行的使用历史。

   - FIFO：可能导致Belady异常，即增加缓存大小反而增加了缓存未命中的次数。

   - LRU：是最优的替换策略，但实现成本高，因为它需要跟踪缓存行的使用历史。

 

3. 写策略的细节：

   - 写直达：简单且可靠，但增加了总线流量和写延迟。

   - 写回：减少了总线流量和写延迟，但需要额外的硬件来跟踪哪些缓存行被修改过（脏位）。

 

缓存一致性的细节

 

- 在多处理器系统中，当多个处理器都有自己的缓存时，必须确保它们对共享数据的视图是一致的。

- MESI协议：是最著名的缓存一致性协议之一，它定义了缓存行的四种状态：修改（Modified）、独占（Exclusive）、共享（Shared）和无效（Invalid）。

 

存储器技术的细节

 

- SRAM的细节：由六个晶体管组成一个存储单元，速度快，但面积大，功耗高。

- DRAM的细节：每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成，面积小，功耗低，但速度慢，需要刷新操作。

- PCM的细节：利用材料的相变特性，如从非晶态到晶态的变化，来存储数据。PCM具有读写速度快、耐用性强等特点。

- MRAM的细节：利用磁性隧道结的磁阻效应，具有非易失性、快速读写、高耐用性和低功耗等特点。