ST Flash模拟EEProm x-cube-eeprom(转载)

最新推荐文章于 2024-08-19 13:32:53 发布

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文章标签：单片机 stm32 嵌入式硬件

原文链接：https://www.jianshu.com/p/a0efb89c5832

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本文档介绍了如何在STM32项目中将原本使用AT24C02存储系统配置参数改为使用内部Flash，并利用ST的X-CUBE-EEPROM模块来模拟EEPROM，以实现擦写平衡和磨损均衡。主要步骤包括配置和初始化模块、修改Flash接口、设定变量数量和起始页地址，以及重写读写接口。该方法简化了用户对Flash操作的复杂性，增强了系统的鲁棒性。

摘要由CSDN通过智能技术生成

原项目使用了一颗AT24C02来存储系统配置参数，为了降低成本，需要把这颗料砍掉，将配置参数保存到MCU内部的Flash上。这个改动其实简单，也就是读写内部flash而已，但是如果需要考虑擦写平衡这些特性，自己写就比较麻烦。而ST官方提供了一个使用内部Flash模拟EEPROM的模块，叫X-CUBE-EEPROM，包括了这些特性，实用性更强。
下面是从‘EEPROM emulation in STM32L4 series microcontrollers' (AN4894)中摘抄的特性介绍，更详细的说明还是看文档吧：

Lightweight implementation and reduced footprint
Simple API that consists of a few functions to format, initialize, read and write data, and clean up Flash memory pages
At least two Flash memory pages to be used for internal data management
Clean-up simplified for the user (background page erase)
Wear leveling algorithm to increase emulated EEPROM cycling capability
Robust against asynchronous resets and power failures.

轻量级其实是相对的，对于最简单擦写，1个page就可以了，比这个还轻量。使用这个模块看重无非是最后两点，毕竟Flash和EEPROM的特性是不一样的。

EEPROM_Emul的结构

EEPROM_Emul还是挺轻量的，没几个文件，就两部分核心实现和flash接口。使用前还需要做些额外的工作：

将eeprom_emul_conf_template.h拷贝到自己的应用程序路径下，重命名为eeprom_emul_conf.h。我这里就直接重命名了。
修改flash_interface.c里的GetBankNumber函数，我使用的是STM32L431，只有一个bank，所以直接return FLASH_BANK_1;。别的型号可能不需要改这部分。

EEPROM_Emul的配置

在AN4894文档的4.1.3节详细介绍了eeprom_emul_conf.h中各个宏。

这里我只改动NB_OF_VARIABLES和START_PAGE_ADDRESS。

NB_OF_VARIABLES设置为256；AT24C02也就256B，够用了。
重点讲一下怎么确定START_PAGE_ADDRESS。在eeprom_emul.h里有这么一个宏PAGES_NUMBER，

#define PAGES_NUMBER            (((((NB_OF_VARIABLES + NB_MAX_ELEMENTS_BY_PAGE) / NB_MAX_ELEMENTS_BY_PAGE) * 2U) * CYCLES_NUMBER) + GUARD_PAGES_NUMBER)

表示共使用了多少个PAGE来模拟EEPROM，它的值取决于配置和移植的多个宏。所以在配置好除START_PAGE_ADDRESS外的宏后，根据配置去计算PAGES_NUMBER的值。START_PAGE_ADDRESS到flash结尾的空间必须 ≥ (PAGES_NUMBERPAGE_SIZE)，否则在初始化时会出现Hardfault。*

EEPROM_Emul的使用

1、调用EE_Init(VirtAddVarTab, EE_FORCED_ERASE);进行初始化；
VirtAddVarTab是一个数组，保存到是虚拟EEPROM的地址，这个地址可以是连续的也可以是不连续的，但不能是0x0000或者0xFFFF。
EE_FORCED_ERASE是默认使用参数，如果能保证在擦写的时候是安全的(不会复位或者掉电)，那也可以用EE_CONDITIONAL_ERASE这个参数。

2、重写原来的EEPROM写接口，这里在触发clean时使用查询模式，EE_CleanUp()；

void EEPROM_WriteData(uint8_t Reg, uint8_t Value)
{
  EE_Status ee_status = EE_OK;

  /* Unlock the Flash Program Erase controller */
  HAL_FLASH_Unlock();

  ee_status = EE_WriteVariable8bits(VirtAddVarTab[Reg], Value);

  /* Start cleanup polling mode, if cleanup is needed */
  if ((ee_status & EE_STATUSMASK_CLEANUP) == EE_STATUSMASK_CLEANUP)
  {
    ee_status |= EE_CleanUp();
  }

  /* Lock the Flash Program Erase controller */
  HAL_FLASH_Lock();

  if (ee_status != EE_OK)
  {
    printf("Write EEPROM_EMUL failed at addr %x\r\n", Reg);
  }
}

3、重写原来的EEPROM读接口；

uint8_t EEPROM_ReadData(uint8_t Reg)
{
  EE_Status ee_status = EE_OK;
  uint8_t value = 0;

  ee_status = EE_ReadVariable8bits(VirtAddVarTab[Reg], &value);

  if (ee_status != EE_OK)
  {
    printf("Read EEPROM_EMUL failed at addr %x\r\n", Reg);
  }

  return value;
}

作者：tianxiaoMCU
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来源：简书
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