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RSS订阅原创 中广芯源DC-DC升压芯片 16V升压32V 1A 效率93 外置MOS 50N06 DFN5*6
中广芯源DC-DC升压芯片 16V升压32V 1A 效率93 外置MOS 50N06 DFN5*6
2024-04-22 17:34:30
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原创 高精密基准源 国产替代 REF191 ADR4520 ADR420 ADR430 ADR440 REF5020 MAX6126
高精密基准源 国产替代 REF191 ADR4520 ADR420 ADR430 ADR440 REF5020 MAX6126。
2024-03-27 17:53:15
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原创 高精密基准源 仪表放大器 国产替代 AD820 OP777 AD8641
高精密基准源 仪表放大器 国产替代 AD820 OP777 AD8641。
2024-03-19 15:03:42
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原创 MP2494图纸 国产替代型号SC72001宽工作输入电压范围：4.5V 至 80V
MP2494 是一款单片降压开关变换器。它在宽输入范围内可实现 2A 连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。其控制良好的开关沿降低了 EMI 干扰。故障保护功能包括逐周期限流保护和过温关断保护。MP2494 最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用。MP2494采用SOIC8 和 SOIC8E封装。宽工作输入电压范围：4.5V 至 55V。采用低 ESR 输出陶瓷电容器可稳定工作。采用SOIC8 和 SOIC8E封装。可调输出电压：0.8V 至 15V。100kHz 固定频率。
2024-03-05 16:46:41
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原创 15-55V输入自动升降压 光伏MPPT自动跟踪充电方案 大功率300瓦
MPPT，全称为Maximum Power Point Tracking，即最大功点跟踪，它是一种通过调节电气模块的工作状态，使光伏板能够输出更多电能的电气系统能够将太阳能电池板发出的直流电有效地贮存在蓄电池中，可有效地解决常规电网不能覆盖的偏远地区及旅游地区的生活和工业用电，而不产生环境污染。1.MPPT原理--简介。
2024-02-27 17:44:20
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原创 15-36V降压充电光伏MPPT充电方案
如图所示，串连在一起的扰动电阻R和MOSFET，在输出电压基本稳定的情况下，然后通过改变MOSFET的占空比，来改变通过电阻的平均电流，因此产生了电流的扰动。电池组件的输出要受到外电路的影响。MPPT，全称为Maximum Power Point Tracking，即最大功点跟踪，它是一种通过调节电气模块的工作状态，使光伏板能够输出更多电能的电气系统能够将太阳能电池板发出的直流电有效地贮存在蓄电池中，可有效地解决常规电网不能覆盖的偏远地区及旅游地区的生活和工业用电，而不产生环境污染。
2024-02-23 16:35:35
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原创 15-55V输入自动升降压 光伏MPPT自动跟踪充电方案 大功率300瓦
如图所示，串连在一起的扰动电阻R和MOSFET，在输出电压基本稳定的情况下，然后通过改变MOSFET的占空比，来改变通过电阻的平均电流，因此产生了电流的扰动。MPPT，全称为Maximum Power Point Tracking，即最大功点跟踪，它是一种通过调节电气模块的工作状态，使光伏板能够输出更多电能的电气系统能够将太阳能电池板发出的直流电有效地贮存在蓄电池中，可有效地解决常规电网不能覆盖的偏远地区及旅游地区的生活和工业用电，而不产生环境污染。3.MPPT原理--为什么要使用MPPT?
2024-02-19 17:22:28
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原创 DC-DC升压/降压 隔离电源解决方案PCB和原理图
DC-DC电源模块的外形尺寸和输出形式差异很大。SMT形式的变换器应能承受规定的焊接条件。DC-DC电源模块的众多优点是大家众所周知的，DC-DC电源模块以其体积小巧、性能卓异、使用方便的显著特点，在通信、网络、工控、铁路、军事等领域日益得到广泛的应用。很多技术设计人员已经意识到：正确合理地选用DC-DC电源模块，可以省却电源设计、调试方面的麻烦，将主要精力集中在自己专业的领域，这样不仅可以提高整体系统的可靠性和设计水平，而且更重要的是缩短了整个产品的研发周期，为在激烈的市场竞争中领先致胜赢得了宝贵商机。
2024-01-08 16:32:41
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原创 24V输入 输出12V 5A长时间 峰值6A 7A 40V耐压 8-10A输出 大功率降压
24V输入 输出12V 5A长时间 峰值6 A 7A 40V耐压 8-10A输出 大功率降压。
2023-12-21 15:59:08
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原创 100V耐压内置MOS ESOP8 40V输入转5V 2.1A恒压输出
100V耐压内置MOS ESOP8 40V输入转5V 2.1A恒压输出。可提供免费样品和测试板。
2023-12-21 15:49:57
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原创 100V耐压 内置MOS ESOP8 40V输入 转5V 2.1A恒压输出
100V耐压内置MOSESOP840V输入转5V2.1A恒压输出芯片测试数据如下图：
2023-12-14 15:00:50
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原创 100V耐压 3A峰值电流 60V 72V输入 输出12V 1.5A内置MOS 大电流降压芯片
100V耐压 3A峰值电流 60V 72V输入 输出12V 1.5A内置MOS 大电流降压芯片
2023-12-08 16:33:01
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原创 SC3671升降压应用 10-30V输入区间 输出 12V 2A 恒压输出
SC3671升降压应用 10-30V输入区间 输出 12V 2A 恒压输出。10V-24V输入 升降压输出12V3A 外置MOS 大电流。
2023-11-29 10:09:33
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原创 12V升压18V 1A 内置MOS 升压芯片5-35V输入内置MOS升压IC
12V升压18V 1A 内置MOS 升压芯片5-35V输入内置MOS升压IC
2023-11-17 16:50:10
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原创 3.7升压5V3A SOT23-5 外置MOS 升压芯片 单节锂电升压5V 2.5-3A
3.7升压5V 3A SOT23-5 外置MOS 升压芯片 单节锂电升压5V 2.5-3A
2023-11-17 16:48:58
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原创 6-8.4V输入 双节锂电输入 输出19V 1.5-2A 外置MOS 大电流升压芯片
6-8.4V输入 双节锂电输入 输出19V 1.5-2A 外置MOS 大电流升压芯片
2023-11-14 14:48:40
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原创 24V输入 输出12V5A长时间 峰值6 A .7A 40V耐压 8-10A输出 大功率降压
24V输入 输出12V5A长时间 峰值6 A .7A 40V耐压 8-10A输出 大功率降压
2023-11-11 13:55:54
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原创 GS3661V1 3.7升压5V 3A SOT23-5封装 外置MOS 升压芯片 单节锂电升压5V 2.5-3A
GS3661V1 3.7升压5V 3A SOT23-5封装 外置MOS 升压芯片 单节锂电升压5V 2.5-3A
2023-11-10 16:03:48
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原创 5V输入 升压20V 500-800毫安输出 外置MOS 升压芯片
5V输入 升压20V 500-800毫安输出 外置MOS 升压芯片 SOT23-5封装
2023-11-09 10:00:14
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原创 20V输入转12V 8-10A恒压输出 带限流保护 双MOS 外置大功率降压芯片
20V输入转12V 8-10A恒压输出 带限流保护 双MOS 外置大功率降压芯片
2023-11-09 09:55:22
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原创 10V-24V输入 升降压输出12V3A 外置MOS 大电流升降压芯片
10V-24V输入 升降压输出12V3A 外置MOS 大电流升降压芯片 SOP8封装
2023-11-09 09:51:12
70
原创 中广芯源 N沟道 MOS管 SC100N02 100A 20V TO252-3封装
中广芯源 N沟道 MOS管 SC100N02 100A 20V TO252-3封装
2023-11-03 14:03:07
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原创 N沟道MOS管 5N60 5A 600V TO252 TO220封装 用于开关电源 LED照明 电源适配器
650V 1200V 碳化硅 氮化家 超结COOLMOS 内阻40-190-380毫欧LCF65R084B。中广650V超结高压COOLMOS 内阻40毫欧NCE70R1K2D型号IPP65R060CFD7。中广650V超结高压COOLMOS 内阻40毫欧NCE70R1K2D型号IPP65R060CFD7。电子元器件 AP50P10P 中广芯源AP30N06D 30A 60V TO-252 充电MOS管。中广芯源650V超结MOS 40室欧IPW65R041CFD7提供样品 可调式AP3G02LI。
2023-10-30 17:56:00
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原创 SC212 20V 12A 内阻10毫欧 小封装 SOT23-3L
SC212 20V 12A 内阻10毫欧 小封装 SOT23-3L，替代AO3416NCE20P07N
2023-10-18 15:14:28
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