mkfounderR的博客

NAND Flash因其高密度、低成本优势成为嵌入式存储的主流选择，但它的物理特性决定了它并非"即插即用"的可靠介质。与NOR Flash不同，NAND Flash存在位翻转、读干扰、擦写寿命有限等先天性问题——这些问题不解决，存储数据可能在数月甚至数周内出现不可恢复的错误。本文以米客方德MKPV1G08IT-AFX这颗采用TSOP-48封装的1Gb SLC NAND芯片为载体，从ECC纠错、读干扰防护、磨损均衡三个维度，讨论并行NAND存储的可靠性设计实践。