由于芯片对于18个通道和4个温度是轮询转换的,电池电压通道则是由低到高进行转换,在通道切换过程中,由上一侧通道给内部采样电容充电的过程,则会在输入电阻上产生压降(1V~2V左右),此时外部均衡PNP三极管会导通,如下图所示:
内部高压开关切换的设计时间为16us,每个通道轮询的周期为250ms,与测试PNP三极管导通时间和导通周期近似接近。理论和现象可以对应。
假设均衡电流为100mA,导通时间为18us,周期为250ms,那么平均电流Iavg计算如下:
Iavg=100mA*18us/250ms=7.2uA
根据上述计算,目前PNP三极管导通18us,导通周期250ms,导通电流为100mA时,表示每个电池平均功耗增加7.2uA,如果均衡电流为50mA,那么每节电池的平均功耗多增加3.6uA,对于系统应用影响较小。
第一节电池的均衡电流比其他的小是因为C0对GND在芯片里面有正反向二极管,开均衡时候会钳位到0.5V左右的电压。如果外部加的有C0阴极的二极管管压降为0.2V左右,则第一节均匀打不开。
内部均衡MOS管导通电阻是20~50欧姆,芯片内部还串联的一个100欧姆电阻,总共就是120~150欧姆。
均衡开关不建议使用MOS,需要用NPN三极管!