应用在电源MOSFET驱动器中的光耦

MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MOSFET中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达114V的电压条件下运行。
MOSFET驱动器
MOSFET又叫场效应管,输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,因导通内阻低、开关速度快等优点而广泛应用于开关电源中。在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑导通电阻、最大电压、最大电流,常根据电源IC和MOSFET的参数来选择合适的电路。但很多时候仅仅考虑了这些因素并不是一个好的设计方案,还应考虑本身寄生的参数。Mos管驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等都会影响MOSFET的开关性能。
MOSFET驱动电路五种要求:
1、开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
2、开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
3、关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。
4、驱动电路结构简单可靠、损耗小。
5、根据情况施加隔离。

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