最近做项目用到了这颗芯片,对官方给的图纸做出了修改,应用到实际之中。
我实际应用于12V,也就是3节串联锂电池组的充电电路上,外部供电为24V。这款芯片的,极限输入电压是33V,规格书推荐使用电压要在28V以下。
一共要计算这么几个东西,充电电压,温度保护,快充电流,慢充电流,我这里不用输入电流保护。有需要的可以看规格书来。
首先计算得到充电电压,参照规格书的计算方式:
R2和R1取跟官方原理图一样的就行用个500K和100K给到FB,得到一个12.6V的充电电压。
温度保护这里,我用的是10K-NTC(3435)
充电电流的话,通过VREF,ISET1,ISET2,ACSET来构成。VREF是默认的3.3V,电流采样电阻这里用的0.01OHM.得到0.3A和1.5A,实际测试很接近。
如果不用输入电流采集的话。这个二极管还是得加的,不然电池的电还是会从电感,再从NMOS的寄生二极管回上来。
这款芯片最大可以到10A的充电电流,还是挺牛逼的。如果要选择大电流充电的话,对mos的选型还是比较重要的。电感的话,我用它这里推荐的6.8uH
根据公式算出来的频率为13K