NXP BMS AFE芯片MC33771C学习笔记（2）电源

        上一期我们对MC33771C做了一个简单介绍：NXP BMS AFE芯片MC33771C学习笔记（1）介绍

        这一期我们针对电源部分及浪涌保护部分做一个详细的说明。

一、电源部分电路原理

               

                        

 

二、电源相关参数介绍

        VPWR1/2：芯片的供电引脚，范围是 9.6V ~ 63V, 最大耐压 75V。

        当VPWR在过电压[VPWR(OV_FLAG)=65V]或低电压[VPWR(LV_FLAG)=12V]条件下，且大于tVPWR(FILTER) =50uS的时间，则FAULT1_STATUS[VPWR_OV_FLT]或FAULT1_STATUS[VPWR_LV_FLT]被设置，表示过压或欠压故障产生。当VPWR的电压恢复到正常范围内时，可以通过写0到标志寄存器中来清除故障标志。

        同时也可以设置FAULT_MASK寄存器，来实现故障FAULT引脚是否输出。

        过压情况下，不会导致芯片shutdown。下图是电源供给的各阶段的要求：

        VCOM：内部LDO输出电压，用于通信、GPIOx、SPI接口、外部温度传感器、外部EEPROM供电。

        MC33771C监控VCOM是否存在欠压故障，这个故障可能是由VCOM脚上的过载电流导致的，同时FAULT2_STATUS[VCOM_UV_FLT]故障位被设置，且大于tVCOM(RETRY)=10mS时间后进入shutdown/retry策略。

        当VCOM的电压大于VCOM(OV)=(5.4~5.9V)电压时，过压FAULT2_STATUS[VCOM_OV_FLT]故障位会被设置。

        当MC33771C进入休眠模式时，VCOM也会消失。

        VANA：是供给内部模拟电路的2.5V电源。除了外接一个电容外，不能接任何元件到此引脚。

        芯片内部也会监控VANA是否有低压故障，如果有低压故障(<2.4V)，则FAULT2_STATUS[VANA_UV_FLT]故障位被设置，如果超过tVANA(retry)=10mS时间，则进入shutdown/retry策略。

        当VANA超过VANA(OV)=2.8V值时，将会设置FAULT2_STATUS[VANA_OV_FLT]故障位。

三、浪涌保护与热插拔

        VPWR线必须由一个串行电阻保护，以限制电流涌入，和一个并联电容器来过滤快速电压变化。RVPWR值越高，可以提供更好的保护。RVPWR越高的缺点是电压降越高。由于总电压是VPWR1、2到地的电压，所以测量总电压时会受到这个电压降的影响。正常推荐值10欧。

        当电路中增加D6（TVS）时，一旦浪涌振幅超过TVS的VBR，TVS可以将其限制在MC33771C的最大额定值内。

        如果直接连接到电池上，外部电压浪涌可能会损坏D6。因此，建议在电池和D6之间增加一个保险丝。

        D6的参数设计如下：

                ----VBR: 击穿电压，它应低于MC33771C的最高额定值要求。

                ----PPPM：额定峰值脉冲功率，是指外部浪涌的功率。建议是600 W，可根据实际外部浪涌的大小适当提高或降低。

                ----VR：反向电压（选择低漏流的管子）。其应高于电池模组的额定电压。

                ----快速响应时间，应小于1 ns。建议使用单方向的管子。     

        另外，如果在热插拔期间使用VPWR > 55 V，则应在CT14和VPWR之间添加一个TVS，即图中虚线处的TVS管，其作用是保证CT14与VPWR间的电压差不高于一定值。原厂推荐型号是PESD5V0V1BB。          

       当VPWR在电池连接之前，需要齐纳二极管D1到D4来保护VPWR和CB_x脚之间的内部ESD结构。请注意这4个二极管的放置位置。

        

                        

四、总结

        当实际应用中，电源部分的电路需要根据原厂推荐的设计，以免造成不必要的麻烦。另外，在车载电池管理项目的短路试验时，可能有反向电压冲击而导致芯片损坏的情况，需要酌情增加浪涌保护器件。

        下一章节将会介绍接着讲解。