实验十六、测量晶体管的穿透电流

passxgx

已于 2023-04-03 23:12:41 修改

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分类专栏：模电Multisim实验文章标签：嵌入式硬件硬件工程

于 2023-04-03 21:54:50 首次发布

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文章介绍了用于测试NPN型晶体管穿透电流的电路设计，该电路采用了电压并联负反馈原理，通过集成运放和电阻测量晶体管的ICEO。在Multisim环境下进行了仿真，选择了不同型号的晶体管进行测试，并提供了测试结果数据。

摘要由CSDN通过智能技术生成

一、题目

测试 NPN 型晶体管穿透电流的电路图如图1所示。
（1）电路中引入了哪种反馈？测试晶体管穿透电流的原理是什么？
（2）选择合适的 $R$ ，在 Multisim 环境下测试四种型号晶体管的穿透电流。
在这里插入图片描述 $图1\,\,测量穿透电流电路$

二、原理分析及仿真电路

（1）电路中引入了电压并联负反馈。若集成运放为理想运放，则 $R$ 的电流等于 $T$ 的穿透电流 $I_{CEO}$ ，因此输出电压 $U_o=-I_{CEO}R$ 。
但是，由于实际集成运放的输入电阻不是无穷大，失调因素不为零；又由于基极开路时，晶体管 c - e 间电阻很大，而为了使输出电压不至于太小， $R$ 的取值也不能太小，故选择高阻型、高精度的集成运放，会使测试数据准确些。而且需要测得 $R$ 两端的电位，来求得 $I_{CEO}$ ，即 $I_{CEO}=\frac{U_N-U_o}{R}$ （2）测试电路如图2所示（注意运算放大器需要供电）。