- 博客(38)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 CMOS知识点 小信号模型
MOS管小信号模型主要有π模型和T模型两种形式。π模型基于饱和区电流公式，将MOS管视为电压-电流转换器件，包含跨导参数gm和输出等效电阻，同时考虑体效应和寄生电容。T模型则采用不同拓扑结构，同样能表征小信号特性。两种模型可相互转换，适用于不同电路分析场景。建议参考相关技术文章和视频教程（如知乎专栏和B站课程）了解具体推导过程和应用方法。这些模型是分析MOS管放大电路的重要工具。
2025-10-18 06:53:21
1398
原创 CMOS知识点 MOS管电容特性
摘要：MOSFET电容主要包括栅氧电容（Cox）、重叠电容（Cgs/Cgd）和结电容（Cj）。在强反型状态（导通）时，栅氧电容最大，形成平行板电容器结构；耗尽状态时主要存在工艺寄生重叠电容。不同工作区电容特性不同：截止区仅有寄生电容，三极管区栅氧电容均匀分配，饱和区栅源电容约为总栅氧电容的2/3。结电容主要由反向偏置PN结决定，包含底部面积和侧壁周长贡献。精确建模需考虑工艺参数（CGDO/CGSO）和工作状态对电容分布的影响。
2025-08-22 16:09:49
1261
原创 CMOS知识点 MOS管饱和区电流公式
MOS管有三个工作区域：截止区无电流；线性区电流随漏压线性增加；饱和区电流基本由栅压决定但会因沟道长度调制效应(CLM)随漏压轻微增加。饱和电流公式包含跨导参数、宽长比和过驱动电压，其中λ参数反映CLM效应强度，使输出特性曲线在饱和区呈现微小斜率。该效应导致实际电流略高于理想饱和电流值。
2025-08-21 18:17:54
1736
原创 CMOS知识点 MOS管线性区电流公式
摘要：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）由源极、漏极、栅极和衬底组成。导通需要栅源电压超过阈值电压，形成反型层通道。工作区分为线性区和饱和区：线性区时漏源电压较小，电流受栅源电压和漏源电压共同控制；饱和区时沟道被夹断，电流主要受栅源电压控制。PMOS晶体管在线性区的电流计算公式为I_D=μ_pC'_ox(W/L)[(V_SG-|V_th|)V_SD-0.5V_SD^2]，其中μ_p为空穴迁移率，C'_ox为单位栅氧层电容，W/L为宽长比。该公式反映了栅压控制沟道电荷的能力以及沟道电势分布的影响。
2025-08-21 15:58:58
1860
原创 CMOS知识点 MOS管不同工作区域电容特性
MOSFET的电容特性由栅氧层电容、耗尽层电容和覆盖电容构成，其大小与连接方式受栅极电压（V_GS）调控。在积累区（V_GS<0），栅氧层电容最大但伴随高寄生电阻；在耗尽区（0<V_GS<Vth），耗尽层电容随电压增大而减小；在强反型区（V_GS>>Vth），反型层形成良好的导电下极板，使电容值大且电阻小。电路设计中应优先使用强反型区以获得最佳电容性能，积累区使用时需注意降低寄生电阻的影响。
2025-08-20 22:14:06
1948
原创 CMOS知识点 金属层设计与布局
文章摘要：金属层(Metal1/Metal2)通过通孔(Via1/Via2)实现垂直互联，绝缘层提供隔离。布局横截面仅显示被截面线穿过的层次（如n阱和Metal2）。金属层间存在寄生电容（影响电路速度）和电阻（导致信号延迟），其中金属电阻显著低于n阱。示例图表展示了层间堆叠结构与寄生效应参数。
2025-07-27 06:59:37
849
原创 CMOS知识点 焊盘布局和钝化层
本文介绍了集成电路中焊盘布局和钝化层的关键设计规范。基本焊盘尺寸为100×100微米，测试用探针焊盘最小可缩至6×6微米。实际生产焊盘尺寸因工艺而异，且不随工艺进步而缩小。金属2层焊盘示例展示了其上下绝缘层结构。钝化层作为最外层保护芯片，需通过"过玻璃层"开口暴露金属焊盘，开口需比焊盘小且保持6微米间距。键合焊盘可通过专用PAD层或过玻璃层定位，现代工艺可能使用多达5层金属，顶层金属用于键合焊盘。
2025-07-26 12:08:24
647
原创 CMOS知识点 双阱工艺 三阱工艺
在n阱或p阱工艺中，衬底需要通过注入相反类型的掺杂剂形成阱，这会降低半导体质量，影响器件性能（迁移率下降）。双阱和三阱工艺通过使用轻掺杂衬底减轻这一问题。
2025-07-25 17:38:08
1645
原创 CMOS知识点 费米能级
摘要：费米能级(Ef)是电子占据概率为50%的能级，决定半导体导电特性。本征半导体中Ef位于禁带中央；p型半导体掺杂受主杂质时Ef下移靠近价带，其偏移量由Ei-Efp=kT·ln(NA/ni)决定；n型半导体掺杂施主杂质时Ef上移靠近导带，Efn-Ei=kT·ln(ND/ni)。PN结中费米能级对齐形成内建电势Vbi=(Efn-Efp)/q=(kT/q)·ln(NAND/ni²)，正向偏置降低势垒促进导通，反向偏置增大势垒抑制电流。
2025-07-25 16:57:15
2753
原创 CMOS知识点 物理气相沉积
物理气相沉积(PVD)是一种通过物理方法在衬底表面形成薄膜的技术，主要包括蒸发沉积和溅射沉积两种工艺。蒸发沉积通过加热材料使其蒸发，原子在真空中直线传播并冷凝成膜，工艺简单但台阶覆盖性差；溅射沉积则利用离子轰击靶材溅射原子沉积成膜，可沉积多种材料且覆盖性较好，但需要精确控制工艺参数。两种方法均存在薄膜在复杂表面覆盖不均匀的缺点。
2025-07-22 16:03:48
512
原创 CMOS知识点 离子注入工艺
离子注入是一种将掺杂剂（如硼、磷）精确引入硅晶片的工艺。通过电离、加速形成高能离子束轰击硅片表面，离子嵌入晶格后需高温退火修复损伤并激活掺杂剂。工艺涉及离子源、质谱仪、加速器等设备，掺杂浓度呈高斯分布，由投影射程（Rp）和离散参数（ΔRp）描述。相比扩散工艺，具有低温操作、精确控制掺杂浓度和深度的优势，适用于局部注入和复杂器件制造。注入总剂量（Qimp）可通过积分计算，掩模用于选择性区域注入。
2025-07-22 12:11:04
1518
原创 CMOS知识点 干法蚀刻
摘要：溅射蚀刻是纯物理过程，利用氩离子轰击实现各向异性蚀刻，但选择性差；等离子体蚀刻通过自由基化学反应实现高选择性但各向同性；反应离子蚀刻（RIE）结合物理轰击与化学反应，兼具高选择性和各向异性，是目前主流工艺。三种方法分别适用于不同材料特性和结构要求的微纳加工场景。
2025-07-19 15:15:22
429
原创 CMOS知识点 载流子浓度计算
本文介绍了半导体材料中载流子浓度的计算原理。在本征硅中，电子和空穴浓度相等(n=p=ni≈1.45×10¹⁰cm⁻³)。通过掺杂可改变载流子浓度：n型硅(n≈ND)掺磷增加自由电子，p型硅(p≈NA)掺硼增加空穴浓度，且满足pn=ni²关系。典型掺杂浓度下(如ND=10¹⁸cm⁻³)，电子浓度远高于空穴浓度。当掺杂接近硅原子密度(5×10²²cm⁻³)时，材料变为简并半导体，表现出类金属特性。
2025-07-16 11:26:54
992
原创 CMOS知识点 电阻计算
摘要：n阱在半导体工艺中常用于制造电阻器，其电阻值由薄层电阻（Ω/□）和布局尺寸决定。由于工艺厚度固定，电阻设计主要通过调整俯视图的宽度(W)和长度(L)实现。计算公式为R=薄层电阻×(L/W)。例如，10×100的n阱电阻典型值为20kΩ（2kΩ/□），但受工艺偏差影响可能为16-24kΩ。该特性说明集成电路设计中需考虑工艺波动对器件性能的影响。（149字）
2025-07-15 16:28:45
297
原创 CMOS知识点 图案化N阱
N阱图案化工艺摘要： 该工艺通过光刻和杂质扩散在P型硅晶圆上形成N阱区域。关键步骤包括：在裸硅表面旋涂光刻胶，通过掩模曝光形成窗口；利用高温扩散将施主杂质（磷/砷）注入暴露区域，形成N型掺杂；特别注意横向扩散效应会使实际N阱尺寸大于掩模设计，需预先补偿。工艺完成后需进行退火处理以修复晶格损伤，最终形成符合设计要求的N阱结构。该技术是CMOS制造中的基础环节，需精确控制扩散参数以保证器件性能。
2025-07-15 15:04:37
526
原创 CMOS知识点 光图案化，光刻
一句话描述光图案化即：玻璃覆盖在晶圆上，光敏胶覆盖在玻璃上，光照后，光照区的正胶被洗掉，负胶留存；非光照区的正胶留存，负胶被洗掉；再把无光刻胶保护的玻璃洗掉，露出了硅片，最后把剩余光刻胶洗掉，即硅片上留下了玻璃组成的图案。光图案化（Photolithography）是集成电路制造中的关键工艺，用于将设计好的图案转移到硅晶片上。注意：现代晶片几乎全用正胶，负胶成本低，精度差。
2025-07-15 13:45:53
431
原创 CMOS知识点 寄生二极管
MOS管结构解析：N-P-N三明治结构自然形成PN结二极管，在CMOS电路中衬底需接地防止正向偏置。芯片布局与截面图展示物理实现。
2025-07-13 18:05:09
284
原创 CMOS知识点 选择衬底（晶片）
本文解释了CMOS工艺中NMOS和PMOS的不同制造方式。NMOS可直接制造在P型衬底上，因其沟道与衬底同为P型；而PMOS需在N阱中制造，避免与P型衬底短路。文中用"水龙头"比喻MOS管工作原理，说明NMOS通过栅极电压形成临时N型沟道。采用P型衬底的原因包括成本低、NMOS性能更好(电子迁移率高于空穴)及工艺成熟度。这种设计权衡了性能、成本和制造便利性，体现了半导体工艺的工程智慧。
2025-07-13 17:25:49
579
原创 模电知识点随记4 常用半导体器件 场效应管 NMOS PMOS
场效应管是利用电场效应控制电流的单极性半导体器件，分为结型（JFET）和绝缘栅型（MOS管）两类。其结构包含源极、漏极和栅极，通过栅压调节导电沟道宽度来控制电流。MOS管还有衬底端，NMOS和PMOS在结构对称但电压极性相反，分别适用于不同电位应用。场效应管具有噪声小、抗辐射强和低电压工作等优势，广泛应用于电子电路中。器件工作区分为截止区、恒流区和可变电阻区，对应不同功能需求。
2025-07-13 16:01:40
332
原创 模电知识点随记3 常用半导体器件 三极管
三极管是一种常用半导体器件，由发射极、基极和集电极组成。其放大作用的条件包括：发射结正偏、集电结反偏，基区足够薄，以及适当的电流分配。这些条件使三极管能够实现电流放大功能。
2025-07-13 15:59:31
208
原创 模电知识点随记2 常用半导体器件 二极管
本文介绍了半导体二极管的基本分析方法与应用实例。主要内容包括：1)通过开路电压假设法判断二极管导通状态，计算输出电压；2)三种二极管等效模型（理想模型、恒压降模型、折线模型）的应用；3)二极管在限幅电路中的工作原理，即当输入电压超过阈值时导通削波，低于阈值时截止。文章通过具体例题演示了硅管（导通电压0.7V）在不同电路中的分析方法，包括多二极管情况下的导通优先级判断。
2025-07-13 15:57:03
416
原创 模电知识点随记1 常用半导体器件 PN结
PN结是半导体器件的基本结构，由P区和N区接触形成。其特性包括：1）单向导电性，正向偏置时电流随电压指数增长，反向偏置时截止；2）内电场方向由N区指向P区；3）漂移电流由少数载流子形成；4）结电容在正向偏置时较大；5）反向击穿电压U(BR)时电流骤增；6）常温下温度电压当量UT为26mV；7）反向电流为微安级且受温度影响。这些特性决定了PN结在电子器件中的关键作用。
2025-07-13 15:46:41
524
原创 《信息论-基础理论与应用》傅祖芸 第三章 离散信道及信道容量 知识点随记3
本文第三章讨论了离散信道中的两类重要模型。独立并联信道由N个独立子信道组成，其总容量不超过各子信道容量之和，当输入符号独立且满足最佳分布时可达容量之和。串联信道通过马尔可夫链连接多个信道，数据处理定理指出信息在传递过程中不会增加（可能减少），多级串联会导致信息损失累积。最后探讨了信源与信道匹配问题，信道剩余度（C-I(X;Y)）反映了信道利用率，最优匹配需通过编码使信息传输率R接近信道容量C。无损信道中互信息等于信源熵。
2025-06-26 19:04:51
477
原创 《信息论-基础理论与应用》傅祖芸 第三章 离散信道及信道容量 知识点随记2
准对称信道：信道矩阵 P 的列可以划分为若干个互不相交的子集 Bk，每个子集 Bk 对应的子矩阵 Qk 是对称矩阵。对称矩阵的特点是每一行是其他行的排列，每一列是其他列的排列。：一般离散信道的信道容量定义为在所有可能的输入概率分布 P(x)下，平均互信息 I(X;信道容量是信道能够传输的最大信息量，与输入信源的概率分布无关，仅由信道特性决定。：信道容量C，固定信道中，对所有可能的输入概率分布 P(x)，平均互信息 I(X;，即扩展信道的容量是原容量的N倍，条件是输入信源无记忆且各符号分布最优。
2025-06-26 18:32:44
1417
原创 《信息论-基础理论与应用》傅祖芸 第三章 离散信道及信道容量 知识点随记1
概念：单符号离散信道数学模型一般离散单符号信道传递概率用矩阵表示：矩阵中第。
2025-06-26 18:06:26
936
原创 《信息论-基础理论与应用》傅祖芸 第二章 离散信源及信息测度 知识点随记
信源分为离散信源（例：投骰子，输出只能是单个数字）和连续信源（例：明日气温值，在一个范围内取任意实数），平稳信源（例：投骰子，每个输出结果概率相等）和非平稳信源（例：网速，有高峰有低谷，输出结果不稳定），平稳信源又分有记忆信源(例：英文字典，单词按字母顺序分布和前后单词有强相关性)和无记忆信源(例：抛硬币，每次结果独立）用最简单的话说就是：投一个骰子，出现每个面的概率是独立的，投N次的结果，特定序列的概率是单次概率的乘积，信源熵也即N倍。因为信源每次发出的符号是随机的，对应的自信息。
2025-06-22 18:50:47
1080
原创 《信息论-基础理论与应用》傅祖芸 第一章 绪论 知识点随记
用香农定义解释即为：先验=1，自信息（先验不确定性）=0；后验=1，后验不确定性=0，互信息=自信息-后验不确定性=0-0=0，接收者获得不了任何信息。：香农定理展现出：某一事物状态的不确定性（信息）的大小，与该事物可能出现的不同状态数及各状态出现的概率大小有关。发生概率极小（先验≈0），它会发生的不确定性很大（自信息很大），一旦发生，接收者获得的信息会很大（互信息很大）。2.概率测度：对每一个可选择的消息指定一个概率（非负，且总和为1）发生概率为1（必然发生），收信者获得的信息将为0，因为他早知道。
2025-06-20 19:09:10
329
原创 《电路》詹姆斯·尼尔森 第一章 电路变量 知识点随记
概念：如果电力系统物理尺寸远小于波长（好的标准是十分之一），可将它看成集总参数系统。电压v单位是伏特V；w是能量，单位是焦耳J；q是电荷量，单位是库仑C.电流I单位是安培A；q是电荷量，单位为C；t是时间，单位为秒s.P是功率，单位瓦特W；w是能量，单位焦耳J；t是时间，单位秒s.公式：波长λ等于信号的速度除以频率，即λ=c/f，频率单位赫兹Hz。公式：电压v是有分离引起的单位电荷的能量，用微分表示v=公式：电流I是电荷流动的速率，用微分表示I=公式：功率是变化的能量对时间的导数，即p=
2025-06-11 16:35:25
423
原创 Java基础练习2
成员变量（非静态变量）：成员变量是定义在类中，方法体之外的变量。例如，一条狗是一个对象，它的状态有：颜色、名字、品种；同样的，软件对象的状态就是属性，行为通过方法体现。在软件开发中，方法操作对象内部状态的改变，对象的相互调用也是通过方法来完成。，公共类定义部分，至多只有一个公共类的定义，Java语言规定该Java源程序的文件名必须与该公共类名完全一致。类变量（静态变量）：类变量也声明在类中，方法体之外，但必须声明为 static 类型。：每个对象都有独特的实例变量，对象的状态由这些实例变量的值决定。
2023-01-26 09:48:32
130
原创 eclipse连接MySQL数据库代码整理
while(rs.next()){ //此段内容根据Mysql表内容对应来改。// System.out.print("，姓名："+name);System.out.print(" 体重："+weight);System.out.print(" 姓名："+name);System.out.print(" 年龄："+age);System.out.println("连接数据库...");System.out.println("连接数据库结束");
2022-12-29 18:32:55
838
原创 Java 基础练习1
的 Java 程序才能够被 Java 虚拟机运行，可理解为规定的格式。Java 运行程序时先找。表示的这个程序的访问权限，表示的是任何的场合可以被引用，这样 Java 虚拟机就可以找到。表明方法是静态的，不依赖类的对象的，是属于类的，在类加载的时候。1、任务：显示 Hello there。,从而来运行 javac 程序。也随着加载到内存中去。：从控制台接收参数。
2022-08-25 09:59:00
237
原创 C语言基础练习4
1）常量是固定值，在程序执行期间不会改变。常量就像是常规的变量，只不过常量的值在定义后不能进行修改。printf("c的值为:%d",c);printf("d的值为:%d",d);printf("c值为:%d",c);printf("d值为:%d",d);1、任务：了解C语言常量。为声明单个字符的关键字。......
2022-08-15 08:19:22
307
原创 C语言基础练习3
2）变量的名称可以由字母、数字和下划线字符组成；它必须以字母或下划线开头；大写字母和小写字母是不同的。int j = 4;//对比上两行，另一种方法直接定义变量并赋值。//先声明再赋值变量。//函数外定义变量i，j。（1）变量是程序可操作的存储区。1、任务：了解C语言变量。...
2022-08-13 08:21:01
306
原创 C语言基础练习2
2）C语言格式符：％s用来输出一个字符串 例：printf("%s","hello");输出字符串“hello”。printf("程序名 %s,参数字符串 %s,参数个数 %d\n",argv[0],argv[1],argc);（1）argc为参数个数，argv是字符串数组，argv[0]表示这个程序的名字。1、任务：了解函数传参main(int argc, char *argv[])％d整型输出，用来输出十进制整数，按整型数据的实际长度输出。#include //第二个实验。...
2022-08-06 09:39:34
212
原创 C语言基础练习1
当是int main()时，main()的返回值是int类型，int是数字格式，返回一个数字。如果是void main()，main()返回值是空，所以是return）（3）printf() 函数打印到屏幕。printf ()函数是一个库函数，它的声明在 stdio.h 文件里。（2）所有的 C 语言程序都需要包含 main() 函数。当编译器遇到 printf() 函数时，如果没有找到 stdio.h 头文件，会发生编译错误。（1）/* ... */ 用于注释说明。（" " 表示用户自定义的库）。...
2022-08-05 11:46:37
202
原创 Matlab 产生正态分布高斯随机数
用法R＝normrnd(MU,SIGMA,m,n)MU参数代表均值；功能xcorr(x,y)计算x(n)与y(n)的互相关；xcorr(x)计算x(n)的自相关。产生一组正态分布N（μ,σ^2）的高斯随机数，其样本个数为N，估计该序列的均值、方差和相关函数。（1）互相关函数xcorr用法c=xcorr(x,y)；C=xcorr(x)a=normrnd(1,2,1,1000);c=xcorr(x)%计算自相关函数。title('自相关函数可视化');ylabel('自相关函数');...
2022-07-29 12:38:50
9524
原创 Matlab 线性同余法产生随机数
功能xcorr(x,y)计算x(n)与y(n)的互相关；xcorr(x)计算x(n)的自相关。Esigma2=abs(sigma2-sigma2s)/sigma2s%计算方差误差。（3）互相关函数xcorr用法c=xcorr(x,y)；Em=abs(m-ms)/ms%计算均值误差。（2）方差函数sigma2=var(x)sigma2=var(un)%方差。（1）随机序列X(n)具有各态历经性。（1）均值函数m=mean(x)m=mean(un)%均值。...
2022-07-29 10:37:08
3609
1
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人