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RSS订阅转载 NOR型flash与NAND型flash的区别
应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 由于NOR地址线和数据线分开，而NAND共用地址和数据总线。NAND闪存的容量比较大，NOR闪存的可靠性比较高。先擦后写是NAND和NOR芯片的共性。NAND和NOR芯片进行写入和擦除操作时都需要存储技术驱动程序（MTD）的支持。NOR器件运行代码不需要任何的软件支持，而在NAND器件上进行同样操作
2010-09-30 23:25:00
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原创 读《代码存储方式》，回顾3种代码存储方式在我工作中的应用
<br />程序存储器：EEPOM 1M<br />数据存储器：SRAM 2M<br /> <br />前期调试程序使用XIP方式，即就地执行方式，引导程序在32K EPROM中运行，堆栈段和部分可写的数据段在SRAM中运行。<br />后期操作系统映像使用full shadowed方式，即完全映射方式，将操作系统映像从EEPROM搬移到SRAM中运行。<br />demand paging方式没有使用。<br /> <br />系统加电后，将一直运行，不断电，并且SRAM容量为EEPROM的2
2010-09-30 23:14:00
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转载 嵌入式代码存储
介绍目前常用3种的代码存储方式——eXecute-In-Place(XIP,就地执行)、Fully Shadowed（完全映射）和Demand Paging（按需分页）。
2010-09-30 22:52:00
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空空如也
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