存储器概述

1. 存储器概述

1.1. 存储器分类

1.1.1. 按存储介质分类

• 半导体存储器、磁表面存储器、磁芯存储器、光盘存储器。

1.1.2. 按存取方式分类

• 随机存储器（RAM):RAM是一种可读/写存储器，特点是存储器的任何一个存储单元的内容都可以随机存取，而且存取时间与存储单元的物理位置无关。RAM又分为静态RAM（以触发器原理寄存信息）和动态RAM（以电容充放电原理寄存信息）。

• 只读存储器（ROM):是能对其存储的内容读出，而不能对其重新写入的存储器。

  • MROM( Masked ROM):早期只读存储器的存储内容根据用户要求，厂家采用掩膜工艺，把原始信息记录在芯片中,一旦制成后无法更改,叫做掩膜型只读存储器MROM( MaskedROM)。

  • PROM( Programmable ROM):可编程只读存储器PROM

  • EPROM (Erasable Programmable ROM):用电可擦除可编程的只读存储器

• 串行访问存储器:如果对存储单元进行读/写操作时，需按其物理位置的先后顺序寻找地址，则这种存储器称为串行访问存储器。不论信息处在哪个位置，读/写时必须从其介质的始端开始按顺序寻找，故这类串行访问的存储器又称为顺序存取存储器。前段是直接访问，后段是串行访问，称为直接存取存储器

1.1.3. 按在计算机中的作用分类

存储器主要分为主存储器、辅助存储器、缓冲存储器

1.2. 存储器的层次结构

• 存储器有三个主要特性:速度、容量和价格/位(简称位价)。一般来说，速度越高，位价就越高；容量越大，位价就越低；而且容量越大,速度必越低。

  

• 实际上，存储器的层次结构主要体现在缓存一主存和主存一辅存这两个存储层次上

  

  • 缓存-主存层次主要解决CPU和主存速度不匹配的问题。主存和缓存之间的数据调动是由硬件自动完成的。
  • 主存-辅存层次主要解决存储系统的容量问题。
  • 主存和辅存之间的数据调动是由硬件和操作系统共同完成的。
  • 在主存一辅存这一层次的不断发展中， 形成了虚拟存储系统。在这个系统中，程序员编程的地址范围与虚拟存储器的地址空间相对应。

1.3. 主存储器

1.3.1. 概述

• 根据MAR中的地址访问某个存储单元时，还需经过地址译码、驱动等电路，才能找到所需访问的单元。读出时，需经过读出放大器，才能将被选中单元的存储字送到MDR。写入时，MDR中的数据也必须经过写入电路才能真正写入到被选中的单元中

  

• 现代计算机的主存都由半导体集成电路构成，图中的驱动器、译码器和读写电路均制作在存储芯片中，而MAR和MDR制作在CPU芯片内。存储芯片和CPU芯片可通过总线连接

  

  • 当要从存储器读出某一信息字时，首先由CPU将该字的地址送到MAR,经地址总线送至主存，然后发读命令。主存接到读命令后，得知需将该地址单元的内容读出，便完成读操作，将该单元的内容读至数据总线上，至于该信息由MDR送至什么地方，这已不是主存的任务，而是由CPU决定的。若要向主存存入一个信息字时，首先CPU将该字所在主存单元的地址经MAR送到地址总线，并将信息字送入MDR,然后向主存发写命令，主存接到写命令后，便将数据线上的信息写入到对应地址线指出的主存单元中。

1.3.2. 主存中存储单元地址的分配

• 主存各存储单元的空间位置是由单元地址号来表示的，而地址总线是用来指出存储单元地址号的，根据该地址可读出-一个存储字。不同的机器存储字长也不同，为了满足字符处理的需要，常用8位二进制数表示-一个字节，因此存.储字长都取8的倍数。通常计算机系统既可按字寻址，也可按字节寻址。例如.IBM370机其字长为32位，它可按字节寻址，即它的每- -个存储字包含4个可独立寻址的字节，其地址分配如图(a)所示。字地址是用该字高位字节.的地址来表示，故其字地址是4的整数倍，正好用地址码的末两位来区分同一字的4个字节的位置。但对PDP-11机而言，其字地址是2的整数倍，它用低位字节的地址来表示字地址，如图 (b)所示。由图(a)所示，对24位地址线的主存而言,按字节寻址的范围是16M,按字寻址的范围为4M。由图(b)所示，对24位地址线而言，按字节寻址的范围仍为16M，但按字寻址的范围为8M。

  

  • 由图(a)所示，对24位地址线的主存而言，按字节寻址的范围是16M,按字寻址的范围为4M。由图(b)所示，对24位地址线而言，按字节寻址的范围仍为16M，但按字寻址的范围为8M。

1.3.3. 主存的技术指标

• 主存的主要技术指标是存储容量和存储速度。

  • 存储容量
    指在主存能存放二进制代码的总位数，即
    用字总数表示:存储容量=存储单元个数×存储字长
    用字节总数表示:存储容量=存储单元个数×存储字长/8

  • 存储速度
    由存取时间和存取周期来表示。
    存取时间又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间。存取时间分读出时间和写入时间两种。
    存取周期是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间，通常存取周期大于存取时间

  • 存储器带宽
    与存取周期密切相关的指标为存储器带宽，它表示单位时间内存储器存取的信息量，单位可用字/秒或字节/秒或位/秒表示。带宽是衡量数据传输率的重要技术指标。
    为了提高存储器的带宽，可以采用一下措施：

    1. 缩短存取周期
    2. 增加存储字长，使每个存取周期可读/写更多的二进制位数。
    3. 增加存储体。

1.3.4. 半导体存储芯片简介

1.3.5. 随机存取存储器

随机存取存储器按其存储信息的原理不同，可分为静态RAM和动态RAM两大类。

• 静态RAM基本单元电路
  存储器中用于寄存"0"和"1"代码的电路叫做存储器的基本单元电路

  
  图中T1-T4,是一个由MOS管组成的触发器基本电路，T5、T6尤如一个开关，受行地址选择信号控制。由T1~T6共同构成一个六管MOS基本单元电路。T7、T8受列地址选择控制，分别与位线A和A’相连，它们并不包含在基本单元电路内，而是芯片内同一列的各个基本单元电路所共有的。假设触发器已存有“1”信号，即A点为高电平。当需读出时，只要使行、列地址选择信号均为有效，则使T5、T6、 T、T8均导通，A点高电平通过T。后，再由位线A通过T8作为读出放大器的输入信号，在读选择有效时，将“1”信号读出。由于静态RAM是触发器存储信息，因此即使信息读出后，它仍保持其原状态，不需要再生。但电源掉电时，原存信息丢失，故它属易失性半导体存储器。写入时可以不管触发器原状态如何，只要将写入代码送至图的DIN端，在写选择有效时，经两个写放大器，使两端输出为相反电平。当行、列地址选择有效时，使T5、T6、T、T8导通，并使A与A’点置成完全相反的电平。

• 动态RAM(Dynamic RAM或DRAM)
  常见的动态RAM基本单元电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息的。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。 电容上的电荷一般只能维持1~2ms, .因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复- -次原状态，这个过程叫再生或刷新。由于它与静态RAM相比，具有集成度更高，功耗更低等特点，目前被各类计算机广泛应用。

  
  读出时，字线上的高电平使T导通，若Cs有电荷，经T管在数据线上产生电流，可视为读出“1"。若Cs无电荷，则数据线上无电流，可视为读出“0”。读操作结束时，Cs的电荷已泄放完毕，故是破坏性读出，必须再生。
  写入时，字线为高电平使T导通，若数据线上为高电平，经T管对Cs充电，使其存“1";若数据线为低电平，则Cs经T放电，使其无电荷而存“0"

1.3.6. 动态RAM的刷新

• 集中刷新
  集中刷新是在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此刻必须停止读/写操作。不能进行读/写操作的时间称为“死时间”，又称访存“死区”，所占的比例称为死时间率。

  
  动态RAM芯片内排列成32X32矩阵，读/写周期为0.Spus,连续刷新32行需16μs (占32个读/写周期)。在刷新周期2ms内含4 000个读/写周期，实际分配是前3 968个周期用于读/写操作或维持，后32个周期用于刷新

• 分散刷新
  分散刷新是指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。把机器的存取周期tC分成两段，前半段tM用来读/写或维持信息，后半段tR用来刷新，即tC=tM+tR

  

• 异步刷新
  异步刷新是前两种方式的结合，它既可缩短“死时间”，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点

  

1.3.7. 动态RAM和静态RAM的比较

• 动态RAM的应用比静态RAM要广泛得多：

  • 在同样大小的芯片中，动态RAM的集成度远高于静态RAM。
  • 动态RAM行、列地址按先后顺序输送，减少了芯片引脚，封装尺寸也减少。
  • 动态RAM的功耗比静态RAM小。
  • 动态RAM的价格比静态RAM的价格便宜。

• 动态RAM的缺点：

  • 由于使用动态元件（电容），因此它的速度比静态RAM低。
  • 动态RAM需要再生，故需配置再生电路，也需要消耗一部分功率。

1.3.8. 只读存储器

• 对半导体ROM而言，基本器件为两种：MOS型和TTL型。

• 掩膜ROM
  用行、列交叉处是否有耦合元件MOS管，便可区分原存“1”还是存“0”

• PROM
  ROM是可以实现一次性编程的只读存储器。熔断丝断或未断可区别其所存信息是“1”或“0”

• EPROM
  EPROM是一种可擦除可编程只读存储器。它可以由用户对其所存信息作任意次的改写

1.3.9. 存储器与CPU的连接

• 存储容量的扩展
  将若干存储芯片连在一起才能组成足够容量的存储器，称为存储容量的扩展，通常有位扩展和字扩展

  • 位扩展
    位扩展是指增加存储字长。

  • 字扩展
    字扩展是指增加存储器字的数量。

  • 字、位扩展
    字、位扩展是指既增加存储字的数量，又增加存储字长

• 存储器与CPU的连接

1.3.10. 存储器的校验

1.3.11. 提高访存速度的措施

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