nand flash读写出现好多错误

最新推荐文章于 2024-04-29 11:01:53 发布
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分类专栏： u-boot 2月调试总结 文章标签： flash

在u-boot下输入命令：

nand read 0x800000 0 0x800

结果出来好多信息

查了一些信息，是没有nand flash标志位

标志位用来表示nand flash是大页还是小页

CFG_NAND_OR_PRELIM 的宏添加 OR_FCM_PGS 即可


qingfengtsing
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专栏目录
NandWR.rar_arm_nand flash 读写_nandflash_nandflash 写
09-24
标题中的"NandWR.rar_arm_nand flash 读写_nandflash_nandflash 写"表明这是一个关于ARM架构下的NAND Flash读写程序的压缩包。NAND Flash是一种非易失性存储器，常用于嵌入式系统和移动设备中，如手机、平板电脑等。...
nand flash 裸数据读写的错误规避方法
chengf223的博客
06-03 2404
在系统升级过程中往往需要对flash进行裸数据的标记读写，对于nand flash 的系统不能像nor flash一样在任意位置上进行裸数据读写，如果Nand flash存在坏块，并且正好处于读写的位置上，数据就比较容易出错了。nand flash 存在坏块特性，往往在底层驱动去对坏块的规避处理，但是对于非文件系统的nand flash往往因为坏块的存在，产生读写地址的偏差导致裸数据读写的错误，因此nand flash 不建议采用离散增量写的方式，避免因为坏块的存在，实际地址发生偏差。对于小于...
NAND Flash中常用的纠错方式
ohhmygod的专栏
02-09 5305
Hanming,RS,BCH —— NAND Flash中常用的纠错方式           因为闪存中会有出错的可能，如果没有使用ECC模块，读出的数据和写入的数据会有不匹配的可能，也许一个文件中只有一两个bit不匹配，这也是不能容忍的。相对来说SLC中出错概率比较低，所以使用一个纠错能力不强的Hanming码就可以了，在MLC中Hanming码就显得力不从心了，需要纠错能力更强的RS或者B
小米解锁bl 社区5级 解锁bl题库 整理收集 提升分数 快速解锁
最新发布
小马哥的专栏
04-29 5565
小米机型目前限制bl解锁量。需要通过社区等级与答题分数才可以有解锁资格。但其中的题库对于有些资深大佬都感觉绕口。以下将收集其中一些比较经典的题库。方便米粉参考。提升分数。
stm32 nand flash 存数据异常
weixin_42576804的博客
01-19 581
STM32 NAND Flash 在存储数据时如果出现异常，可能是由于以下原因造成的: NAND Flash 控制器配置不正确。 NAND Flash 芯片已损坏。 数据传输过程中出现错误。 NAND Flash 中的坏块导致的读写错误。 电源电压不稳定。 请确认上述原因并采取适当的措施解决问题。 ...
NANDflash常见问题汇总
09-08 2482
转载：https://blog.csdn.net/MENGHUANBEIKE/article/details/87184421 掉程序（这里专指使用NAND flash的主板掉程序），这是一个让工程师浑身发毛的问题，特别是用着用着程序就没有了，往往这个时候很多工程师都无法下手，问题出现的时候你可能根本不在旁边，无法看到问题现象，而且通过测量信号也很难发现问题的原因，这个时候很多工程师可能会采用更换主板器件的方式，用排除法来定位问题，基本上换一个NAND flash就可以解决问题了。这个时候很多工程师可能.
Nand flash发生位翻转问题定位(报错打印：sfc_nand_prog_page_raw ea80 cache bitflip)
weixin_42031299的博客
04-02 2407
(1)nand flash出现位翻转的可能原因有多种，比如：nand flash芯片本身工作不正常；参数配置不对，导致操作时序不对；硬件布线有问题，导致线路被干扰；(2)我遇到的这次出错是rk3568芯片适配SPI nand flash，分析步骤是我排查该问题的过程；
nand flash读写数据不一样_Flash中XIP模式
weixin_39864601的博客
12-23 894
XIP：eXecute In Place，即芯片内执行，指应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。所谓片内执行并不是说程序在存储器内执行，CPU的基本功能是取指、译码、执行，存储器访问，写回。Nor Flash能在芯片内执行，指的是CPU能够直接从Nor flash中取指令，供后面的译码器和执行器来使用。NOR Flash和Nand Flash 上...
NandFlash操作详解（二）
doccode的博客
07-20 5576
NandFlash读操作：          NandFlash的读取分为页读和随机读。页读每次读取一个page，从page的第一个数据开始读。其实也就是列号（偏移地址）为0，只提供页地址。 随机读能读取到一个page里面的某个存储单元，但是需要提供行地址和列地址。          页读和随机读的区别只是在于是否提供列号（偏移地址）。 打开NandFlash的芯片手册，找到读时序图：
NAND FLASH 控制器源码（verilog）
01-14
NAND Flash控制器是嵌入式系统中用于管理NAND闪存设备的核心部件，它负责执行对NAND闪存芯片的所有读写操作，并处理错误检测与校正、坏块管理、地址映射等高级功能。Verilog是一种硬件描述语言，常用于数字电路设计...
NAND FLASH实验_nandflash_nand读写_nandflash实验_STM32F767源程序_stm32f7fl
09-29
本实验主要涉及STM32F767对NAND Flash的读写操作，这对于开发嵌入式系统特别是需要大容量存储的应用至关重要。 在进行NAND Flash的操作前，我们首先要了解NAND Flash的基本结构和特性。NAND Flash由多个页面（Page...
TEST_Nand-Flash.rar_hy27us08561a_nand flash 读写
09-19
标题中的“TEST_Nand-Flash.rar_hy27us08561a_nand flash 读写”表明这是一个关于海力士（Hyundai）型号为Hy27US08561A的NAND闪存芯片进行读写操作的教学资源。这个RAR压缩包可能包含了一系列教程、代码示例或者实验...
FPGA控制nand_flash读写测试，仿真测试，nand_flash.zip
12-31
3. **错误检测与处理**：NAND Flash可能会有ECC（Error Correction Code）和其他校验机制，以检测并修复数据错误。 4. **地址译码**：由于提到地址是五个周期的数据，这可能意味着地址线的高有效位在不同周期被激活...
NandFlash读写过程
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每天进步一点点
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一、结构分析 S3C2410处理器集成了8位NandFlash控制器。目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512Byte、2kByte、2kByte
Nand Flash的特性及烧录问题
嵌入式大师之路
09-05 1626
为什么烧录Nand Flash经常失败?为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来?为什么不能像Nor Flash一样接通过烧录器读取母片？…，等等，你是否了解过Nand Flash的特性吗?
基于Nand Flash的UBIFS多任务读写错误
gp_scorpius
11-14 7731
在Nand Flash上创建UBIFS格式的文件系统，用于存储系统的历史数据。 测试发现，在多任务操作Nand Flash的过程中，会有比较大的概率导致nand flash错误。 在Linux Kernel的menuconfig中，配置选项 Device Drivers-> Memory Technology Device (MTD) support -> NAND Device Support->Verify NAND page writes 用来配置在nand flash写入时，是否进行额外的校验.
nand flash读写数据不一样_嵌友，EMMC和Nand还傻傻分不清吗？
weixin_39575775的博客
12-23 443
1.背景今天偶然在一个群里看到有人聊EMMC和Nand，相信很多嵌入式er都用过或者至少听说过这2种板载存储芯片，但是很多人不清楚这2种的差异，也不明白什么时候应该用EMMC什么时候用Nand，如何选择？今天我们就来聊聊这个问题。2.Nand是这样的Nand是一种flash，所以又叫NandFlash。大家知道Flash叫闪存(flash这个英语单词就有闪烁的意思)，闪存这种存储设备是用...
freertos nand flash 读取错误_Flash失效小谈
weixin_36178216的博客
12-27 1699
SOC中往往会集成供应商flash芯片，但完成可靠性实验后偶尔会遇到code丢失，bit翻转等问题，接下来，我们聊一聊flash失效机理及一些可靠性实验。 要分析flash的失效机理，需要先清楚其工作机理：读、写、擦除等。 Flash分为NAND flash和NOR flash。均是使用浮栅场效应管(Floating Gate FET)作为基本存储单元来存储数...
关于nand flash的地址 A8寻址
yoveldf的专栏
10-19 978
在NAND Flash中有8个I/O引脚（IO0—IO7）、5个全能信号（nWE ALE CLE nCE nRE）、一个引脚，1个写保护引脚。操作NAND Flash时，先传输命令，然后传输地址，最后读写数据。对于64MB的NAND Flash，需要一个26位的地址。只能8个I/
nandflash verilog
05-09
Nand Flash是一种基于闪存技术的存储器组件，与传统的动态随机存储器DRAM和同步动态随机存储器SDRAM不同，Nand Flash存储器的特点在于具有非易失性、高速读写、低功耗消耗，并且输出数据具有较高的可靠性。在数字逻辑系统中，Nand Flash经常用来作为数据存储器、FPGA逻辑开发板中的块存储器或存储加载模块，Nand Flash的读写过程通过Verilog实现比较常见。 由于Nand Flash输入输出口包括位宽、时序和时钟等参数，因此在Verilog的Nand Flash设计中我们通常需要确定各个参数的数值和关系，从而完成Nand Flash的逻辑实现。其中，Nand Flash的时序是最为关键的一个参数，因为存储器芯片工作的速度和质量直接关系到其使用的效率和可靠性。在设计Nand Flash时，我们也需要注意到访问控制信号的时序和时钟参数，以保证Nand Flash的输出数据能够被读取并且操作正确。 在Verilog实现Nand Flash的读写过程时，通常涉及到读写模式的转换，读入数据和擦除数据等多种操作，这些操作关系到存储器芯片的运行和使用，因此需要特别注意设计的时序和逻辑实现。此外，由于Nand Flash存储器需要进行多次存储操作，因此需要进行错误检测和纠正，以保证存储的数据不会出现错误和损坏。 总的来说，Nand Flash作为一种重要的存储器组件，其在数字逻辑系统中的实现和使用十分重要。通过Verilog设计实现Nand Flash的读写过程，不仅能够保证存储器系统的效率和可靠性，而且能够为数字逻辑开发带来更高的体验和使用效果。

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