NOR闪存和NAND闪存的读写特点总结归纳（对比分析）

最新推荐文章于 2022-06-29 14:44:20 发布
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分类专栏： 计算机组成原理 文章标签： 组成原理 闪存
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NOR闪存NAND闪存
读写基本单位字块
存储介质随机存储介质，适用数据量较小的场合连续性存储介质，适合数据量较大的场合
读写性能读速度比NAND闪存快一些NAND的写入速度比NOR快很多
擦除速度擦除NOR器件时在64～128KB的块进行，执行一个擦除/写入操作的时间约为5s擦除NAND器件在8～32KB的块进行，执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms
擦除单元擦除单元多，擦除电路多擦除单元少，擦除电路少
数据线和地址线地址线和数据线公用，对读写速度有影响数据线和地址线分开，读写速度更快一些
操作对象不晕血对一个字节甚至一个块进行数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作可以对字进行操作。在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要比NOR闪存快
可靠性接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性较高接口和操作均较复杂，位交换操作较多，可靠性较低一些
易用性可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。
实际应用数据/程序存贮应用中选用NOR型闪存。大容量的多媒体应用中选用NAND型闪存
秋叶依剑
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专栏目录
NOR型flash vs NAND型flash
lyd0813的博客
09-01 1125
FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。闪存可以在软件的控制下写入和擦写数据。其存储空间被分割成相对较大的可擦除单元，成为擦除块（erase block）。Flash分为NAND flash和NOR flash二种。那么这二者有什么区别呢？
NOR型闪存与NAND型闪存的区别
lcydhr的专栏
01-20 1020
分类： 1) 闪存芯片读写的基本单位不同     应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要
Nor 和NAND Flash 比较
爱吃肉的猫
03-10 1563
Nor 和NAND Flash区别 1、操作速度 在写数据和擦除大量数据时，由于NAND flash 支持整块操作，因此NAND比NOR快得多，两者相差近千倍；但是数据量小的时候，比如几个字节，Nor Flash比NAND flash 擦写速度快，因为对NAND flash的读写操作，虽然只是几个字节的操作，也需要重写整个数据块； 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。读取数据时，NOR比NAND快，NOR以字或字节为单位进行读取，NAND要先向芯片发送地址信息进行寻址
linux内核mtd分区,linux内核MTD分区
weixin_32534653的博客
05-02 370
linux内核MTD分区 (30页) 本资源提供全文预览，点击全文预览即可全文预览,如果喜欢文档就下载吧，查找使用更方便哦！19.90 积分MTD 设备驱动 和 NAND Flash 驱动程序分析硬件环境： 飞凌OK6410，256MB DDR，2GB NAND Flash、 NAND Flash 型号：K9G8G08U9A 、 分析源码：Linux 2.6.36.2 内核源码。...
NOR 与 NAND的区别对比分析
深圳市雷龙发展有限公司
06-15 5866
　　*为便于理解并省去容量单位转换的麻烦，以下容量单位均使用Byte单位（128Mbit=16MByte）　　　　前言：　　　　NOR FLASH 是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术(实际上是东芝的富士雄率先开发出来的)，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable R
NOR flash和NAND flash的区别
老白的博客
02-28 1万+
最近学习flash时，说W25Q64是NOR flash。这个NOR flash和NAND flash的概念一直搞不清，下面是查询的相关资料。1、结构方面：         NORflash采用内存的随机读取技术。各单元之间是并联的，对存储单元进行统一编址，所以可以随机访问任意一个字。         既然是统一编址，NORflash就可以芯片内执行，即应用程序可直接在flash内运行，而无需先拷...
NAND闪存技术深入解析
11-18
NAND闪存的封装和引脚复用是其另一个显著特点。相比于NOR闪存的41个I/O引脚，NAND只需要24个引脚，通过复用指令、地址和数据总线节省了引脚数量。这意味着相同的硬件设计可以支持更高密度的NAND器件，且提供了多种...
NOR和NAND Flash存储器的区别-综合文档
05-23
NOR 和 NAND Flash 存储器的区别 NOR 和 NAND Flash 存储器是现在市场上两种主要...NOR 和 NAND 闪存都有其特点和应用场景，设计师在选择存储解决方案时，必须权衡各项因素，包括读写速度、擦除速度、成本、可靠性等。
NAND闪存深入解析
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在嵌入式系统中应用NAND Flash闪存作为存储设备
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对于许多消费类音视频产品而言，NAND Flash是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为... 一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)。虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映
nand 读写速度计算方法
08-23
实际nand timing分析理论上nand 读写速度
flash闪存的读写时序
12-15
flash闪存的读写时序。。。。。。。。
意法发布70nm工艺NAND闪存进入NAND闪存技术的先进行列
11-29
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NOR和NAND flash 区别
m0_61231111的博客
06-29 2818
1、操作速度 在写数据和擦除大量数据时，由于NAND flash 支持整块操作，因此NAND比NOR快得多，两者相差近千倍；但是数据量小的时候，比如几个字节，Nor Flash比NAND flash 擦写速度快，因为对NAND flash的读写操作，虽然只是几个字节的操作，也需要重写整个数据块； 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。读取数据时，NOR比NAND快，NOR以字或字节为单位进行读取，NAND要先向芯片发送地址信息进行寻址，才能开始读数据。 2、容量和
NAND FLASH和NOR FLASH的区别
记得诚
11-19 1万+
NAND FLASH和NOR FLASH进行比较。
NAND闪存与NOR闪存的工作原理详解
08-22 2万+
经典物理学认为 物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡，先用力骑，如果坡很低，不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高，不蹬自行车，车到一半就停住，然后退回去。 量子力学则认为 即使粒子能量小于阈值能量，很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹，还会有一些粒子能过去，好象有一个隧道，称作“量子隧道（quantum tunneling）”。可
NOR与NAND闪存对比
Fybon的专栏
12-08 1488
基于 NOR 的 Flash 技术比较早，它支持较高的读性能，但以降低容量为代价。 NAND Flash 提供更大容量的同时实现快速的写擦性能。NAND 还需要更复杂的输入/输出（I/O）接口。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些；而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程
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Nand Flash读写速度的计算方法 在下面的部分，我们以Micron的Nand Flash芯片为例，看一下Nand Flash的访问速度(Write / Read)是如何计算的？我们可以利用Datasheet提供的Read / Program / Erase操作时序图进行逐项累加，并通过一定的公式推导来完成。     以下图为例，这是一个相当复杂的图示。它包含两部分(target)
NAND速度优化探索
haomcu的专栏
10-31 2804
使用的硬件平台为博通7231，NAND型号为K9GAG08U0E。 最初的情况是这样的，此款cpu的nand控制器不支持DMA，另外默认的主频是108M的，经过测试flash的读速度为4M/s左右，对于系统性能有一定的限制（软件启动速度，系统开机速度等），后来更改nand控制器主频为206M，CE信号的低、高电平时间适量缩短（这个是最重要的，这个缩短之后，一个读周期就会大大缩短，比提高主频效果还
norflash和nandflash区别
最新发布
05-17
NorFlash 和 NAND Flash 都是闪存存储器的类型，它们在存储器结构、读写速度、使用场景等方面略有不同。 1. 存储器结构：NorFlash 的存储器结构是基于并行连接的，每个存储单元都有自己的地址，可以直接访问。NAND Flash 的存储器结构是基于串行连接的，需要通过块地址和页地址来访问数据。 2. 读写速度：NorFlash 的读取速度比NAND Flash更快，但是写入速度相对较慢。NAND Flash 的读取速度相对较慢，但是写入速度比NorFlash更快。 3. 使用场景： NorFlash 适合用于小容量的存储器和实时应用，如嵌入式系统的启动程序，因为它的读取速度快；NAND Flash 适合用于大容量的存储器，如固态硬盘或者U盘，因为它的写入速度快。 总的来说，NorFlash 和 NAND Flash 都有各自的优势和适用场景，需要根据具体的应用需求来选择。

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