W25Q80和GD25Q80

二者同为SPI-Flash，前者为华邦公司产品，后者是GD公司产品。

W25Q80：

• 8M-bit  1024KB  
• 80MHz clock operation
• 共有16个Block，每个Block有16个扇区，每个扇区4KB，每一页256个字节
• 每个设备有64位唯一ID

GD25Q80：

• 8M-bit  1024KB  
• 120MHz 快速阅读
• 共有16个Block，每个Block有16个扇区，每个扇区4KB，每一页256个字节
• 每个设备有128位唯一ID

引脚：（二者引脚完全兼容）

寄存器：

W25Q80 状态寄存器（S15~S0）

BUSY：FLASH正在擦除或者正在写入

TB：Top/Bottom写保护位，与BP[2:0]构成更多组合

SEC：扇区保护位，与BP[2:0]构成更多组合

SRP0：状态寄存器保护位

这5位决定写保护的范围

GD25Q80 状态寄存器（S15~S0）

SUS：只读位，该位在擦除、编程、暂停指令后置1 个人感觉这位没什么用

CMP：与BP[4:0]构成更多的组合 默认置0，与W25q80保持兼容

HPM：该位置1表示FLASH当前是高性能模式 一般不用

LB：OTP位，写1，安全寄存器变为永久只读 一般不用

这6位决定写保护范围，其实除了S14，剩下的和W25Q80寄存器是一样的，都是S2~S6共5位

那么S14是什么东西呢？上文讲了，S14即CMP，CMP=0或1 时 只是保护的范围不同罢了

比如当CMP=0，S6~S2= 00010 时 写保护区域为  0E0000H-0FFFFFH 128KB（与W25Q80一样）

当CMP=1时，S6~S2=00010时  写保护区域为   000000H-0DFFFFH 896KB

默认CMP=0，即与W25Q80保持兼容。

指令表：

以下指令二者是一样的，实际上GD32Q80多了很多指令，比如和安全寄存器相关的编程，擦除，读取三条指令，但是通常我们也只会用到以下指令。

#define W25X_WriteEnable		0x06 
#define W25X_WriteDisable		0x04 
#define W25X_ReadStatusReg		0x05 
#define W25X_WriteStatusReg		0x01 
#define W25X_ReadData			0x03 
#define W25X_FastReadData		0x0B 
#define W25X_FastReadDual		0x3B 
#define W25X_PageProgram		0x02 
#define W25X_BlockErase			0xD8 
#define W25X_SectorErase		0x20 
#define W25X_ChipErase			0xC7 
#define W25X_PowerDown			0xB9 
#define W25X_ReleasePowerDown	0xAB 
#define W25X_DeviceID			0xAB 
#define W25X_ManufactDeviceID	0x90 
#define W25X_JedecDeviceID		0x9F 

值得注意的是，二者厂商的ID和设备ID是不同的，原子例程有个死循环验证厂商和设备ID，如果用的是GD25系列的Flash需要改下相关宏定义。

华邦的厂商和设备ID（不是芯片唯一ID）一般是 0xEFXX,GD是0xC8XX（XX由不同容量决定）。

 

综上所述，二者可以互相替换。