负端5V2.4A同步整流IC U7711​（实际中遇到创芯微的CM1600B)芯片中MOS管的体二极管允许电流逆向通过，因此电流波形是持续的，电路可以一直工作在持续状态。普通二极管断续

 当电压低于3.2V时候电流通过体二极管，当电压高于3.4V时候MOS管导通，副边电压是正切大于3.4V ,此时直流电压同步通过电路，并且不产生普通肖特基整流二极管自身的压降，提高了电压，提高了效率。这是同步整流的来由。

负端整流是指在变压器副边的GND极，并不是利用二极管的反向漏电流整流，注意区分概念2024.8.29

与肖特基整流相比，同步整流的调整难度就在于其驱动电路的调校，因此在PC电源的发展早起，同步整流一般只应用在高端产品上，是作为一种展示厂商实力的手段，主流级的产品大都使用电路结构简单的肖特基整流。

而近年来同步整流的驱动IC有了很大的进展，使得同步整流的控制不再是一件高难度的事情，因此现在同步整流已经从高端逐步向主流级市场推进。深银联宝科技的同步整流IC已经相当成熟，在同步整流市场颇有名气，近期更是针对性的开发了多款负端同步整流IC，今天就来了解一下负端5V2.4A同步整流IC U7711！

负端5V2.4A同步整流IC U7711是一款用于替代 Flyback 副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。

U7711支持““共地”同步整流配置，也支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。U7711采用输出直接给VDD供电，不需要辅助绕阻，也不需要VDD电容，降低了系统成本。U7711内置智能开通检测逻辑防止同步整流误导通。

U7711

负端5V2.4A同步整流IC U7711采用5V输出直接给VDD供电, 无需辅助绕阻，省略了VDD电容，系统成本降低。系统开机以后，芯片内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。

当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.2V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD电压高于VDD开启电压后（3.4V 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流MOSFET 只在副边续流期间才能开通。

变压器副边续流阶段开始时，同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于负端5V2.4A同步整流IC U7711内部MOSFET开启检测阈值，(典型值-200mV)，故经过开通延迟（典型值 20nS）后内部MOSFET开通。

在同步整流MOSFET导通期间，U7711采样MOSFET漏-源两端电压 (Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值(典型值-6mV)，内部MOSFET将在关断延迟（Td_off，约20ns）后被关断。

U7711

在内部同步整流 MOSFET 开通瞬间，芯片漏-源(Drain-Source) 之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。

在LEB时间（约 1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。

轻负载下的同步整流电路在转换效率上并不比肖特基整流有明显优势，但相比于后者会释放高频谐波的缺点，同步整流电路在轻负载下的“瑕疵”几乎是可以忽略不计的，所用的晶体管允许电流逆向通过，因此电流波形是持续的，电路可以一直工作在持续状态。同步整流IC，更是您同步整流电路的首选！

了解一下负端5V2.4A同步整流IC U7711-电子发烧友网

 当电压低于3.2V时候电流通过体二极管，当电压高于3.4V时候MOS管导通，副边电压是正切大于3.4V ,此时直流电压同步通过电路，并且不产生普通肖特基整流二极管自身的压降，提高了电压，提高了效率。这是同步整流的来由。

负端整流是指在变压器副边的GND极，并不是利用二极管的反向漏电流整流，注意区分概念2024.8.29