系统移植与NAND FLASH

1)BL0：是指S5PV210的iROM中固化的启动代码
        作用：初始化系统时钟，设置看门狗，初始化堆和栈，加载BL1

(2)BL1：是批在iRAM自动从外扩存储器(nand/sd/usb)中拷贝的uboot.bin二进制文件的头最大16K代码
        作用：初始化RAM,关闭Cache，设置栈，加载BL2

(3)BL2：是指在代码重定向后在内存中执行的uboot的完整代码
        作用：初始化其它外设，加载OS内核

(4)三者之间的关系：(Interal ROM固化代码)BL0将BL1(bootloader的前16KB--BL1)加载到iRAM；BL1然后在iRAM中运行将BL2(剩下的bootloader)加载到SDRAM；BL2加载内核，把OS在SDRAM中运行起来，最终OS是运行在SDRAM(内存)中的。

 

NandFlash简介

Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。

        从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的入硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。

 

FLASH的分类：功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。

NOR FLASH和NAND FLASH

        NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结结，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
      NOR的读速度比NAND稍快一些。
      NAND的写入速度比NOR快很多。
      NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
     大多数写入操作需要先进行擦除操作。
     NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少

 在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元 — 他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分， 这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。为了增加产量和降低生产成本, NAND Flash 器件中存在一些随机bad block 。为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。
    从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。 NOR Flash拥有完整的存取-