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一、运放电路应用实例分析
同相放大器
运放的同相放大器形式,它的输出信号与输入信号的相位相同,即:同一时刻的极性是相同的。
同相放大器的电路形式,如下图所示:
运放的同相放大器形式
同相放大器的增益,由Rf和Rs决定,并且总是大于1。
增益K计算公式如下:
K=1+Rf/Rs
同相放大器,施加的反馈方式是电压串联负反馈,这种负反馈具有增大输入电阻、降低输出电阻的作用。
然而,反馈深度又决定了输入电阻、输出电阻的改变程度。
当Rs的阻值接近无穷大时,同相放大器的增益无限接近1,此时的效果等效为电压跟随器,此时把Rf减小到0,性能基本不变,此时,电压跟随器的电路形式如下图所示:
运放的电压跟随器形式
电压跟随器,通常用在高阻抗电路与低阻抗负载之间的匹配,起到缓冲/隔离的作用。
由于电压跟随器,有很深的负反馈,获得的缓冲/隔离作用远胜于单个分立元件组成的电压跟随器。
反相放大器
运放的反相放大器形式,它的输出信号与输入信号的相位相反,即:同一时刻的极性是相反的。
反相放大器的电路形式,如下图所示:
运放的反相放大器形式
反相放大器的增益,由Rf和Rs决定,增益可以小于1、等于1、大于1。
增益K计算公式如下:
K=-Rf/Rs
式中的‘负号’表示输出极性与输入极性相反。
反相放大器,施加的反馈方式是电压并联负反馈,这种负反馈,能减小输入和输出电阻的作用。
然而,反馈深度又决定了输入电阻、输出电阻的改变程度。
由于负反馈的作用,运放的反相输入端成为交流电位与地相等的虚地。
利用这个虚地,反相放大器可以成为多个输入信号叠加的加法器。
运放的加法器形式,如下图所示:
运放的加法器形式
加法器的输出信号Ao≈-Rf·(1/R1·V1+1/R2·V2+。。.+1/Rn·Vn)
可见,输出信号是各个输入信号按比例叠加的结果,电阻R1至Rn可以分别控制各个输入信号的混合比例。
加法器在多路信号的混合上有着很多的应用。
反相放大器,在单管放大电路上也有一样的用法,如下图所示:
单管与运放组成的反相放大器对比
积分器
如果把反相放大器的电阻Rf用电容Cf替换,此时就变成了一个积分器。
如下图所示:
积分器
积分器,实质上等效于一个低通滤波器,滤波器的截止频率fo的计算公式如下:
fo=1/2π·Cf·Rs
当输入频率等于fo时,积分器的增益等于1。
当输入频率低于fo时,积分器的增益以6dB/oct的斜率,随着输入频率的降低而升高,直到达到运放的开环增益为止。
积分器常用于取出信号中的直流分量。
如果使用单纯RC型低通滤波器,来获得同样的效果,电容取值要比积分器的Cf大得多,需要的容量大概是开环增益值乘以Cf这个数值,这几乎不能实现,或者是造价太高了。
因此积分器,被大量用在伺服系统中,有些音频放大器,就是利用运放的积分器,组成DC伺服电路,以便让放大器的直流偏移电压控制在最小值。
二、在MCU晶体两边各接一对地电容的原因
很多MCU开发者对MCU晶体两边要各接一个对地电容的做法表示不理解,因为这个电容有时可以去掉。参考很多书籍,却发现书中讲解的很少,提到最多的往往是:对地电容具稳定作用或相当于负载电容等,都没有很深入地去进行理论分析。
另外一方面,很多爱好者都直接忽略了晶体旁边的这两个电容,他们认为按参考设计做就行了。但事实上,这是MCU的振荡电路,又称“三点式电容振荡电路”,如下图所示。
MCU三点式电容振荡电路
其中,Y1是晶体,相当于三点式里面的电感;C1和C2是电容,而5404和R1则实现了一个NPN型三极管(大家可以对照高频书里的三点式电容振荡电路)。
接下来将为大家分析一下这个电路
首先,上面电路图中5404必须搭一个电阻,不然它将处于饱和截止区,而不是放大区,因为R1相当于三极管的偏置作用,能让5404处于放大区域并充当一个反相器,从而实现NPN三极管的作用,且NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。
其次将用通俗的方法为大家讲解一下这个三点式振荡电路的工作原理。
众所周知,一个正弦振荡电路的振荡条件为:系统放大倍数大于1,这个条件较容易实现;但另一方面,还需使相位满足360°。而问题就在于这个相位:由于5404是一个反相器,因此已实现了180°移相,那么就只需C1、C2和Y1再次实现 180°移相就可以了。恰好,当C1、C2和Y1形成谐振时,就能实现180移相;最简单的实现方式就是以地作为参考,谐振的时候,由于C1、C2中通过的电流相同,而地则在C1、C2之间,所以恰好电压相反,从而实现180移相。
再则,当C1增大时,C2端的振幅增强;当C2降低时,振幅也增强。有时即使不焊接C1、C2也能起振,但这种现象不是由不焊接C1、C2的做法造成的,而是由芯片引脚的分布电容引起,因为C1、C2的电容值本来就不需要很大,这一点很重要。
这两个电容对振荡稳定性到底有什么影响呢?
由于5404的电压反馈依靠C2,假设C2过大,反馈电压过低,这时振荡并不稳定;假设C2过小,反馈电压过高,储存能量过少,则容易受外界干扰,还会辐射影响外界。而C1的作用与C2的则恰好相反。在布板的时候,假设为双面板且比较厚,那么分布电容的影响则不是很大;但假设为高密度多层板时,就需要考虑分布电容,尤其是VCO之类的振荡电路,更应该考虑分布电容。
因此,那些用于工控的项目,建议最好不要使用晶体振荡,而是直接接一个有源的晶振。
很多时候大家会采用32.768K的时钟晶体来做时钟,而不是通过单片机的晶体分频来做时钟,其中原因想必很多人也不明白,其实上这是和晶体的稳定度有关:频率越高的晶体,Q值一般难以做高,频率稳定度也比较差;而 32.768K晶体在稳定度等各方面的性能表现都不错,还形成了一个工业标准,比较容易做高。另外值得一提的是,32.768K是16 bit数据的一半,预留最高1 bit进位标志,用作定时计数器内部数字计算处理也非常方便。
三、差分放大电路
要想掌握差分放大电路,首先就要知道什么是差分放大电路以及它的作用。差分放大电路是模拟集成运算放大器输入级所采用的的电路形式,差分放大电路是由对称的两个基本放大电路,通过射极公共电阻耦合构成的,对称的意思就是说两个三极管的特性都是一致的,电路参数一致,同时具有两个输入信号。
它的作用是能够有效稳定静态工作点,同时具有抑制共模信号,放大差模信号等显著特点,广泛应用于直接耦合电路和测量电路输入端。差模放大电路特点
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电路两边对称
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两个管子公用发射机电阻Re
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具有两个信号输入端
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信号既可以双端输出,也可以单端输出
共模信号:大小幅度相等 极性相同的输入信号
差模信号:大小幅度相等 极性相反的输入信号差分放大电路具有抑制零漂移稳定静态工作点,和抑制共模信号等作用,接下来一一分析。
首先我们的电路的工作环境温度并不是一成不变的,也就是说是时刻变化着的,还有直流电源的波动,元器件老化,特性发生变化都会引起零漂和静态工作点变化。
通常在阻容耦合放大电路中,前一级的输出的变化的漂移电压都落在耦合电容上,不会传入下一级放大电路。
但在直接耦合放大电路中,这种漂移电压和有用的信号一起送到下一级被放大,导致电路不能正常工作,所以要采取措施,抑制温度漂移,虽然耦合电容可以隔离上一级温漂电压,但是很多时候我们要接受处理的是很多微弱的、变化缓慢的弱信号,这类信号不足以驱动负载,必须经过放大。又不能通过耦合电容传递,所以必须通过直接耦合放大电路,那么直接耦合典型电路:就是差分放大电路。
通常克服温漂的方法是引入直流负反馈,或者温度补偿。
接下来谈谈直接耦合电路中,差分放大电路如何抑制零漂电压稳定工作点,和抑制共模信号,并放大差分信号的。
抑制零漂的原理
下面以电路双端输出为例:
首先T1和T2特性相同,电路两边对称,在输入电压Vi1=Vi2=0V当温度T一定时,流过T1的电极电流与流过T2集电极的电流一致 即ic1=ic2,那么T1和T2上两个集电极电阻的压降是相等的所以Uo1=Uo2那么输出电压Uo就等于零即Uo1-Uo2=Uo=0所以这个电路可以抑制零漂的。
那么当温度增加△T的时候还能抑制零漂吗?答案是能,因为两边对称性能是一样的它们工作在统一环境下,当温度上升△T时,流过两个管子集电极的电流也是相等的,即(ic1+△ic1)=(ic2+△ic1) 那么加在两个集电极的电压也是相同的,所以输出电压Uo任然为0。所以在双端输出的情况下,零漂为0。
那么在单端输出的时候还可以抑制零漂吗? 当然可以,在单端输出时可以取值Uo1或者Uo2,这里以Uo1输出为例,因为射极电阻Re的负反馈作用,并且Re是T1和T2射极的共用电阻所以流过Re的电流是2倍的ie所以负反馈作用更好,所以可以稳定静态工作点,抑制零漂。
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共模信号:当Vi1与Vi2大小相等,极性相同的输入信号时,共模信号的作用,对两管的作用是同向的,将引起两管电流同量的增加,集电极电位也同量的减小,因此两管集电极输出共模电压Uo=Uo1-Uo2=0,差分放大电路对共模信号有很好的抑制作用。
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差模信号:当Vi1与Vi2大小相等,极性相反的输入信号时,由于信号的极性相反,因此T1管集电极电流增大而T2管集电极电流减小,且增大量和减小量相等。另外由于输入差模信号,两管输出端电位变化时,一端上升,另一端降低,且升高量等于降低量,所以差分电路对输入信号电压的差值是有用的,因此电路被称为差分放大电路。
四、多层PCB内部样子
用立体图形展示各种叠层结构的PCB图内部架构。
高密度互联板(HDI)的核心 在过孔
多层PCB的线路加工,和单层双层没什么区别,最大的不同在过孔的工艺上。
线路都是蚀刻出来的,过孔都是钻孔再镀铜出来的,这些做硬件开发的大家都懂,就不赘述了。
多层电路板,通常有通孔板、一阶板、二阶板、二阶叠孔板这几种。更高阶的如三阶板、任意层互联板平时用的非常少,价格贼贵,先不多讨论。
一般情况下,8位单片机产品用2层通孔板;32位单片机级别的智能硬件,使用4层-6层通孔板;Linux和Android级别的智能硬件,使用6层通孔至8一阶HDI板;智能手机这样的紧凑产品,一般用8层一阶到10层2阶电路板。
最常见的通孔
只有一种过孔,从第一层打到最后一层。不管是外部的线路还是内部的线路,孔都是打穿的,叫做通孔板。
通孔板和层数没关系,平时大家用的2层的都是通孔板,而很多交换机和军工电路板,做20层,还是通孔的。
用钻头把电路板钻穿,然后在孔里镀铜,形成通路。
这里要注意,通孔内径通常有0.2mm、0.25mm和0.3mm,但一般0.2mm的要比0.3mm的贵不少。因为钻头太细容易断,钻的也慢一些。多耗费的时间和钻头的费用,就体现在电路板价格上升上了。
高密度板(HDI板)的激光孔
这张图是6层1阶HDI板的叠层结构图,表面两层都是激光孔,0.1mm内径。内层是机械孔,相当于一个4层通孔板,外面再覆盖2层。
激光只能打穿玻璃纤维的板材,不能打穿金属的铜。所以外表面打孔不会影响到内部的其他线路。
激光打了孔之后,再去镀铜,就形成了激光过孔。
2阶HDI板 两层激光孔
上面这张图是一个6层2阶错孔HDI板。平时大家用6层2阶的少,大多是8层2阶起。这里更多层数,跟6层是一样的道理。
所谓2阶,就是有2层激光孔。
所谓错孔,就是两层激光孔是错开的。
为什么要错开呢?因为镀铜镀不满,孔里面是空的,所以不能直接在上面再打孔,要错开一定的距离,再打上一层的空。
6层二阶=4层1阶外面再加2层。
8层二阶=6层1阶外面再加2层。
叠孔板 工艺复杂价格更高
错孔板的两层激光孔重叠在一起。线路会更紧凑。
需要把内层激光孔电镀填平,然后在做外层激光孔。价格比错孔更贵一些。
超贵的任意层互联板 多层激光叠孔
就是每一层都是激光孔,每一层都可以连接在一起。想怎么走线就怎么走线,想怎么打孔就怎么打孔。
Layout工程师想想就觉得爽!再也不怕画不出来了!
采购想想就想哭,比普通的通孔板贵10倍以上!
所以,也就只有iPhone这样的产品舍得用了。其他手机品牌,没听说谁用过任意层互联板。
总结
最后放张图,再仔细对比一下吧。
请注意观察孔的大小,以及孔的焊盘是封闭的还是开放的。