嵌入式~PCB专辑67

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一、单片机硬件电路的设计方案和心得

  减少后级电源对前级的影响，防止电源正负接反烧坏后级电路，防止电源关电时电流倒灌，但经过二极管有0.4V左右压降，需要考虑经过0.4V降压后会不会低于后级电路的正常工作电压。

1、按键电路

R1上拉电阻：

    将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平，维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态。(个人建议加上)

    C1电容：

    减小按键抖动及高频信号干扰。(个人建议加上)

    R2限流电阻：

    保护IO口，防止过流过高电压烧坏IO口，对静电或者一些高压脉冲有吸收作用。(个人建议加上)

    R2的取值100欧~10k不等，如果有设置内部上拉，该值不能太大，否则电流不足以拉低IO口。

    D1 ESD二极管：

    静电保护二极管，防止静电干扰或者损坏IO口。(这个根据PCB的成本及防护级别要求来决定添加与否)

2、外接信号输入

 R3上拉电阻：

    将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平，维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态。(如果外接的连接线比较长，芯片内部上拉能力比较弱，则建议加上。平时通信距离不长，有内部上拉则可以省略)

    C2电容：

    防止高频信号干扰。(注意，如果输入频率信号比较大,C2容值要对应减少，或者直接省略C2)

    R4限流电阻：

    保护IO口，防止过流过高电压烧坏IO口，对静电或者一些高压脉冲有吸收作用。(个人建议加上)

    D2 ESD二极管：

    静电保护二极管，防止静电干扰或者损坏IO口。(这个根据PCB的成本及防护级别要求来决定添加与否)

3、输出电路继电器

U1光耦：

    分离高低压，防止高压干扰，实现电气隔离。

    D5 1N4148：

    续流二极管，保护元件不被感应电压击du穿或烧坏，以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端，并与其形成回路，使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗，从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用。

4、达林顿晶体管

 达林顿晶体管，小伙伴们一般常用于步进电机驱动，其实可以用于电机调速，大功率开关电路，驱动继电器，驱动功率比较大的LED光源，利用PWM来调节亮度哦。

    R6、R7、R8电阻：

    用于限流，防止ULN2001损坏，导致高压直接输入到MCU的IO。（由于ULN2001D本身自带2.7K电阻，这里的R6、R7、R8可以省略；如果某些驱动芯片没带电阻最好自己加上，具体情况可以查看选用芯片的数据手册作决定）

    COM端接电源：

    当输出端接感性负载的时候，负载不需要加续流二极管，芯片内部设计有二极管，只需 COM口接负载电源即可，当接其他负载时，COM口可以不接。

    在使用阻容降压电路为 ULN2001D 供电时，由于阻容降压电压无法阻止电网上的瞬态高 压波动，必须在 ULN2001D 的 COM 端与地端就近接一个 104 电容，其余应用场合下， 该电容可以不添加。 

5、运算放大器

利用运放巧妙采集负载的当前电流，可以准确知道当前负载运行情况，有没有正常工作，非常好用。

    GND2是负载的地端，通过R16电阻(根据负载电流的大小R16要选功率大一点的)接公共地，会有微小的电压差。

    该电路是同相比例运算电路，所以采样端的电压=输入端电压*(1+R9/R11)=69倍的输入电压。大家可以根据测量范围修改R9调节放大倍数。

6、MOS管

    控制电源输出通断：

7、输入电源

    如果电路成本比较紧张，可根据需要适当删减元件。

    F1自恢复保险丝：

    过流保护，可根据实际负载电流调整阀值大小。

    D10 肖基特二极管：

    减少后级电源对前级的影响，防止电源正负接反烧坏后级电路，防止电源关电时电流倒灌，但经过二极管有0.4V左右压降，需要考虑经过0.4V降压后会不会低于后级电路的正常工作电压。

    TVS管：

    输入电压过高保护，一般取正常输入电压的1.4倍。

二、PCB设计的基本流程

PCB板设计需要提供的信息

（1）原理图：一种完整的电子文档格式，可以生成正确的网表（网表）;

（2）机械尺寸：提供定位装置的具体位置和方向识别，以及特定高度限位位置区域的识别;

（3） BOM清单：主要是在原理图上确定并检查设备的指定包信息;

（4）接线指南：特定信号特定要求的说明，以及阻抗，层压等设计要求。

PCB设计的基本流程

• 预备

• PCB结构设计

• PCB布局

• 布线

• 布线优化和丝网

• 网络和DRC检查和结构检查

• PCB板 

下文具体讲述PCB设计的基本流程。

1 初步准备

    1）这包括准备组件库和原理图。“如果你想做一些好事，你必须首先磨练你的工具。”为了建立一个好的董事会，除了设计原则，你必须画好。在继续PCB设计之前，必须首先准备原理图SCH的元件库和PCB的元件库（这是第一步 - 非常重要）。组件库可以使用Protel附带的库，但通常很难找到合适的库。最好根据所选设备的标准尺寸数据自行完成组件库。

    原则上，首先执行PCB的组件库，然后执行SCH的组件库。PCB元件库要求较高，它直接影响电路板安装; SCH组件库要求相对宽松，只要您注意定义引脚属性以及与PCB组件的对应关系。

    注意标准库中的隐藏引脚。然后是原理图的设计，当它准备就绪时，就可以开始PCB设计了。

    2）在制作原理图的库时，要注意引脚是否连接到输出/输出PCB板并检查库。

2 PCB结构设计

    此步骤根据确定的板面尺寸和各种机械定位在PCB设计环境中绘制PCB表面，并放置所需的连接器，按钮/开关，数码管，指示器，输入，并根据定位要求输出。，螺丝孔，安装孔等，充分考虑和确定布线区域和非布线区域（如螺丝孔的范围是非布线区域）。

    应特别注意支付组件的实际尺寸（占用面积和高度），组件之间的相对位置 - 空间的大小，以及设备放置的表面，以确保电路板的电气性能。在生产和安装的可行性和便利性的同时，在确保能够体现上述原则的前提下，应对设备进行适当修改以使其整洁。如果相同的装置放置整齐并在同一方向上，它不能被放置。这是拼凑而成的。“

3 PCB布局

    1）确保布局前原理图正确 - 这非常重要！---- - 非常重要！示意图已完成，检查项目为：电网，地网等。

    2）布局应注意放置的表面设备（特别是插件等）和设备的放置方式（直插式水平或垂直放置），以确保安装的可行性和便利性。

    3）布局为白色将设备放在电路板上。此时，如果上述准备工作全部完成，您可以在原理图上生成网络表（Design-> CreateNetlist），然后导入网络表（Design-> LoadNets）在PCB上。我看到了完整的设备堆栈，并且引脚之间有飞线提示连接，然后可以进行设备布局。

总体布局基于以下原则：

    在布局中，您应该确定放置设备的表面：一般来说，补丁应放在同一侧，插件应该查看具体情况。

    1 ）根据电气性能的合理划分，一般分为：数字电路区域（即干扰，干扰），模拟电路区域（怕干扰），电源驱动区域（干扰源）;

    2）完成相同功能的电路，应尽可能靠近放置，并调整元件以确保最简单的连接;同时，调整功能块之间的相对位置，使功能块之间的连接最简洁;

    3）对于高质量的部件，应考虑安装位置和安装强度;加热元件应与温度敏感元件分开放置，必要时还应考虑热对流措施;

    4）时钟发生器（如：晶体或时钟）应尽可能靠近使用时钟的设备;

    5）布局要求应平衡，稀疏有序，不要头重脚轻或沉没。

4 接线

    接线是整个PCB设计中最重要的过程。这将直接影响PCB的性能。

    在PCB的设计过程中，布线一般有三个级别的划分。

    第一个是连接，然后是PCB设计的最基本要求。如果没有铺设线路，并且线路正在飞行，那么它将是一个不合格的板子。可以说它还没有开始。

    其次是电气性能的满意度。这是衡量印刷电路板合格性的指标。这是连接后，仔细调整接线，以达到最佳的电气性能，其次是美观。

    如果您的接线是连接的，那么就没有影响电器性能的地方了，但过去一瞥，有很多色彩鲜艳，色彩丰富，那么您的电气性能有多好，在别人看来还是一块垃圾。这给测试和维护带来了极大的不便。接线应整齐均匀，不应有规章制度。这些必须在确保电气性能和满足其他个性化要求的同时实现。

接线主要按照以下原则进行：

    1）在正常情况下，应首先布线电源线和地线，以确保电路板的电气性能。在这些条件范围内，尝试加宽电源和接地线宽度。接地线比电源线更好。它们的关系是：地线>电源线>信号线。通常信号线宽度为0.2~0.3mm。最细的宽度可以达到0.05~0.07mm，电源线一般为1.2~2.5mm。对于数字电路PCB，可以使用宽地线形成环路，用于形成接地网（模拟电路的接地不能像这样使用））;

    2）预先加工要求较高的线（如高频线），输入和输出端的边缘应避免相邻的平行，以避免反射干扰。如果需要，加上接地，两个相邻层的布线应相互垂直，并联易发生寄生耦合;

    3）振荡器外壳接地，时钟线应尽可能短，不能随处引用。在时钟振荡电路下方，特殊的高速逻辑电路部分应增加接地面积，不应采用其他信号线，以使周围电场接近零;

    4）尽可能使用45°折线，不要使用90°折线来减少高频信号的辐射; （要求高线使用双弧线）;

    5）不要在任何信号线上形成环路。如果不可避免，环路应尽可能小;信号线的通孔数量应尽可能小;

    6）关键线尽可能短而粗，并在两侧添加保护;

    7）通过扁平电缆传输敏感信号和噪声场带信号时，应通过“地线信号 - 地线”提取;

    8）应为测试点保留关键信号，以方便调试，生产和维护测试;

    9）完成示意布线后，应优化布线。同时，在初始网络检查和DRC检查正确之后，执行无线区域的接地，并且使用大面积铜层作为地线，并且使用印刷电路板。未使用的地方作为地面连接到地面。或者制作多层板，电源，地线各占一层。

5 添加泪珠

    泪珠是垫与线之间或线与引导孔之间的滴水连接。设置泪滴的目的是当电路板受到大的外力时，避免导线与焊盘或导线和导向孔之间的接触点。另外，断开连接，泪滴的设置可以使PCB电路板看起来更漂亮。

    在电路板设计中，为了使焊盘更坚固，防止制作机械板时，焊盘与焊丝之间断裂，焊盘与焊丝之间通常会设置过渡带铜膜，形状像泪珠，因此通常称为泪珠。

6 检查

• 反过来，第一项检查是查看Keepout图层，顶层，底层topoverlay和底部覆盖。

• 电气规则检查：通孔（0通孔 - 非常不可思议; 0.8边界线），是否有断开的网表，最小间距（10mil），短路（每个参数逐一分析）

• 电源线和地线检查 - 干扰。（滤波电容应靠近芯片）

• 完成PCB后，重新加载网络标记以检查网表是否已被修改 - 它可以正常工作。

• PCB完成后，检查核心设备的线路以确保准确性。

​

三、电容选型及公式大全

1、电容的作用

作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用，下面分类详述之。

1）旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。

为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2）去藕

去藕，又称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。

如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。

旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。

高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取 0.1?F、0.01?F 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是 10?F 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

3）滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过 1?F 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频 率高后反而阻抗会增大。

有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中，大电容（1000?F）滤低频，小电容（20pF）滤高频。

曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。

它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

4）储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为 40～450VDC、电容值在 220～150 000?F 之间的铝电解电容器是较为常用的。

根不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过 10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用：

1）耦合

举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号 产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件。

如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。

2）振荡/同步

包括 RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。

3）时间常数

这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。

而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：

i = (V / R)e- (t / CR)

2、电容的选择

通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？应基于以下几点考虑：

1）静电容量

2）额定耐压

3）容值误差

4）直流偏压下的电容变化量

5）噪声等级

6）电容的类型

7）电容的规格

那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，几乎每个器件的 Datasheet 或者 Solutions，都比较明确地指明了外围元件的选择参数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。

其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装，具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容。

下面是 chip capacitor 根据电介质的介电常数分类，介电常数直接影响电路的稳定性。

NP0 or CH （K < 150）：

电气性能最稳定，基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。鉴于 K 值较小，所以在 0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容。

如 0603 一般最大的 10nF 以下。

X7R or YB （2000 < K < 4000）：

电气性能较稳定，在温度、电压与时间改变时性能的变化并不显著（?C < ±10%）。

适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。

Y5V or YF（K > 15000）：

容量稳定性较 X7R 差（?C < +20% ～ -8 0%），容量损耗对温度、电压等测试条件较敏感，但由于其 K 值较大，所以适用于一些容值要求较高的场合。

3、电容的分类

电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性，其可分为以下几大类：

1）铝电解电容

电容容量范围为 0.1?F ～ 22000?F，高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选，广泛应用于电源滤波、解藕等场合。

2）薄膜电容

电容容量范围为 0.1pF ～ 10?F，具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是 X、Y 安全电容、EMI/EMC 的首选。

3）钽电容

电容容量范围为 2.2?F ～ 560?F，低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择。

4）陶瓷电容

电容容量范围为 0.5pF ～ 100?F，独特的材料和薄膜技术的结晶，迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。

5）超级电容

电容容量范围为 0.022F ～ 70F，极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。

主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。

4、多层陶瓷电容

对于电容而言，小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中，要数多层陶瓷电容（MLCC）的发展最快。

多层陶瓷电容在便携产品中广泛应用极为广泛，但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。

例如，手机要求更高的传输速率和更高的性能；基带处理 器要求高速度、低电压；LCD 模块要求低厚度（0.5mm）、大容量电容。

而汽车环境的苛刻性对多层陶瓷电容更有特殊的要求：首先是耐高温，放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足 150℃ 的工作温度；其次是在电池电路上需要短路失 效保护设计。

也就是说，小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性。

陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数，因此需要从材料方面，降低介电常数对电压的依赖，优化直流偏置电压特性。

应用中较为常见的是 X7R（X5R）类多层陶瓷电容， 它的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器主要性能指标是等效串联电阻（ESR），在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出。

另一类多层陶瓷电容是C0G类，它的容量多在 1000pF 以下，该类电容器主要性能指标是损耗角正切值 tgδ(DF)。

传统的贵金属电极（NME）的 C0G 产品 DF 值范围是（2.0 ～ 8.0）× 10-4，而技术创新型贱金属电极（BME）的C0G产品DF值范围为 (1.0 ～ 2.5)×10-4，约是前者的31 ～ 50%。

该类产品在载有T/R模块电路的GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。较多用于各种高频电路，如振荡/同步器、定时器电路等。

5、钽电容替代电解电容的误区

通常的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介电能力（通常用 ε 表示）比铝电容的三氧化二铝介质要高。

因此在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积，在容量一定的情况下，介电能力越高，体积就可以做得越小，反之，体积就需要做得越大）再加上钽的性质比较稳定，所以通常认为钽电容性能比铝电容好。

但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了，目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极，而在于电解质，也就是阴极。

因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容，其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同，性能可以差距很大，总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。

还有一种看法是认为钽电容比铝电容性能好，主要是由于钽加上二氧化锰阴极助威后才有明显好于铝电解液电容的表现。如果把铝电解液电容的阴极更换为二氧化锰， 那么它的性能其实也能提升不少。

可以肯定，ESR 是衡量一个电容特性的主要参数之一。但是，选择电容，应避免 ESR 越低越好，品质越高越好等误区。衡量一个产品，一定要全方位、多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大。

普通电解电容的结构是阳极和阴极和电解质，阳极是钝化铝，阴极是纯铝，所以关键是在阳极和电解质。阳极的好坏关系着耐压电介系数等问题。

一般来说，钽电解电容的 ESR 要比同等容量同等耐压的铝电解电容小很多，高频性能更好。如果那个电容是用在滤波器电路（比如中心为 50Hz 的带通滤波器）的话，要注意容量变化后对滤波器性能的影响。

6、旁路电容的应用问题

嵌入式设计中，要求 MCU 从耗电量很大的处理密集型工作模式进入耗电量很少的空闲/休眠模式。这些转换很容易引起线路损耗的急剧增加，增加的速率很高，达到 20A/ms 甚至更快。

通常采用旁路电容来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化，以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。

为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

应该明白，大容量和小容量的旁路电容都可能是必需的，有的甚至是多个陶瓷电容和钽电容。这样的组合能够解决上述负载电流或许为阶梯变化所带来的问题，而且还能提供足够的去耦以抑制电压和电流毛刺。

在负载变化非常剧烈的情况下，则需要三个或更多不同容量的电容，以保证在稳压器稳压前提供足够的电流。快速的瞬态过程由高频小容量电容来抑制，中速的瞬态过程由低频大容量来抑制，剩下则交给稳压器完成了。

还应记住一点，稳压器也要求电容尽量靠近电压输出端。

7、电容的等效串联电阻 ESR

普遍的观点是：一个等效串联电阻（ESR）很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。

但是，有时这样的选择容易引起稳压器（特别是线性稳压器 LDO）的不稳定，所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。永远记住，稳压器就是一个放大器，放大器可能出现的各种情况 它都会出现。

由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢，输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用，因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换，同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。

通常，大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值，以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的 Dasheet 规定之内。

高频转换中，小容量电容在 0.01?F 到 0.1?F 量级就能很好满足要求。表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容（MLCC）具有更小的 ESR。

另外，在这些容值下，它们的体积和 BOM 成本都比较合理。如果局部低频去耦不充分，则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。电压下降过程可能持续数毫秒，时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的时间。

用 ESR 大的电容并联比用 ESR 恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。然而，这需要你在 PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷。

8、电解电容的电参数

这里的电解电容器主要指铝电解电容器，其基本的电参数包括下列五点：

1）电容值

电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。

在标准 JISC 5102 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz，最大交流电压为 0.5Vrms，DC bias 电压为 1.5 ～ 2.0V 的条件下进行。可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。

2）损耗角正切值 Tan δ

在电容器的等效电路中，串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ， 这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。

显然，Tan δ 随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。

3）阻抗 Z

在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与 ESR 也有关系。

Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ]

式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC

XL = ωL = 2πfL

电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗（XL）降至 ESR 的值。

当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。

4）漏电流

电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。

5）纹波电流和纹波电压

在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，其实就是 ripple current，ripple voltage。含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。它们和 ESR 之间的关系密切，可以用下面的式子表示：

Urms = Irms × R

式中，Vrms 表示纹波电压

Irms 表示纹波电流

R 表示电容的 ESR

由上可见，当纹波电流增大的时候，即使在 ESR 保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。

叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。

9、电容器参数的基本公式

1）容量（法拉）

英制：C = ( 0.224 × K · A) / TD

公制：C = ( 0.0884 × K · A) / TD

2）电容器中存储的能量

       1/2CV2

3）电容器的线性充电量

　　I = C (dV/dt)
　　Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]
　　XC= 1/(2πfC)
　　D.F. = tan δ （损耗角）
　　= ESR / XC
　　= (2πfC)(ESR)
　　Q = cotan δ = 1/ DF
　　ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC
　　Power Loss = (2πfCV2 ) (DF)
　　PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)
　　rms = 0.707 × Vp
　　KVA = 2πfCV2 × 10-3
　　T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106
　　CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100
　　L0 / Lt = (Vt / V0)X (Tt / T0)Y
　　n 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + …. + 1/Cn
　　两个电容串联：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)
　　CT = C1 + C2 + …. + Cn
　　A.R. = % ?C / decade of time
　　K = 介电常数；
　　A = 面积；
　　TD = 绝缘层厚度；
　　V = 电压；
　　RS = 串联电阻；
　　f = 频率；
　　L = 电感感性系数；
　　δ = 损耗角；
　　Ф = 相位角；
　　L0 = 使用寿命；
　　Lt = 试验寿命；
　　Vt = 测试电压；
　　V0 = 工作电压；
　　Tt = 测试温度；
　　T0 = 工作温度；
　　X , Y = 电压与温度的效应指数。

4）电容的总阻抗（欧姆）

　Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]

5）容性电抗（欧姆）

　XC= 1/(2πfC)

6）相位角 Ф

理想电容器：超前当前电压 90?

理想电感器：滞后当前电压 90?

理想电阻器：与当前电压的相位相同

7）耗散系数 (%)
　　D.F. = tan δ （损耗角）
　　= ESR / XC
　　= (2πfC)(ESR)

8）品质因素
　　Q = cotan δ = 1/ DF

9）等效串联电阻 ESR（欧姆）
　　ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC

10）功率消耗
　　Power Loss = (2πfCV2 ) (DF)

11）功率因数
　　PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)

12）均方根
　　rms = 0.707 × Vp

13）千伏安 KVA （千瓦）
　　KVA = 2πfCV2 × 10-3

14）电容器的温度系数
　　T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106

15）容量损耗(%)
　　CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100

16）陶瓷电容的可靠性
　　L0 / Lt = (Vt / V0)X (Tt / T0)Y

17）串联时的容值
　　n 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + …. + 1/Cn
　　两个电容串联：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)

18）并联时的容值
　　CT = C1 + C2 + …. + Cn

19）重复次数（Againg Rate）
　　A.R. = % ?C / decade of time

上述公式中的符号说明如下：

　　K = 介电常数；

　　A = 面积；
　　TD = 绝缘层厚度；
　　V = 电压；
　　RS = 串联电阻；
　　f = 频率；
　　L = 电感感性系数；
　　δ = 损耗角；
　　Ф = 相位角；
　　L0 = 使用寿命；
　　Lt = 试验寿命；
　　Vt = 测试电压；
　　V0 = 工作电压；
　　Tt = 测试温度；
　　T0 = 工作温度；
　　X , Y = 电压与温度的效应指数。

10、电源输入端的 X,Y 安全电容

在交流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制 EMI 传导干扰。

交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容，一般称之为 Y 电容。

这两个 Y 电容连接的位置比较关键，必须需要符合相关安全标准，以防引起电子设备漏电或机壳带电，容易危及人身安全及生命，所以它们都属于安全电容，要求电容值不能偏大，而耐压必须较高。

一般地，工作在亚热带的机器，要求对地漏电电流不能超过 0.7mA；工作在温带机器，要求对地漏电电流不能超过 0.35mA。因此， Y 电容的总容量一般都不能超过 4700pF。

特别提示：Y 电容为安全电容，必须取得安全检测机构的认证。Y 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 5000V 以上。因此，Y 电容不能随意使用标称耐压 AC250V，或 DC400V 之类的普通电容来代用。

在火线和零线抑制之间并联的电容，一般称之为 X 电容。由于这个电容连接的位置也比较关键，同样需要符合安全标准。

因此，X 电容同样也属于安全电容之一。X 电容的容值允许比 Y 电容大，但必须在 X 电容的两端并联一个安全电阻，用于防止电源线拔插时，由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。

安全标准规定，当正在工作之中的机器电源线被拔掉时，在两秒钟内，电源线插头两端带电的电压(或对地电位)必须小于原来额定工作电压的 30%。

同理，X 电容也是安全电容，必须取得安全检测机构的认证。X 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 2000V 以上，使用的时候不要随意使用标称耐压 AC250V，或 DC400V 之类的普通电容来代用。

X 电容一般都选用纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容，这种电容体积一般都很大，但其允许瞬间充放电的电流也很大，而其内阻相应较小。

普通电容纹波电流的指标都很低，动态内阻较高。用普通电容代替 X 电容，除了耐压条件不能 满足以外，一般纹波电流指标也是难以满足要求的。

实际上，仅仅依赖于 Y 电容和 X 电容来完全滤除掉传导干扰信号是不太可能的。因为干扰信号的频谱非常宽，基本覆盖了几十 KHz 到几百 MHz，甚至上千 MHz 的频率范围。

通常，对低端干扰信号的滤除需要很大容量的滤波电容，但受到安全条件的限制，Y 电容和 X 电容的容量都不能用大；对高端干扰信号的滤除，大容量电容的滤波性能又极差，特别是聚脂薄膜电容的高频性能一般都比较差。

因为它是用卷绕工艺生产的，并且聚脂薄膜介质高频响应特性与陶瓷或云母相比相差很远，一般聚脂薄膜介质都具有吸附效应，它会降低电容器的工作频率，聚脂薄膜电容工作频率范围大约都在 1MHz 左右，超过 1MHz 其阻抗将显著增加。

因此，为抑制电子设备产生的传导干扰，除了选用 Y 电容和 X 电容之外，还要同时选用多个类型的电感滤波器，组合起来一起滤除干扰。

电感滤波器多属于低通滤波器，但电感滤波器也有很多规格类型，例如有：差模、共模，以及高频、低频等。每种电感主要都是针对某一小段频率的干扰信号滤除而起作用，对其它频率的干扰信号的滤除效果不大。

通常，电感量很大的电感，其线圈匝数较多，那么电感的分布电容也很大。高频干扰信号将通过分布电容旁路掉。而且，导磁率很高的磁芯，其工作频率则较低。

目前，大量使用的电感滤波器磁芯的工作频率大多数都在 75MHz 以下。对于工作频率要求比较高的场合，必须选用高频环形磁芯，高频环形磁芯导磁率一般都不高，但漏感特别小，比如，非晶合金磁芯，坡莫合金等。

四、DC-DC芯片的PCB布板建议

 在DC-DC芯片的应用设计中，PCB布板是否合理对于芯片能否表现出其最优性能有着至关重要的影响。不合理的PCB布板会造成芯片性能变差如线性度下降（包括输入线性度以及输出线性度）、带载能力下降、工作不稳定、EMI辐射增加、输出噪声增加等，更严重的可能会直接造成芯片损坏。

    一般DC-DC芯片的使用手册中都会有其对应的PCB布板设计要求以及布板示意图，本次我们就以同步BUCK芯片为例简单讲一讲关于DC-DC芯片应用设计中的PCB Layout设计要点。

1 关注芯片工作的大电流路径

    DC-DC芯片布板需遵循一个非常重要的原则，即开关大电流环路面积尽可能小。下图所示的BUCK拓补结构中可以看到芯片开关过程中存在两个大电流环路。红色为输入环路，绿色为输出环路。每一个电流环都可看作是一个环路天线，会对外辐射能量，引起EMI问题，辐射的大小与环路面积呈正比。

注意：当芯片引脚设置不足以让我们同时兼顾输入环路与输出环路最小时，对于BUCK而言，应优先考虑输入部分回路布线最优化。因为输出回路中电流是连续的，而输入回路中电流是跳变的，会产生较大的di/dt，会引起EMI问题的可能性更高。如果是BOOST芯片，则应优先考虑输出回路布线最优化。

2 输入电容的配置

• 对于BUCK芯片而言，要想使输入环路尽可能小，输入电容应尽可能靠近芯片引脚放置

• 为了让电容滤波效果更好，让电源先经过输入电容，再进入芯片内部

• CIN 使用的大容量电容器，一般情况下频率特性差，所以要与 CIN 并联频率特性好的高频率去耦电容器 CBYPASS 

• 电流容量小的电源（IO≤1A）场合，容量值也变小，所以有时可用1个陶瓷电容器兼具CIN 和 CBYPASS 功能

3 电感的配置

• 对于BUCK芯片而言，要想使输入环路尽可能小，电感要靠近芯片SW引脚放置

• 以覆铜方式走线减小寄生电感、电阻

• SW节点要以最小面积处理大电流，防止铜箔面积变大会起到天线的作用，使 EMI 增加

• 电感附近不要走敏感信号线

• 自举电路这一块，自举电路要尽量去靠近 SW pin 脚来缩短整个高频的流通路径

    附上温升10℃时，PCB板的线宽、覆铜厚度与通过电流的对应关系供参考。

4 输出电容的配置

• 降压转换器中，由于向输出串联接入电感器，所以输出电流平滑

• 输出电容靠近电感放置

5 反馈路径的布线

• 通常FB反馈网络处的分压电阻都采用K级，10K级或上百K的阻值，阻值越大，越容易受干扰，应远离各种噪声源如电感、SW、续流二极管等

• FB、COMP脚的信号地尽可能地与走大电流的功率地隔离开，然后进行单点相连，尽量不要让大电流信号的地 去干扰到小信号电流的地

• FB的分压电阻要从VOUT上进行采样，采样点要靠近输出电容处才能获得更准确的实际输出电压值

五、不同的电平信号的MCU如何通信

电路设计其实也可以很有趣。先说一说这个电路的用途：当两个MCU在不同的工作电压下工作（如MCU1 工作电压5V；MCU2 工作电压3.3V），那么MCU1 与MCU2之间怎样进行串口通信呢？很明显是不能将对应的TX、RX引脚直接相连的，否测可能造成较低工作电压的MCU烧毁！下面的“电平双向转换电路”就可以实现不同VDD（芯片工作电压）的MCU之间进行串口通信。

该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D图和电路图。简单的讲，要让他当做开关，只要让Vgs（导通电压）达到一定值，引脚D、S就会导通，Vgs没有达到这个值就截止。

 那么如何将2N7002应用到上面电路中呢，又起着什么作用呢？下面我们来分析一下。

如果沿着a、b两条线，将电路切断。那么MCU1的TX引脚被上拉为5V，MCU2的RX引脚也被上拉为3.3V。2N7002的S、D引脚（对应图中的2、3引脚）截止就相当于a、b两条线，将电路切断。也就是说，此电路在2N7002截止的时候是可以做到，给两个MCU引脚输送对应的工作电压。

下面进一步分析：

数据传输方向MCU1-->MCU2。

1. MCU1 TX发送高电平（5V），MCU2 RX配置为串口接收引脚，此时2N7002的S、D引脚（对应图中的2、3引脚）截止，2N7002里面的二极管3-->2方向不通。那么MCU2 RX被VCC2上拉为3.3V。

2. MCU1 TX发送低电平（0V），此时2N7002的S、D引脚依然截止，但是2N7002里面的二极管2-->3方向通，即VCC2、R2、2N7002里的二极管、MCU1 TX组成一个回路。2N7002的2引脚被拉低，此时MCU2 RX为0V。该电路从MCU1到MCU2方向，数据传输，达到了电平转换的效果。

接下来分析：

数据传输方向MCU2-->MCU1

1. MCU2 TX发送高电平（3.3V），此时Vgs（图中1、2引脚电压差）电压差约等于0，2N7002截止，2N7002里面的二极管3-->2方向不通，此时MCU1 RX引脚被VCC1上拉为5V。

2. MCU2 TX发送低电平（0V），此时Vgs（图中1、2引脚电压差）电压差约等于3.3V，2N7002导通，2N7002里面的二极管3-->2方向不通，VCC1、R1、2N7002里的二极管、MCU2 TX组成一个回路。2N7002的3引脚被拉低，此时MCU1 RX为0V。

该电路从MCU2到MCU1方向，数据传输，达到了电平转换的效果。

到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。

MOS的优势：

1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。

2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。

3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。

4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。

5、场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。

6、场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。

7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单，并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性，在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管，目前的大规模和超大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应管。

8、输入阻抗高，驱动功率小：由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率极小（灵敏度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。

9、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。

10、无二次击穿：由于普通的功率晶体三极管具有当温度上升就会导致集电极电流上升（正的温度～电流特性）的现象，而集电极电流的上升又会导致温度进一步的上升，温度进一步的上升，更进一步的导致集电极电流的上升这一恶性循环。而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性，即当管温度（或环境温度）上升时，沟道电流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOS FET开关管，当VGS控制电压不变时，在250C温度下IDS=3A，当芯片温度升高为1000C时，IDS降低到2A，这种因温度上升而导致沟道电流IDS下降的负温度电流特性，使之不会产生恶性循环而热击穿。也就是MOS管没有二次击穿现象，可见采用MOS管作为开关管，其开关管的损坏率大幅度的降低，近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后，开关管损坏率大大降低也是一个极好的证明。

11、MOS管导通后其导通特性呈纯阻性：普通晶体三极管在饱和导通是，几乎是直通，有一个极低的压降，称为饱和压降，既然有一个压降，那么也就是；普通晶体三极管在饱和导通后等效是一个阻值极小的电阻，但是这个等效的电阻是一个非线性的电阻（电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律），而MOS管作为开关管应用，在饱和导通后也存在一个阻值极小的电阻，但是这个电阻等效一个线性电阻，其电阻的阻值和两端的电压降和流过的电流符合欧姆定律的关系，电流大压降就大，电流小压降就小，导通后既然等效是一个线性元件，线性元件就可以并联应用，当这样两个电阻并联在一起，就有一个自动电流平衡的作用，所以MOS管在一个管子功率不够的时候，可以多管并联应用，且不必另外增加平衡措施（非线性器件是不能直接并联应用的）。