FPGA第一篇:SRAM工作原理

本文详细介绍了SRAM在FPGA中的应用及其基本原理,包括SRAM的结构、六管存储单元电路及矩阵排列的原因。SRAM主要用于FPGA的查找表,通过地址选择特定存储单元进行读写操作,其高速特性和静态存储特性使其成为高速缓存的理想选择。

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一、SRAM概述


       SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 C ache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

      大部分FPGA器件采用了查找表(Look Up Table,LUT)结构。查找表的原理类似于ROM,其物理结构是静态存储器(SRAM),

N个输入项的逻辑函数可以由一个2^N位容量的SRAM实现

       函数值存放在SRAM中,SRAM的地址线起输入线的作用,地址即输入变量值,SRAM的输出为逻辑函数值,由连线开关实现与其他功能块的连接。


二、SRAM基本原理


2.1、SRAM结构图




SRAM结构图


  • corecells array:存储单元阵列
  • decode:行列地址译码器
  • Sense Amplifier:灵敏放大器
  • conntrol circuit:控制电路
  • FFIO:缓冲/驱动电路

  在图中,A0-Am-1为地址输入端,CSB. WEB和OEB为控制端,控制读写操作,为低电平有效,I/O(0)-I/O(N-1)为数据输入输出端。存储阵列中的每个存储单元都与其它单元

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