RAM和ROM的相关知识

一.ROM(Read-Only Memory)只读存储器

只能读事先所存储数据的固态半导体存储器，一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。现在大多数由场效应管制成。衍生有以下几类

1. PROM（Programmable Read-Only Memory）可编程只读存储器

仅仅可以写录一次，需要通过电流讲起内部的行列式熔丝烧断，写入所需要的资料，典型结构是“双极性熔丝结构”，另外还有使用“肖特基二极管”的PROM。

2. EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory）

可编程可擦出只读存储器。早期的需要用紫外光对其进行擦除，使用不方便，抹除时需要将其曝光于紫外线下，才可清空资料，制作前需要留一个石英透明窗以方便曝光。

3. EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）

电子式可抹除可编程只读存储器，类似EPROM，抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。

4. Flash memory

快闪存储器的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”，利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。

二. RAM (Random Access Memory)随机存取存储器

是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。用来加载各式各样的程序与数据以供CPU直接运行与运用。衍生的有：

1. SRAM（Static Random Access Memory）

静态随机存取存储器，所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

SRAM的基本单元有3种状态：standby (电路处于空闲), reading（读取）与writing（写入）. SRAM的读取或写入模式必须分别具有"readability"（可读）与"write stability"（写入稳定）。

SRAM是比DRAM更为昂贵，但更为快速、非常低功耗（特别是在空闲状态）。因此SRAM首选用于带宽要求高，或者功耗要求低，或者二者兼而有之。SRAM比起DRAM更为容易控制，也更是随机访问。由于复杂的内部结构，SRAM比DRAM的占用面积更大，因而不适合用于更高储存密度低成本的应用，如PC内存

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2.DRAM（Dynamic Random Access Memory）

一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。

三.RAM和ROM二者区别

RAM-Random Access Memory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。

ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。

EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和 NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。

RAM为易失型随机存取存储器；

ROM为非易失性只读存储器；