RAM与ROM

半导体存储器包括有随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM），其中RAM又可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。
主存储器由DRAM实现，靠近处理器的那一层（Cache)则由SRAM实现，它们都属于易失性存储器，只要电源被切断，原来保存的信息就会丢失。DRAM的每比特成本比SRAM低，速度则慢于SRAM。而ROM属于非易失性存储器。

1. SRAM的工作原理
   通常把存放一个二进制位的物理器件叫做存储元，它是存储器的最基本的构件。地址码相同的多个存储元构成一个存储单元。若干个存储单元的集合构成存储体。
   静态随机存储器(SRAM)的存储元是用双稳态触发器来记忆信息的，因此即使信息被读出后，它仍然保持其原来的状态而不需要再生（非破坏性读出）。SRAM的存取速度快，但集成度低，功耗较大，所以一般用来组成高速缓冲存储器。

2. DRAM的工作原理
   与SRAM的存储原理不同，动态随机存储器（DRAM）是利用存储元电路中栅极电容上的电荷来存储信息，DRAM的基本存储元通常只使用一个晶体管，所以它比SRAM的密度要高的多。
   DRAM采用地址复用技术，地址线是原来的二分之一，且地址信号分行、列两次传送。相对于SRAM来说，DRAM具有容易集成、价位低、容量大和功耗低等优点，但DRAM的存储速度比SRAM的慢，一般用来组成大容量主存系统。DRAM电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不断电，信息也会自动消失。为此，每隔一定时间必须刷新，通常取刷新周期为2ms。
   常见的刷新方式有三种：集中刷新、分散刷新和异步刷新。
   1）集中刷新：用一段固定的时间依次对存储器的所有行逐一刷新。在刷新的时候不能进行读写操作，故称为“死时间”，又称访存“死区”。
   2）分散刷新:把对每一行的刷新分散到各个存取周期内，把机器的存取周期分为两段，前一段用来读/写或维持信息，后一段用来刷新，不存在停止读/写操作的死时间，但存取周期长了，整个系统速度降低了。
   3）异步刷新：把对每行的刷新分散到一整个刷新周期内，它是前两种方式的结合，既可以缩短“死时间”，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点。

3. 只读存储器（ROM）的特点
   ROM和RAM都是支持随机存取的存储器，其中SRAM和DRAM均为易失性半导体存储器。而ROM中一旦有了信息，就不能轻易改变，即使掉电也不会丢失，它在计算机系统中是只供读出的存储器。ROM器件有两个显著的优点：结构简单，所以位密度比读写存储器的高；具有非易失性，所以可靠性高。