资料
数据手册
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定律
欧姆定律
基尔霍夫电流定律,基尔霍夫电压定律
傅里叶变换
拉普拉斯变换
卡尔曼滤波
公式
- 欧姆定律 I=U/R
仿真软件
multisim、
元器件
电流、电压、电阻、电容、电感、保险丝、熔断器、接插件、蜂鸣器、继电器、三极管、mos管、整流桥
元器件分类
半导体
N型半导体:掺入施主杂质(Ⅲ族,磷),多电子
P型半导体:掺入受主杂质(Ⅳ族,硼或铟),多空穴
二极管
- 二极管、发光二极管、稳压二极管
电阻
- 普通电阻、薄膜电阻、光敏电阻、微型金属薄膜电阻、电位器、旋钮可调电阻、贴片电阻、热敏电阻、滑动变阻器、压敏电阻、高精度电阻
电容
旁路电容、去耦电容、滤波、储能
旁路电容一般为0.1uf或0.01uf;
去耦电容一般为10uf或更大;
滤除杂波,大电容滤低频,小电容滤高频;
储能
铝电解电容、瓷片电容、独石电容
铝电解电容:长脚为正,短脚为负,或有颜色的为负极
瓷片电容、独石电容无极性
应用中注意:耐压值,防止短接
晶体三极管
发射区、基区、集电区
发射极、基极、集电极
发射结、集电结
PNP箭头向内
NPN箭头向外
通过输入电流控制输出电流的电流控制型器件
放大状态、饱和状态、截止状态
放大状态:发射结正偏(Ub>Ue),集电结反偏(Ub<Uc)
截止状态:发射结反偏(Ub<Ue),或两端电压为0(Ub=Ue=0)
饱和状态:发射结和集电结都为正偏(Ub<Ue,Ub<Uc)
场效应管
电压控电流的器件
NMOS→NPN三极管
PMOS→PNP三极管
光耦
电→光→电
继电器
数码管
点亮LED显示数字
基本放大电路
电源电路
集成运算放大器
OPA858
功率放大器
封装
WSON(DRV8837DSGR)
SMD(开关)
LQFP(STM32F103C8T6)
QFN(MPU-6050)